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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大) 日時 2017年 6月20日(火) 13：00～17：10 会場 キャンパス・イノベーションセンター東京（〒108-0023 東京都港区芝浦３－３－６．http://www.cictokyo.jp/access.html） 議題 MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月20日(火) 午後 （13：00～17：10） (1) 13:00 - 13:20 ［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 ○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大） (2) 13:20 - 13:40 ［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～ ○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） (3) 13:40 - 14:00 ［依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究 ○山田祐樹・檜山 聡（NTTドコモ）・田畑 仁（東大） (4) 14:00 - 14:20 ［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 ○岩崎孝之・波多野睦子（東工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 14:35 - 14:55 XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 ○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） (6) 14:55 - 15:15 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 ○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） (7) 15:15 - 15:35 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 ○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大） (8) 15:35 - 15:55 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 ○川那子高暢・居駒 遼・高木寛之・小田俊理（東工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (9) 16:10 - 16:30 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 ○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） (10) 16:30 - 16:50 Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 ○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） (11) 16:50 - 17:10 エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 7月31日(月)～8月2日(水) 北海道大学情報教育館 [6月8日(木)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2017-04-19 17:20:55 |
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