委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正
幹事 大野守史・高柳万里子 幹事補佐 松井裕一
●日時:2006年3月14日(火) 13:00〜
●会場:機械振興会館 地下3階1号室
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
●議題 「新型不揮発性メモリ」
◆プログラム◆
13:00-13:05 (Opening Remark)
13:05-13:30
1.GSTの結晶構造および表面形状とラテラル型相変化素子の相変化制御性
○保坂純男、Yin You、仁井田大輔、宮地晃平、曽根逸人(群馬大学大学院工学研究科)
13:30-13:55
2.酸素添加GeSbTe 相変化メモリセルの研究
松崎望1、黒土健三1、○松井裕一1、外村修1、山本直樹5、藤崎芳久1、北井直樹2、竹村理一郎1、長田健一1、半澤悟1、守谷浩志3、岩崎富生3、河原尊之1、高浦則克1、寺尾元康1、松岡正道4、茂庭昌弘4
(日立中研1、日立超L2、日立機研3、ルネサステクノロジ4、高知工科大5)
13:55-14:20
3.3端子固体電解質スイッチ
○阪本利司、伴野直樹、井口憲幸、川浦久雄、*帰山隼一、*水野正之、**寺部和弥、**長谷川剛、**青野正和
(NEC基礎・環境研究所、*NECシステムデバイス研究 所、**物質材料研究機構)
14:20-14:45
4.強誘電体材料における抵抗スイッチ現象
○神好人、篠島弘幸、嶋田勝、*榎本陽一、**木内幹保
(NTT−MI研、*NTTアドバンステクノロジ、**NTTアフティ)
14:45-15:00 休憩(15分)
15:00-15:25
5.高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減
○佐藤嘉洋、吉田親子、能代英之、佐藤雅重、青木正樹、杉山芳弘
(富士通研究所基盤技術研究所)
15:25-15:50
6.大容量MRAM技術の開発
○吉川将寿、與田博明、甲斐正、浅尾吉昭、池川 純夫、土田 賢二、*波田博光、*田原修一
(鞄月ナ、*日本電気梶j
15:50-16:15
7.微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法
○渡辺重佳
(湘南工科大学 情報工学科)
16:15-16:40
8.3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法
○渡辺重佳7
(湘南工科大学 情報工学科)
16:40-17:05
9.MFIS構造のラジカル照射による特性改善
○金島岳、Le Van Hai、吉永真生、奥山雅則
(大阪大学 基礎工学研究科)
17:05-17:10(Closing Remark)