専門委員長 浅野 種正 副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史， 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一
【テーマ】
「特集：シリコン関連材料の作製と評価」
【開催日】
2006年 12月14日(木) 10:00〜16:50
【開催場所】
京都大学桂キャンパス A1棟 地下1階 第一講義室
京都市西京区京都大学桂
タクシー：JR向日町より約15分, 阪急桂より約10分, 京都駅より約40分
バス：阪急桂駅西口から西6系統あるいは循環20系統乗車約15分
「京大桂キャンパス前」下車 徒歩1分
詳しくはhttp://www.kogaku.kyoto-u.ac.jp/katsura/index.htmをご覧下さい.
連絡先：TEL (075)383-2300 木本恒暢
◆プログラム◆
■午前の部 (10:00-12:20)(10:00-10:20)
1. a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化-核形成・成長に大きな影響を与えるか？-
○松尾直人・部家 彰(兵庫県立大)・芹川 正(大阪大)・河本直哉
(山口大)
(10:20-10:40)
2. Ni内包フェリチンたんぱく質を用いたシリコン薄膜の低温結晶化
○南条泰弘・浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)・奥田光宏・山下一郎(松下電器産業)
(10:40-11:00)
3.カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の半導体レーザ結晶化
○佐野直樹(ハイテックシステムズ)・安藤伸行・鮫島俊之(東京農工大)
(11:00-11:20)
4. ゲルマニウム薄膜のレーザ結晶化
○安藤伸行・鮫島俊之(東京農工大)・東 清一郎(広島大)
(11:20-11:50)
5. 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価[招待論文]
○吉本昌広・西垣 宏・播磨 弘・一色俊之(京都工繊大)・Kitaek
Kang・Woo Sik Yoo(WaferMasters)
(11:50-12:20)
6. シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析[招待講演]
○中嶋薫・趙 明・鈴木基史・木村健二(京都大)植松真司(NTT物性科学基礎研究所)鳥居和功・神山聡・奈良安雄(半導体先端テクノロジー
ズ)・山田啓作(早稲田大ナノテクノロジー研究所)・舘 喜一・角嶋邦之・岩井 洋(東京工大フロンティア創造共同研究センター)
昼食 (12:20-13:30)
■午後の部 (13:30-16:50)
(13:30-13:50)
7. 高圧水蒸気熱処理したSiO{_2}/4H-SiC界面特性の改善
○武田大輔・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)
(13:50-14:10)
8. SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
○田中康太郎(東北大)・寺本章伸(東北大未来科学技術共同研究センター)・ 須川成利(東北大)・大見忠弘(東北大未来科学技術共
同研究センター)
(14:10-14:30)
9. ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化
○登尾正人・須田 淳・木本恒暢(京都大)
(14:30-14:50)
10. インクジェット法におけるパターン形状の改善
○山口正樹・山本 麻(芝浦工業大学)・増田陽一郎(八戸工業大)
(14:50-15:10)
11. 熱プラズマジェットを用いたSiO{_x}薄膜の急速熱処理によるSi結晶成長
○岡田竜弥・東 清一郎・加久博隆・寄本拓也・村上秀樹・宮崎誠一(広島大学)
休憩 (15:10-15:30)
(15:30-15:50)
12. 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析
○田中亮大・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)・山下一郎(松下電器産業先端技術研究所)
(15:50-16:10)
13. イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Si構造の転位の挙動に及ぼす影響
○原 明人(東北学院大)・田村直義・中村友二(富士通研究所)
(16:10-16:30)
14. 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET
○安武信昭・石田達也・大内和也・青木伸俊・楠 直樹・森 伸二・水島一郎・諸岡 哲・矢橋 勝典・川中 繁・東 篤・石丸一成・豊島義明(東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター)
(16:30-16:50)
15. アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造
○小池功二・竹村康司・佐野 光・伊藤 豊・高橋昌男・石川和弘・平野博茂(松下電器産業)
見学会 (17:00-17:30)
懇親会 (17:30-19:00)
◎懇親会を企画しております. 奮ってご参加ください.
１２月度研究会担当
冬木（奈良先端大）、平野（松下電器）、木本（京都大）