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平成17年5月電子情報通信学会SDM研究会
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正
幹事 西岡泰城・大野守史 幹事補佐 高柳万里子
●日時 2005年5月26日(木) 9:00～17:45
27日(金) 9:00～17:45
●会場 三重大学講堂（三翠ホール・三重県津市）
交通手段：http://www.mie-u.ac.jp/access/index.html
大学内案内図：http://www.mie-u.ac.jp/annai/haiti.html
TEL [059] 231-9401 三宅秀人
●テーマ
「結晶成長，評価技術及びデバイス（化合物，Si，SiGe，その他電子材料」
◆プログラム◆
26日午前
1．MOVPE法によるＣｄＴｅ／ＧａＡｓダイオード型放射線検出器
○大西 浩文・高橋 裕之・江口 和隆・野田 光太郎・安形 保則・Niraula Madan・安田 和人（名工大）
2．ＭＯＶＰＥ法によるＳｉ基板上へのＣｄＴｅ層直接成長と成長層特性評価
○江口 和隆・高橋 裕之・大西 浩文・野田 光太郎・安形 保則・Niraula Madan・安田 和人（名工大）
3．量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴
○山口雅史・田中宏佳・横井美典・高木英俊・澤木宣彦（名大）
4．非晶質Asマスクを用いた３次元へテロ構造形成プロセスに関する研究
○山田 巧・則竹陽介・田渕雅夫・竹田美和（名大）
5．メサ構造ＩｎＰテンプレート基板へのＩｎＡｓ量子ドットの成長とサイズ制御
○宇治原徹・吉田義弘・李祐植・竹田美和（名大）
6．メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価
○鎌田直樹・林靖彦・曽我哲夫・神保孝志（名工大）
7．光学フィルタを必要としない蛍光検出フォトセンサの提案と製作
○丸山結城・澤田和明・高尾英邦・石田誠（豊橋技科大）
8．Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
○以西雅章・立井友浩・藤安洋（静岡大）
9．光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価
○ 東 雅紀・宮脇 哲哉・市村 正也（名工大）
10．ZnOナノドット形成の基板依存性
○岡松航太・中川聡・中村篤志・青木徹・天明二郎（静岡大）
11．リモートプラズマMOCVD法によるMgxZn1-xO薄膜成長と光学特性評価
○山本兼司・中村篤志・石原純二・青木徹・天明二郎（静岡大）
26日午後
12．[招待講演] 白色ＬＥＤの最新技術動向
○田口 常正（山口大）
13．[招待講演] 白色ＬＥＤ用の蛍光体について
○小田喜 勉（(株)ファインラバー研究所）
14．[招待講演] 白色ＬＥＤの開発と光環境について
○遠藤 哲夫（岩崎電気(株)）
15．硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性
○蟹江 壽・小林 晋吾・瀬間 勇二（東京理科大）
16．青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニ－ル効果
○以西雅章・稲垣優輝・市川哲章・藤安洋（静岡大）
17．InAlGaN４元混晶紫外LEDの高効率化の検討
○平山秀樹(理研)・大橋智昭（理研，埼玉大）・石橋幸治（理研）
18．InGaAlN非混和性に対する基板拘束の影響
○寒川義裕・柿本浩一（九大）・伊藤智徳（三重大）・纐纈明伯（東京農工大）
27日午前
1． HVPE法によるAlN厚膜の作製
○田鍋 智章・阿部 晃久・辻澤 健一・劉 玉懐・三宅 秀人・平松 和政（三重大）
2．MOVPE法による厚膜AlN成長
○藤元 直樹・北野 司・成田 剛・井村 正隆・Krishnan・Balakrishnan・岩谷 素顕・上山 智・天野 浩・赤﨑 勇（名城大）・下野 健二・野呂
匡志・高木 俊（イビデン㈱）・坂東 章（昭和電工㈱）
3．サファイア溝基板上AlNのELO成長
○成田 剛・藤元 直樹・広瀬 貴利・北野 司・川島 毅士・飯田 一喜（名城大）・
津田 道信（名城大，京セラ㈱）・クリシュナン・バラクリシュナン・岩谷 素顕・上山 智・天野 浩・赤﨑 勇（名城大）
4．MOVPE-ELOによるサファイア溝基板上低転位AlNの微細構造
○仲野靖孝・井村将隆・成田 剛・北野 司・藤元 直樹・クリッシュナン・バラクリッシュナン（名城大）・津田 道信（名城大，京セラ㈱）・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤﨑 勇（名城大）
5． MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
○石川博康・日比野聡彦・江川孝志（名工大）
6．ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
○山本高裕・高山智行・香山卓史・中村俊喜・立石恵美・原田義之・淀 徳男（大阪工大）
7．ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InN薄膜成長
○田本清温・嶋田照也・藤井洋平・真岡岳史・二口博行・原田義之・淀 徳男（大阪工大）
8．KOH水溶液を用いたInNの極性評価
○武藤大祐・荒木努・直井弘之・名西やすし（立命館大）
9．InNの光学的特性の結晶品質依存性
○直井弘之・黒内正仁・荒木努・山口智広・名西やすし（立命館大）
10．RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響
○荒木 努・米田 亮太郎・早川 祐矢・直井 弘之・鈴木 彰・名西 やすし（立命館大）
11．格子整合系InGaPN/GaPの光学特性
○若原昭浩・今西友晴・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄（豊橋技科大）
27日午後
12．AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御
○金子昌充・橋詰保（北大）
13．GaNを用いた水の光電気分解デバイス
○藤井 克司（科学技術振興機構），大川 和宏（東京理科大、科学技術振興機構）
14．(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング
○彦坂 年輝・小出 典克・本田 善央・山口 雅史・澤木 宣彦（名大）
15．g-Al2O3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究
○畠中 奨・藤盛 敬雄・伊藤 幹記・若原 昭浩・岡田 浩・石田 誠（豊橋技科大）
16．バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO
○長谷 吉起・楠 真一郎・三宅 秀人・平松 和政（三重大）・土田 良彦・小野 善伸・西川 直宏（住友化学(株)）
17．GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析
○平子 晃（科学技術振興機構）・小磯 沙織・草部 一秀（東京理科大）・大川 和宏（東京理科大、科学技術振興機構）
18．PLD法による室温成長GaNの特性評価
藤岡 洋（東大、神奈川科学技術アカデミー）・小林 篤（東大）・太田 実雄（東大、神奈川科学技術アカデミー）
19．CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス
○本田 徹（工学院大）
20．サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
○岡留 由真・古川 寛子・土屋 陽祐・川島 毅士・井村 将隆・仲野 靖孝・本塩 彰（名城大）・津田 道信（名城大，京セラ㈱）・岩谷 素顕・上山 智・天野 浩・赤﨑 勇（名城大）
21．MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長
○古川 寛子・岡留 由真・土屋 陽祐・本塩 彰（名城大）・津田 道信（名城大，京セラ㈱）・岩谷 素顕・上山 智・天野 浩・赤﨑 勇（名城大）
22． μ－ＰＣＤ法によるＧａＮの過剰キャリアライフタイム測定
○渡辺 英樹・加藤 正史・市村 正也・荒井 英輔（名工大）・兼近 将一・加地 徹（豊田中央研究所）
23．顕微ラマン分光法によるナイトライドLED の微細領域での温度分布解析
三島俊介・浅井利浩・春日井秀紀・本塩 彰・三宅泰人・飯田一喜・川島毅士・岩谷素顕・上山
智・天野 浩・赤﨑 勇(名城大)・若山雅文（システム技研㈱）
24． CBE法によるH*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
○三戸 一矢・山森 雅之・石川 博康・江川 孝志（名工大） ◎ 26日午後の招待講演3件は第3回都市エリアワークショップ「白色ＬＥＤの技術動向と将来展望」との共催．
◎ 26日の研究会終了後懇親会を予定しています．
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