★電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
委員長：渡辺重佳　副委員長：杉井寿博
幹事：川中繁，安斎久浩　幹事補佐：大見俊一郎

★共催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス研究委員会
委員長　平本 俊郎

■日時　平成21年1月26日（月）9:30 - 16:50

■会場　機械振興会館　地下3階研修1号室
詳細はhttp://www.jspmi.or.jp/kaikan.htmをご覧ください。

■交通　営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
　　営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
　　都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
　　JR浜松町駅下車 徒歩15分

■テーマ：「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」

■プログラム

1. (9:30-9:40) はじめに
平本俊郎（東京大学生産技術研究所）

2. (9:40-10:10) IEDM2008を振り返って
今井 清隆（NECエレクトロニクス）

3. (10:10-10:40)
金属／high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制
大毛利健治（早稲田大学）

4. (10:40-11:10)
High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源
喜多浩之，鳥海明（東京大学大学院）

5. (11:10-11:40)
Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源−極薄SOIデバイスを用いた実験的考察−
清水 健，更屋拓哉，平本俊郎（東京大学生産技術研究所）

昼食 11:40 - 12:40

6. (12:40-13:10)
CuInGaSe2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ
松島理1，宮崎憲一1，高岡将樹1，前川拓滋1，関口大志1，淵上貴昭1，守分政人1，高須秀視1，石塚尚吾2，櫻井啓一郎2，山田昭政2，仁木栄2（1ロ ーム，2産総研）

7. (13:10-13:40)
30 nmとそれ以降のFGタイプ超多値NANDフラッシュメモリ技術
上垣内岳司（東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター）

8. (13:40-14:10)
三次元フィンデバイスへのコンフォーマルドーピングとプレーナデバイス製造のために精密制御された極浅注入のためのＢ２Ｈ６／Ｈｅセルフレギュレー ションプラズマドーピング技術
佐々木雄一朗（ユー・ジェー・ティー・ラボ）

9. (14:10-14:40)
40 nm Low Standby Power CMOS技術
渡辺竜太1，大石周1，佐貫朋也1，君島秀樹1，岡本和之1，藤田悟1，福井大伸1，吉田健司1，大谷寛1，森藤英治1，小島健嗣1，猪原正弘1，五十嵐 弘文1，本多健二1，吉村尚郎1，中山武雄1，三宅慎一3，平井友洋3，岩本敏幸3，中原寧3，木下功一1，森本寿喜1，小林幸子2，姜帥現2，池田昌弘3 ，今井清隆3，岩井正明1，中村典生3，松岡史倫1（1東芝セミコンダクター社システムLSI事業部，2東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター，3NECエレ クトロニクス先端デバイス開発事業部）

休憩　14:40-14:50

10. (14:50-15:20)
コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析
大内真一，松川貴，中川格，遠藤和彦，柳永廊，関川敏弘，塚田順一，石川由 紀，山内洋美，石井賢一，鈴木英一，小池帆平，坂本邦博，昌原明植（産総研）

11. (15:20-15:50)
低不純物チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のVthばらつき解析
杉井信之，土屋龍太，石垣隆士，森田祐介，吉元広之，鳥 居和功，木村紳一郎（日立製作所中央研究所）

12. (15:50-16:20)
飽和Vthばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価
南雲俊治1，宮村信2，竹内潔1，武田晃一1，羽根正巳1（1NECエレクトロニクス，2NEC）

13. (16:20-16:50) 総合討論

17:00-　懇親会

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照会先：高橋芳浩 日本大学理工学部　電子情報工学科
〒274-8501 千葉県船橋市習志野台7-24-1
TEL/FAX: 047-469-5459
E-mail: ytaka @ ecs.cst.nihon-u.ac.jp