| 【概 要】 |
パワーエレクトロニクス技術は，サイリスタ，パワートランジスタ，MOSFET, GTO/GCTサイリスタ，IGBTなどのシリコン系パワーデバイスから最新のSiC/GaNパワーデバイスへの移行期を迎えている。その一方で，DSP, FPGAなどのディジタル信号処理技術も目覚ましい発展を遂げている。さらに，磁気デバイス(変圧器，インダクタ)や誘電デバイス(キャパシタ/コンデンサ）の性能向上も着実に進展している。現在では，パワーエレクトロニクス技術は電気電子工学の基幹技術として認知されている。講演者は，1973年4月の学部4年の卒業研究から現在まで一貫してパワーエレクトロニクスの研究に従事している。そこで46年間の研究を振り返りながら，今後のパワーエレクトロニクス技術の動向について解説する。
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| 【略 歴】 |
1979年3月 東京工業大学 大学院博士課程電気工学専攻修了，工学博士。同年4月 長岡技術科学大学 工学部電気系助手，助教授を経て1991年8月岡山大学 工学部電気電子工学科教授。2000年1月東京工業大学 工学部電気・電子工学科教授。2017年4月特任教授/名誉教授，現在に至る。IEEE Transactions Prize Paper Award を6回受賞。1996年IEEE Fellow。2001年IEEE William E. Newell Power Electronics Award, 2004年IEEE IAS Outstanding Achievement Award, 2008年 IEEE Richard H. Kaufmann Technical Field Award, 2012 IEEE PES Nari Hingorani Custom Power Award, 2018年IEEE Medal in Power Engineering などを受賞。
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