6月20日(火) 午後
13:00 - 17:10 |
| (1) |
13:00-13:20 |
［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 |
○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大） |
| (2) |
13:20-13:40 |
［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～ |
○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） |
| (3) |
13:40-14:00 |
［依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究 |
○山田祐樹・檜山 聡（NTTドコモ）・田畑 仁（東大） |
| (4) |
14:00-14:20 |
［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 |
○岩崎孝之・波多野睦子（東工大） |
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14:20-14:35 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
14:35-14:55 |
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 |
○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
| (6) |
14:55-15:15 |
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 |
○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
| (7) |
15:15-15:35 |
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 |
○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大） |
| (8) |
15:35-15:55 |
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 |
○川那子高暢・居駒 遼・高木寛之・小田俊理（東工大） |
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15:55-16:10 |
休憩 （ 15分 ） |
| (9) |
16:10-16:30 |
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 |
○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） |
| (10) |
16:30-16:50 |
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 |
○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (11) |
16:50-17:10 |
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 |
○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
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