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★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 野毛 悟 (沼津高専) 副委員長 廣瀬 文彦 (山形大) 幹事 小舘 淳一 (NTT)， 岩田 展幸 (日大) 幹事補佐 坂本 尊 (NTT)， 中村 雄一 (豊橋技科大) ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝) 幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大)， 新井 学 (新日本無線) 幹事補佐 東脇 正高 (NICT)， 大石 敏之 (佐賀大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 野田 進 (京大) 副委員長 山本 剛之 (富士通研) 幹事 藤原 直樹 (NTT)， 片桐 崇史 (東北大) 日時 2016年12月12日(月) 13：00～17：25 2016年12月13日(火) 08：40～15：30 会場 京都大学桂キャンパス 桂ホール（桂ホール： 桂キャンパス Bクラスター 事務棟 1F．http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.html．工学研究科 藤田静雄．075-383-3075） 議題 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 12月12日(月) 午後 電子デバイス研究会（ED) （13：00～17：25） (1) 13:00 - 13:25 GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） (2) 13:25 - 13:50 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） (3) 13:50 - 14:15 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） (4) 14:15 - 14:40 Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates ○Kenji Shiojima・Moe Naganawa（Univ. of Fukui）・Tomoyoshi Mishima（Hosei Univ.） (5) 14:40 - 15:05 ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 15:20 - 15:45 キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） (7) 15:45 - 16:10 プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） (8) 16:10 - 16:35 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） (9) 16:35 - 17:00 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） (10) 17:00 - 17:25 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） 12月13日(火) 午前 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) （08：40～09：55） 座長: 川口真生（パナソニック） (11) 08:40 - 09:05 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） (12) 09:05 - 09:30 MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） (13) 09:30 - 09:55 m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性 ○大島一晟（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 12月13日(火) 午前 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) （10：05～11：45） 座長: 藤原直樹（NTT） (14) 10:05 - 10:30 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） (15) 10:30 - 10:55 クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 ○岸元克浩・呉 珮岑・船戸 充・川上養一（京大） (16) 10:55 - 11:20 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 ○美濃卓哉（パナソニック）・平山秀樹（理研）・高野隆好・後藤浩嗣・植田充彦・椿 健治（パナソニック） (17) 11:20 - 11:45 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） 12月13日(火) 午後 電子部品材料研究会（CPM) （13：00～15：30） (18) 13:00 - 13:25 コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） (19) 13:25 - 13:50 室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用 ○菊地 航・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシル アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） (20) 13:50 - 14:15 ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究 ○久保田 繁・原田佳宜（山形大）・須藤健成（早大）・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） (21) 14:15 - 14:40 室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 ○今井貴大・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） (22) 14:40 - 15:05 テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ○藤井高志（立命館大/PNP）・達 紘平・荒木 努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島 健（摂南大） (23) 15:05 - 15:30 sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 ○赤岩和明・市野邦男（鳥取大）・金子健太郎・藤田静雄（京大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆京都大学大学院工学研究科共催 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2017年1月30日(月)～31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ：回路・デバイス・境界領域技術 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月19日(月)～20日(火) 東北大通研ナノ・スピン棟 [10月28日(金)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2017年1月26日(木)～27日(金) 機械振興会館地下2階1号室 [11月16日(水)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 2017年1月30日(月)～31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ：回路・デバイス・境界領域技術 2017年2月24日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月16日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-mail： k-      fp   c 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E-mail :  si  jaist ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月16日(金) (予定) 機械振興会館 [10月13日(木)] テーマ：半導体レーザ関連技術，及び一般 2017年1月18日(水)～19日(木)<br> (開催日変更) 伊勢市観光文化会館 [11月14日(月)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 【問合先】 藤原 直樹（日本電信電話株式会社） TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345 E-mail:     o    片桐 崇史（東北大学大学院） TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106 E-mail:  gi ecei  ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2016-11-24 11:41:06 |
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