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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　津田邦男 (東芝)　　副委員長　須原理彦 (首都大)
幹事　新井学 (新日本無線)，東脇正高 (NICT)
幹事補佐　大石敏之 (佐賀大)，岩田達哉 (豊橋技科大)

日時　2017年12月18日(月)　12：55～17：35
　　　2017年12月19日(火)　09：00～16：05

会場東北大学電気通信研究所片平北キャンパスナノ・スピン総合研究棟4階カンファレンスルーム（東北大通研尾辻泰一教授）

議題ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム

12月18日(月) 午後（12：55～17：35）

−−−　開会の挨拶　（ 5分）　−−−

(1) 13:00 - 13:40
［招待講演］コヒーレントテラヘルツ波発生に向けた半導体光集積デバイス技術
○加藤和利（九大）

(2) 13:40 - 14:05
THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長
○佐藤陽平・唐　超・田邉匡生・小山　裕（東北大）

(3) 14:05 - 14:30
Low temperature liquid phase growth of 2D layered semiconductor InSe crystal
○Chao Tang・Yohei Sato・Tadao Tanabe・Yutaka Oyama（Tohoku Univ.）

(4) 14:30 - 14:55
摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成
伊藤孝郁・○田邉匡生・松永晃典・小山　裕（東北大）

−−−　休憩　（ 20分）　−−−

(5) 15:15 - 15:55
［招待講演］共鳴トンネル発振器の安定性改善とセンサ応用
○前澤宏一（富山大）

(6) 15:55 - 16:20
塗膜鋼板表面腐食生成物に対するテラヘルツ分光分析
○長谷川　涼・田邉匡生・小山　裕（東北大）

(7) 16:20 - 16:45
バイオ応用に向けた反射型レーザー走査近接場テラヘルツ分光・イメージングシステムの開発
○岡田航介・芹田和則・川山　巌・村上博成・斗内政吉（阪大）

(8) 16:45 - 17:10
テラヘルツ波の社会インフラ健全度診断応用
○黒尾健太・金井智哉・田邉匡生・小山　裕（東北大）

(9) 17:10 - 17:35
光誘起キャリヤによるテラヘルツ導波路内変調に関する基礎検討
○島貫泰斗（慶大）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・田中敏幸・門内靖明（慶大）

−−−　懇親会　（ 90分）　−−−

12月19日(火) 午前（09：00～16：05）

(10) 09:00 - 09:40
［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発
○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡　直希・竹内　淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤　聡・原　紳介・笠松章史（NICT）

(11) 09:40 - 10:05
InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
○遠藤　聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）

(12) 10:05 - 10:30
InP-HEMTによる光－ミリ波帯キャリア周波数下方変換
○大森雄也・細谷友崇・尾辻泰一・岩月勝美・末光哲也（東北大）・日隈　薫・市川潤一郎（住友大阪セメント）・坂本高秀・山本直克（NICT）・佐藤　昭（東北大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(13) 10:45 - 11:10
チェレンコフ位相整合方式を利用した非線形光学結晶からのテラヘルツ波発生
○竹家　啓（名大）・内田裕久（アークレイ）・太田健吾・興村晃太朗・川瀬晃道（名大）

(14) 11:10 - 11:35
サブテラヘルツ波光源による液体試料の反射測定
○鳥居輝明・田邉匡生・小山　裕（東北大）

(15) 11:35 - 12:00
コヒーレントテラヘルツ光源を用いる繊維構造評価
○弓達慎太郎・田邉匡生・小山　裕（東北大）

−−−　昼食　（ 90分）　−−−

(16) 13:30 - 13:55
中空光ファイバガスセルを用いたテラヘルツガス分光分析
○鈴木貴敬・片桐崇史・松浦祐司（東北大）

(17) 13:55 - 14:20
円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
○鈴木左文・堀川大輔・陳　雲超・小池拓哉・浅田雅洋（東工大）

(18) 14:20 - 14:45
Terahertz emission from a well-aligned, chirality-enriched (6,5) carbon nanotube film
○Filchito Renee Bagsican・Iwao Kawayama（Osaka Univ.）・Weilu Gao・Natsumi Komatsu（Rice Univ.）・Hironaru Murakami（Osaka Univ.）・Frank A. Hegmann（Univ. of Alberta）・Junichiro Kono（Rice Univ.）・Masayoshi Tonouchi（Osaka Univ.）

(19) 14:45 - 15:10
Simulation on the optical gain of GaN-based THz-QCLs
○Yun Joosun・Wang Ke・Hideki Hirayama（RIKEN）

(20) 15:10 - 15:35
デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性
○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフディピカ・込山貴大・布施吉貴（東北大）・リジーマキシム（会津大）・リジーヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大）

(21) 15:35 - 16:00
高速THz波帯誘電率測定システム
○徐　照男・濱田裕史・松崎秀昭・野坂秀之（NTT）

−−−　閉会の挨拶　（ 5分）　−−−

招待講演：発表 35 分＋質疑応答 5 分
一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

2018年1月25日(木)～26日(金)　機械振興会館地下3階研修2号室　[11月17日(金)]　テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般
2018年2月28日(水) (開催日変更)　北海道大学百年記念会館　[12月20日(水)]　テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術
2018年3月8日(木)　東レ総合研修センター　[1月19日(金)]　テーマ：回路デバイス境界技術領域合同研究会

【問合先】
新井学（新日本無線（株）)
TEL：049-278-1441 Fax :049-278-1269
E-mail：