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１日目のセッション終了後に懇親会を開催いたします． ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 浅野 種正 副委員長 杉井 寿博 幹事 大野 守史， 川中 繁 幹事補佐 松井 裕一 日時 2007年 6月 7日(木) 13：30～17：10 2007年 6月 8日(金) 09：00～15：55 会場 広島大学 東広島キャンパス 学士会館２階ホール（東広島市鏡山1丁目2－2．JR西条駅から広島大行きバス15分 「広大中央口」下車 徒歩10分、キャンパスMAP：http://www.hiroshima-u.ac.jp/add_html/access/ja/saijyo2.html．東広島キャンパスへのアクセス：http://www.hiroshima-u.ac.jp/category_view.php?folder_name=access&lang=ja．広島大学 大学院先端物質科学研究科 宮崎誠一．082-424-7656） 議題 ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） 6月7日(木) 午後 （13：30～17：10） (1) 13:30 - 13:55 MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 ○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大） (2) 13:55 - 14:20 Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 ○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立） (3) 14:20 - 14:45 窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用 ○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ） (4) 14:45 - 15:10 プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (5) 15:30 - 15:55 SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 ○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大） (6) 15:55 - 16:20 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価 ○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大） (7) 16:20 - 16:45 B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 ○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） (8) 16:45 - 17:10 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− −−− 懇親会 （ 90分 ） −−− 6月8日(金) 午前 （09：00～15：55） (9) 09:00 - 09:25 プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） (10) 09:25 - 09:50 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ○寺井真之・藤枝信次（NEC） (11) 09:50 - 10:15 SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング ○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 10:30 - 10:55 HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） (13) 10:55 - 11:20 LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 ○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝） (14) 11:20 - 11:45 ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (15) 12:45 - 13:10 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 ○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝） (16) 13:10 - 13:35 スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 ○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック） (17) 13:35 - 14:00 Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (18) 14:15 - 14:40 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） (19) 14:40 - 15:05 ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） (20) 15:05 - 15:30 Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 ○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） (21) 15:30 - 15:55 Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 ○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催 ◎初日の研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月25日(月)～27日(水) Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 [4月12日(木)] テーマ：第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ 8月23日(木)～24日(金) 北見工業大学 [6月18日(月)] テーマ：VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力） 【問合先】 西岡泰城（日本大学理工学部 精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-mail:     e   t n-u ,a  cmsk  Last modified: 2007-04-25 12:03:57 |
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