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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター) 副委員長 大野 裕三 (筑波大) 幹事 野村 晋太郎 (筑波大)， 笹子 佳孝 (日立) 日時 2012年10月25日(木) 15：20～17：00 2012年10月26日(金) 09：30～14：15 会場 東北大学未来情報産業研究館5F（〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館．http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html．東北大学 後藤哲也．022-795-3977） 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月25日(木) 午後 （15：20～17：00） (1) 15:20 - 15:45 SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大） (2) 15:45 - 16:10 AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 ○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大） (3) 16:10 - 16:35 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） (4) 16:35 - 17:00 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 ○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一（京大） −−− 休憩 （ 30分 ） −−− −−− 懇親会 （ 120分 ） −−− 10月26日(金) 午前 （09：30～14：15） (5) 09:30 - 09:55 Noise Performance of Accumulation MOSFETs ○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） (6) 09:55 - 10:20 PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス ○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） (7) 10:20 - 11:50 ［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 ○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (8) 13:00 - 13:25 Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator ○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） (9) 13:25 - 13:50 Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） (10) 13:50 - 14:15 シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 ○酒井 健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 特別講演：発表 80 分 ＋ 質疑応答 10 分 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月15日(木)～16日(金) 機械振興会館 [9月7日(金)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 12月7日(金) 京都大学(桂) [10月15日(月)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2012-08-17 13:51:30 |
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