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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

日時 2015年12月21日(月) 13:00 - 18:10
2015年12月22日(火) 09:00 - 15:40
議題 ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
会場名 東北大学電気通信研究所片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 
住所 〒980-8577 宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
交通案内 JR仙台駅徒歩約20分
http://www.riec.tohoku.ac.jp/access/
会場世話人
連絡先
東北大学電気通信研究所 尾辻泰一 教授
他の共催 ◆電子情報通信学会テラヘルツ応用システム研究会協賛
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月21日(月) 午後 
13:00 - 18:10
  13:00-13:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 13:05-13:45 [招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計 ED2015-91 原 紳介NICT)・片山光亮高野恭弥広島大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICT)・吉田 毅天川修平藤島 実広島大
(2) 13:45-14:10 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ED2015-92 遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICT
(3) 14:10-14:35 GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析 ED2015-93 藤田尚成小野孝介須原理彦首都大東京)・高橋 剛富士通研
(4) 14:35-15:00 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 ED2015-94 高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研
(5) 15:00-15:25 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ED2015-95 玉虫 元菅原健太佐藤 昭田島圭一郎吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(6) 15:40-16:05 GaN系未開拓波長QCLの進展 ED2015-96 寺嶋 亘平山秀樹理研
(7) 16:05-16:30 The improvement of output power characteristics of THz QCLs in 77 K Dewar condenser ED2015-97 Tsung-Tse LinWataru TerashimaHideki HirayamaRIKEN
(8) 16:30-16:55 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 ED2015-98 鈴木康平佐藤陽平前田健作小山 裕東北大
(9) 16:55-17:20 光注入型THzパラメトリック発生器の周波数可変上限の拡大 ED2015-99 村手宏輔今山和樹名大)・林 伸一郎理研/名大)・川瀬晃道名大/理研
(10) 17:20-17:45 高出力周波数可変サブテラヘルツ波発生のための非線形波長変換技術 ED2015-100 時実 悠縄田耕二韓 正利小山美緒野竹孝志瀧田佑馬南出泰亜理研
(11) 17:45-18:10 非線形波長変換を利用した高輝度サブテラヘルツ光の発生 ED2015-101 林 伸一郎理研/名大)・縄田耕二瀧田佑馬理研)・川瀬晃道名大/理研)・南出泰亜理研
  18:30-20:00 懇親会 ( 90分 )
12月22日(火) 午前 
09:00 - 12:00
(12) 09:00-09:40 [招待講演]境界・遷移領域としてのテラヘルツ ~ テラヘルツ技術の更なる発展のために ~ ED2015-102 水野皓司東北大
(13) 09:40-10:05 超高速超広帯域 光励起テラヘルツプローブ分光法によるグラフェン光伝導機構の解明 池田 翔東北大)・山下将嗣大谷知行理研
(14) 10:05-10:30 Terahertz Emission and Detection from Double Graphene Layer Heterostructures ED2015-103 Deepika YadavStephane Boubanga TombetStevanus ArnoldTakayuki WatanabeRIEC Tohoku Univ.)・Victor RyzhiiInst. of Ultra High Freq. Semicond. Elect. Russia)・Taiichi OtsujiRIEC Tohoku Univ.
  10:30-10:45 休憩 ( 15分 )
(15) 10:45-11:10 光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答 ED2015-104 宮島卓也板津太郎北大)・杉目恒志ケンブリッジ大)・ステファヌス アルノード尾辻泰一東北大)・佐野栄一北大
(16) 11:10-11:35 高密度テラヘルツ波励起メタマテリアルによる微量液体の測定 ED2015-105 松田栄輝芹田和則岡田航介村上博成川山 巌斗内政吉阪大
(17) 11:35-12:00 レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 ED2015-106 酒井裕司川山 巌阪大)・中西英俊SCREEN)・斗内政吉阪大
  12:00-13:00 昼食休憩 ( 60分 )
12月22日(火) 午後 
13:00 - 15:40
(18) 13:00-13:25 テラヘルツ分光イメージングによる非破壊・非接触検査技術の応用 ED2015-107 木村 隆中里祐輔前田健作小山 裕東北大
(19) 13:25-13:50 時間領域分光法によるテラヘルツ波中空ファイバの伝搬モード解析 ED2015-108 伊藤公聖片桐崇史松浦祐司東北大
(20) 13:50-14:30 [招待講演]ミリ波帯およびテラヘルツ帯トランシーバにおけるCMOS回路応用 ED2015-109 水野紘一阿部敬之佐藤潤二滝波浩二高橋和晃パナソニック
(21) 14:30-15:10 [招待講演]0.1/0.3THz帯電力モジュールの開発 ED2015-110 増田則夫吉田 満藤下祐亮小林潤一NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史NICT
(22) 15:10-15:35 近距離テラヘルツ無線通信における軸ずれの検討 ~ 光無線との比較 ~ ED2015-111 犬伏祐樹扇本一輝阪大)・桑野 茂寺田 純NTT)・永妻忠夫阪大
  15:35-15:40 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E--mail: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E--mail : sijaist 


Last modified: 2015-10-20 15:05:41


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