テーマ ：「 光デバイス用プロセス技術・実装技術の進展 」
光デバイスは、より高集積、高性能と多機能化を目指して研究開発が盛んに進められています。その中で、それらの高度な光デバイスを実現するのに不可欠な作製技術の重要性がより一層高まってきており、多方面で研究開発が行われています。具体的には、薄膜低拡散の結晶成長技術、導波路等の微細で高均一加工技術、同種/異種導波路の高効率な接続技術・集積技術や光素子/光部品の高密度で低コストな実装技術などです。 第4回集積光デバイスと応用技術研究会では，上記のような、光デバイスの作製、製造技術に関連する講演を行います。多数の方々のご参加をお待ちしております。
日 時 ： 2014年 6月27日（金） 13:30 - 17:35 （受付 13:10）
場 所 ： NTTフォトニクス研究所 １号館１階プレゼンテーションルーム (小田急電鉄 愛甲石田駅よりバス20分「通信研究所前」下車) （http://www.phlab.ecl.ntt.co.jp/location/index.html）
（〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1.）参加資格 ： 特に問いません．
参加申込 ： 研究会開催当日，会場にて・ｯ付けます（事前申し込み不要）．
参加費 ： 一般参加者5,000円，学生1,000円
【プログラム（敬称略）】
13:30～13:40 開会の辞
13:40～14:15 【招待講演】 光デバイス用結晶成長技術
河原 弘幸、柳楽 崇、山口 晴央、西田 武弘、小野 健一、竹見 政義 （三菱電機）
14:15～14:50 【招待講演】 InP光集積プロセス技術
米田 昌博 (住友電気工業)
14:50～15:25 【招待講演】 シリコン基板上InGaAsマイクロディスクのヘテロエピタキシャル成長とデバイス応用の検討
杉山 正和 (東京大学)
15:25～15:45 休憩
15:45～16:20 【招待講演】 石英系PLCと半導体のヘテロジニアス集積技術
倉田 優生 (NTTフォト二クス研究所)
16:20～16:55 【招待講演】 光インタコネクト用光モジュール実装技術
八木澤 孝俊、白石 崇、菅原 茉莉子、田中 一弘 (富士通研究所)
16:55～17:30 【招待講演】 光集積デバイス用パッシブ実装技術
栗原 充 (NEC 生産本部)
17:30～17:35 閉会の辞
17:40～ フリーディスカッション
【講演に関する問合せ先】〔第4回研究会担当委員〕
石村栄太郎 (三菱電機)
Tel：046-291-3276
E-mail: Ishimura.Eitaro@da.MitsubishiElectric.co.jp
【その他の研究会一般に関する問合せ先】〔幹事〕
向原智一（古河電気工業）
Tel：0436-42-1771
E-mail: tmuka@yokoken.furukawa.co.jp山下兼一（京都工芸繊維大学）
Tel：075-724-7423
E-mail: yamasita@kit.ac.jp