12月12日(月) 午後 電子デバイス研究会（ED)
13:00 - 17:25 |
| (1) |
13:00-13:25 |
GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 |
○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） |
| (2) |
13:25-13:50 |
界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 |
○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 |
○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates |
○Kenji Shiojima・Moe Naganawa（Univ. of Fukui）・Tomoyoshi Mishima（Hosei Univ.） |
| (5) |
14:40-15:05 |
ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 |
○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大） |
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15:05-15:20 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:20-15:45 |
キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 |
○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） |
| (7) |
15:45-16:10 |
プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 |
○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） |
| (8) |
16:10-16:35 |
AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 |
○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
| (9) |
16:35-17:00 |
三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 |
○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
| (10) |
17:00-17:25 |
電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング |
○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） |
12月13日(火) 午前 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE)
座長: 川口真生（パナソニック）
08:40 - 09:55 |
| (11) |
08:40-09:05 |
半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 |
○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） |
| (12) |
09:05-09:30 |
MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 |
○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） |
| (13) |
09:30-09:55 |
m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性 |
○大島一晟（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研） |
| |
09:55-10:05 |
休憩 （ 10分 ） |
12月13日(火) 午前 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE)
座長: 藤原直樹（NTT）
10:05 - 11:45 |
| (14) |
10:05-10:30 |
極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 |
○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） |
| (15) |
10:30-10:55 |
クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 |
○岸元克浩・呉 珮岑・船戸 充・川上養一（京大） |
| (16) |
10:55-11:20 |
紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 |
○美濃卓哉（パナソニック）・平山秀樹（理研）・高野隆好・後藤浩嗣・植田充彦・椿 健治（パナソニック） |
| (17) |
11:20-11:45 |
超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 |
○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
12月13日(火) 午後 電子部品材料研究会（CPM)
13:00 - 15:30 |
| (18) |
13:00-13:25 |
コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 |
○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） |
| (19) |
13:25-13:50 |
室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用 |
○菊地 航・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシル アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） |
| (20) |
13:50-14:15 |
ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究 |
○久保田 繁・原田佳宜（山形大）・須藤健成（早大）・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） |
| (21) |
14:15-14:40 |
室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 |
○今井貴大・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） |
| (22) |
14:40-15:05 |
テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 |
○藤井高志（立命館大/PNP）・達 紘平・荒木 努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島 健（摂南大） |
| (23) |
15:05-15:30 |
sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 |
○赤岩和明・市野邦男（鳥取大）・金子健太郎・藤田静雄（京大） |
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