3月6日(金) 午後 一般講演 セッション 1
座長: 舟木剛（大阪大）
13:00 - 14:45 |
| |
13:00-13:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
30MHz以下における電波暗室特性への電波吸収体構造の影響に関する一考察 |
○吉田秀樹（本田技研）・石居正典（産総研）・藤井勝巳（NICT）・檀上靖之（本田技研） |
| (2) |
13:30-13:55 |
アルミナ溶射によるミリ波帯用電波吸収体に関する基礎検討 |
○小杉直輝・須賀良介（青学大）・前田益利・宇野 誠（ウイセラ）・水野宏昭（フジミインコーポレーテッド）・橋本 修（青学大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
近傍電磁界用キャップ型電波吸収体の吸収量推定精度の改善に関する解析的検討 |
○川崎友也・須賀良介（青学大）・前田益利・宇野 誠（ウイセラ）・橋本 修（青学大） |
| (4) |
14:20-14:45 |
PWS法による近傍磁界2方向成分を用いた複素電磁界推定 |
○川口真学・上 芳夫（電通大）・村野公俊（東海大）・肖 鳳超（電通大） |
| |
14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
3月6日(金) 午後 一般講演 セッション 2
座長: 青柳貴洋（東工大）
14:55 - 16:35 |
| (5) |
14:55-15:20 |
携帯電話端末から発生する低周波磁界により生じる頭部の誘導電界・電流の検討 |
○市川弘樹・鈴木敬久・多氣昌生（首都大東京）・和氣加奈子・長岡智明（NICT） |
| (6) |
15:20-15:45 |
基板表層の抵抗と板金カバーによる空間高アイソレーション化手法 |
○森本康夫・湯浅 健（三菱電機）・前田憲司・竹内紀雄（三菱電機エンジニアリング）・田原志浩（三菱電機） |
| (7) |
15:45-16:10 |
オンボード・ノイズ対策によるICチップレベルのノイズ低減効果 ～ LTE級移動体通信用ICを例題として ～ |
○上坂純平・島崎俊介・三浦典之（神戸大）・室賀 翔・田中 聡・山口正洋（東北大）・永田 真（神戸大） |
| (8) |
16:10-16:35 |
フライバックコンバータトランスの高周波モデル化によるリンギング現象の模擬に関する一検討 |
井渕貴章・○杉木勝哉・舟木 剛（阪大） |
| |
16:35-16:45 |
休憩 （ 10分 ） |
3月6日(金) 午後 特別講演
16:45 - 17:40 |
| (9) |
16:45-17:35 |
［特別講演］情報通信機器関連EMC規格の制定・改訂に関わる検討経緯について |
○雨宮不二雄（NTT-AT） |
| |
17:35-17:40 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
