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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大), 小野 行徳 (NTT)

日時 2010年 2月22日(月) 13:00 - 16:55
2010年 2月23日(火) 09:30 - 12:50
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 沖縄県青年会館 
住所 〒900-0033 那覇市久米2-15-23
交通案内 モノレール 旭橋下車徒歩5分 または 那覇空港よりタクシー10分
http://www.okinawakenseinenkaikan.or.jp/new/page.php?7
会場世話人
連絡先
琉球大学 工学部 野口隆
098-864-1780

2月22日(月) 午後  ナノ機能性1
13:00 - 14:40
(1) 13:00-13:25 Si中のP原子核スピン配列に基づくニューロ様断熱的量子計算について 金城光永琉球大)・佐藤茂雄東北大
(2) 13:25-13:50 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 池田浩也ファイズ サレ静岡大
(3) 13:50-14:15 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 袴田靖文大野恭秀前橋兼三阪大)・葛西誠也北大)・井上恒一松本和彦阪大
(4) 14:15-14:40 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 葛西誠也北大/JST)・白鳥悠太三浦健輔北大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
2月22日(月) 午後  ナノ材料・プロセス
14:50 - 16:55
(5) 14:50-15:15 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 谷川智之本田善央山口雅史名大
(6) 15:15-15:40 SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 岡田竜弥琉球大)・東 清一郎牧原克典広重康夫宮崎誠一広島大
(7) 15:40-16:05 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化 上野俊介友田悠介久米 彌花田道庸滝谷和聡白樫淳一東京農工大
(8) 16:05-16:30 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 滝谷和聡友田悠介渡邉敬登久米 彌上野俊介白樫淳一東京農工大
(9) 16:30-16:55 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 田村伸行菊池健人守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大
2月23日(火) 午前  ナノデバイスと回路応用
09:30 - 11:25
(10) 09:30-10:10 [招待講演]カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 大野雄高森山直希北村隆光鈴木耕介岸本 茂水谷 孝名大
(11) 10:10-10:35 SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 岸本貴臣大野恭秀前橋兼三井上恒一松本和彦阪大
(12) 10:35-11:00 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作 柴田 啓中田大輔白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JST
(13) 11:00-11:25 GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討 白鳥悠太三浦健輔北大)・葛西誠也北大/JST
  11:25-11:35 休憩 ( 10分 )
2月23日(火) 午後  ナノ機能性2
11:35 - 12:50
(14) 11:35-12:00 Detectors of Terahertz and Infrared Radiation Based on p-i-n Single- and Multiple Graphene Layer Structures Victor RyzhiiMaxim RyzhiiUniv. of Aizu)・Taiichi OtsujiTohoku Univ.)・Vladimir MitinBuffalo Univ.
(15) 12:00-12:25 CNT分散紙の電気的特性 田中 朋佐野栄一北大)・秋山宏介今井将徳特種製紙
(16) 12:25-12:50 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 前橋兼三大堀貴大永曽悟史井上恒一松本和彦阪大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2009-12-15 12:55:22


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