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平成１５年２月シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 赤澤正道・浅野種正 幹事補佐 平谷正彦
●日時 平成15年2月7日（金） 9:15〜18:40
●会場 機械振興会館 6階67号室
●議題 「低誘電率層間膜、配線材料および一般」
◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催
−プログラム−
（Opening Remark）
＜９：１５- ９：２０＞
−Metallization 1−
１．MPA(methylpyrolidine alane)を用いたAl CVD技術
＜９：２０- ９：４５＞
○坂本学、益一哉（東京工業大）、杉本恵理、李珍一、畠中正信、高橋善和、石川道夫（アルバック）、古村雄二（フィルブリッジ）
２．SiH4/Si2H6を用いた選択的シリサイド化によるCu配線酸化防止用CoSi層の形成
＜９：４５-１０：１０＞
◯霜垣幸浩、平井里佳、野田優、小宮山宏（東京大）
３．True Influence of Wafer-Backside Copper Contamination During the Back-End Process
on Device Characteristics
＜１０：１０-１０：３５＞
○朴澤一幸、由上二郎（日立）
（休憩）
−RF Inductor / Wireless Interconnect−
４．高抵抗SOI基板上のスパイラル・インダクタの寄生抵抗のモデリング
＜１０：５０-１１：１５＞
○西島辰司、島秀樹、清水由幸、松岡俊匡、谷口研二（大阪大）
５．オンチップRF可変インダクタの開発
＜ １１：１５-１１：４０＞
○横山佳巧、福重孝志、秦誠一、益一哉、下河辺明（東京工業大）
６．Influence of Si Substrate Ground on Antenna Transmission Gain for On-Chip Wireless
Interconnect
＜１１：４０-１２：０５＞
○S. Watanabe, A.B.M. H. Rashid and T. Kikkawa（広島大）
（昼食）
−Packaging−
７．SiP技術の特徴と配線技術融合への期待 （招待講演）
＜１：００-１：４０＞
○盆子原學（ASET）
８．ウエーハレベル3次元集積化技術（招待講演）
＜１：４０-２：２０＞
○栗野浩之（東北大）
−Metallization 2−
９．超臨界流体を利用した配線形成技術
＜２：２０-２：４５＞
○近藤英一（山梨大）
１０．バリアメタル上の触媒なし無電解銅めっき技術
＜２：４５-３：１０＞
○新宮原正三、王増林、八重樫道、坂上弘之、高萩隆行（広島大）
（休憩）
−Low-k Dielectrics−
１１．ナノ粒子積層による低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の形成
＜ ３：２５-３：５０＞
○坂上弘之、石川佐千子、富本博之、新宮原正三、高萩隆行（広島大）
１２．Evaluation of Low-k Porous Silica Films Incorporated With Ethylene Groups
＜３：５０-４：１５＞
○内田恭敬、加藤隆史、及川雅砂子（帝京科学大）
１３．Cu Dual Damascene Interconnects with In-Situ Fluorinated Carbon-Nitride (FCN:
-C=N(F)-) Barrier Layers in Low-k Organic Film
＜４：１５-４：４０＞
○大竹浩人、齋藤忍、多田宗弘、原田恵充、小野寺貴弘、林喜宏（NEC）
１４．電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇（TDDI）
＜４：４０-５：０５＞
○龍崎大介、石田猛、古澤健志（日立）
（休憩）
−Cu Reliability−
１５．CMOS LSIにおけるCu配線のストレスボイディング現象
＜５：２０-５：４５＞
○吉田健司（東芝マイクロエレクトロニクス）、藤巻剛、宮本浩二、金子尚史、中澤寛、森田正子（東芝セミコンダクター社）、本間友幸（岩手東芝エレクトロニクス）
１６．Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
＜５：４５-６：１０＞
○大島隆文、山口日出、青木英雄、斎藤達之、石川憲輔、日野出憲治（日立）
１７．Suppression of Stress Induced Open Failures Between Via and Cu Wide Line by
Inserting Ti Layer Under Ta/TaN Barrier
＜６：１０-６：３５＞
○植木誠、廣井政幸、五十嵐信行、小野寺貴弘、古武直也、吉木政行、林喜宏（NEC）
（Closing Remark）
＜６：３５-６：４０＞
★SDM研究会今後の予定([ ] 内は発表申込締切日)
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。
2月10日（月）-11日（火） [申込締切済]
開催地：北海道
テーマ：「量子効果デバイス及び関連技術」
3月18日（火） [1月17日（金）]
開催地：機械振興会館
テーマ：「強誘電体薄膜とデバイス応用」
【発表申込・問合先】
吉丸正樹（yoshimaru453@oki.com）