SDM0212program

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平成１４年１２月シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）プログラム
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専門委員長徳光永輔　　副委員長渡辺重佳
幹事赤澤正道・浅野種正幹事補佐平谷正彦

●日時　平成14年12月20日（金）　10:00～17:15

●会場　京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(VBL)棟２階セミナー室
　　京都市左京区吉田本町
　　タクシー：京都駅より約20分
　　バス：京都駅から206系統
　　　　(「北大路バスターミナル」行き)「百万遍」下車徒歩5分,
　　　　あるいは17系統(「錦林車庫」行き)「百万遍」下車徒歩5分,
　　　　あるいは京阪電車「出町柳」駅から徒歩15分,
　　http://www.vbl.kyoto-u.ac.jp/をご覧下さい。
　　TEL (075)753-5341 木本恒暢）

●協賛　京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

●議題　―特集：シリコン関連材料の作製と評価―

－プログラム－

午前

１．多結晶Si太陽電池用ウェハの多数キャリア密度の温度依存性のインゴット中の場所依存
○石田卓也・黒田知宏・松浦秀治(大阪電気通信大)

２．電子線起電流法による薄膜多結晶Si太陽電池の接合評価
○山崎努・石河泰明・浦岡行治・冬木隆(奈良先端科学技術大学院大)

３．エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長
-水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して-
○河本直哉・松尾直人・Fakhrul Anwar Bin Abd Aziz(山口大)・
納田朋幸・土屋博・浜田弘喜(三洋電機)

４． Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
○中村敦・石河泰明・畑山智亮・矢野裕司・浦岡行治・冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大)

５．低エネルギーホウ素イオン注入における、ホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
○青木学聡・松尾二郎・高岡義寛(京都大)

６．有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度SiN膜の堆積
○田口貢士(魁半導体, 京都工芸繊維大)・
吉本昌広・更家淳司(京都工芸繊維大)

７．プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
○孫雲華・木本恒暢・松波弘之(京都大)

午後

８．反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO{_2}薄膜の界面特性の評価
○野崎洋(山口大)・林重徳(松下電器)・山尾正之・河本直哉・松尾直人(山口大)・
丹羽正昭(松下電器)

９． High-k PrO{_x}ゲート絶縁膜の電気的・光学的特性
○池田幸司・寒川雅之・神田浩文・金島岳・奥山雅則(大阪大)

１０． FET不揮発性メモリ用低比誘電率強誘電体薄膜の成膜と評価
○中尾良昭・関本安泰・松浦秀治(大阪電気通信大)

１１．原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
○山口正樹(芝浦工業大)・増田陽一郎(八戸工業大)

１２．傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ長制御
○前田展秀・鬼松大・石川宜識・芝原健太郎(広島大)

１３．重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
○芝原健太郎・野津大輔・鬼松大(広島大)・川上信之(神戸製鋼)

１４．浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET
○松本珠美江・西坂美香・浅野種正(九州工業大)

１５．チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFTの提案と理論検討
○木原洋幸・山本暁徳・中村健二・松尾直人(山口大)

１６． 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性
○井上慎也・松永宏治・大鉢忠・谷口一郎(同志社大)

◎18:00より懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。

★SDM研究会今後の予定([　] 内は発表申込締切日)
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。

2月7日(金) 機械振興会館(予定)
「低誘電率層間膜、配線技術および一般」[11月中旬]

2月中旬北海道
「量子効果デバイス及び関連技術」[12月中旬]

【発表申込・問合先】
　　赤澤正道（北海道大学）
　　TEL (011)706-6875, FAX (011)716-6004
　　E-mail：akazawa@rciqe.hokudai.ac.jp

　　浅野種正（九州工業大学）
　　TEL (0948)29-7582，FAX (0948)29-7586
　　E-mail：asano@cms.kyutech.ac.jp