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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 加地 徹 (豊田中研) 副委員長 原 直紀 (富士通研) 幹事 須原 理彦 (首都大東京)， 上田 哲三 (パナソニック) 幹事補佐 葛西 誠也 (北大)， 松永 高治 (NEC) ★マイクロ波研究会（MW） 専門委員長 大平 孝 (豊橋技科大) 副委員長 黒木 太司 (呉高専)， 中津川 征士 (NTT)， 川上 憲司 (三菱電機) 幹事 加屋野 博幸 (東芝)， 河合 正 (兵庫県立大) 幹事補佐 鴨田 浩和 (ATR)， 清水 隆志 (宇都宮大) 日時 2013年 1月17日(木) 14：30～17：15 2013年 1月18日(金) 10：00～15：45 会場 機械振興会館（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線：神谷町駅下車徒歩10分，JR：浜松町駅下車徒歩20分，都営地下鉄三田線：御成門駅・大江戸線：赤羽橋駅下車徒歩10分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html．03-3433-6691） 議題 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 1月17日(木) 午後 （14：30～17：15） (1) 14:30 - 14:55 94GHz帯NRDガイドの設計 ○黒木太司・井上晋吾・森田智紀・久保遥平（呉高専） (2) 14:55 - 15:20 放送、通信用の電波を対象とした電磁波エネルギー回収の回路検討 ○北沢祥一・鴨田浩和・花澤理宏・阿野 進・伴 弘司・小林 聖（ATR） (3) 15:20 - 15:45 FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定 ○南 昂孝・崎原孫周・ウリン トヤ・上原秀幸・大平 孝（豊橋技科大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (4) 16:00 - 16:25 Double-layer Corporate-feed Hollow-waveguide Slot Array Antenna and Its Data Transmission Test Results in millimeter wave band ○Dongjin Kim・Jiro Hirokawa・Makoto Ando（Tokyo Institute of Tech.）・Jun Takeuchi・Akihiko Hirata（NTT）・Tadao Nagatsuma（Osaka Univ.） (5) 16:25 - 16:50 120GHz帯20Gb/s QPSK送信／受信モジュール ○高橋宏行・小杉敏彦・枚田明彦・竹内 淳・村田浩一・久々津直哉（NTT） (6) 16:50 - 17:15 120GHz帯無線の気象条件に起因する減衰変化速度の評価 ○枚田明彦・竹内 淳・高橋宏行・久々津直哉（NTT） 1月18日(金) 午前 （10：00～15：45） (7) 10:00 - 10:25 Low-loss On Chip CMOS Patterned Ground Coplanar Waveguide Transmission Line for Millimeter-wave Technology ○Dayang Azra Binti Awang Mat・Ramesh K. Pokharel・Rohana Sapawi・Haruichi Kanaya・Keiji Yoshida（Kyushu Univ.） (8) 10:25 - 10:50 ハーフモードグルーブガイドを用いた無線電力伝送用0dBカプラの検討 ○森 星弥・岸原充佳・大久保賢祐・滝本裕則（岡山県立大）・太田 勲（兵庫県立大） (9) 10:50 - 11:15 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦（住友電工デバイスイノベーション） (10) 11:15 - 11:40 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） −−− 昼食 （ 80分 ） −−− (11) 13:00 - 13:25 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） (12) 13:25 - 13:50 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重（芝浦工大） (13) 13:50 - 14:15 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (14) 14:30 - 14:55 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） (15) 14:55 - 15:20 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） (16) 15:20 - 15:45 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT ○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也（東北大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月27日(水)～28日(木) 北海道大学（百年記念会館） [12月7日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月18日(木)～19日(金) 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム [2月16日(土)] テーマ：有機デバイス・酸化物デバイス・一般 【問合先】 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :          t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：     zo pa   c ☆MW研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月 休会 3月6日(水)～8日(金) 広島大学 [1月14日(月)] テーマ：マイクロ波一般 4月19日(金) 機械振興会館 [2月8日(金)] テーマ：マイクロ波超伝導，マイクロ波一般 【問合先】 鴨田 浩和 (ATR) TEL:0774-95-1541 FAX:0774-95-1508 E-mail:   atrもしくは 加屋野 博幸（東芝） TEL: 044-549-2110 FAX: 044-520-1801 E-mail:        ba Last modified: 2012-11-27 08:54:47 |
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