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研究会終了後に懇親会を開催いたします．

★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　遠藤哲郎 (東北大)
副委員長　奈良安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事　小野行徳 (NTT)，大西克典 (九工大)
幹事補佐　野村晋太郎 (筑波大)

日時　2010年 6月22日(火)　09：30～17：30

会場東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室（An401・402（〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1．東北沢駅より徒歩７分, 駒場東大前駅より徒歩１０分または代々木上原駅より徒歩１２分．http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html．東京大学生産技術研究所藤岡洋．03-5452-6342）

議題ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催）

6月22日(火) 午前（09：30～12：25）

(1) 09:30 - 09:55
SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル～バリステイックおよび準バリステイック輸送～
○名取研二（東工大）

(2) 09:55 - 10:20
原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発
○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研）

(3) 10:20 - 10:45
キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析
○佐藤創志・角嶋邦之・パールハットアヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井　洋（東工大）・山田啓作（早大）

(4) 10:45 - 11:10
SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討
○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハットアヘメト・筒井一生・西山　彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井　洋（東工大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(5) 11:25 - 11:45
金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調：第一原理計算による化学的傾向の検討
○小日向恭祐・丸田勇亮・中山隆史（千葉大）

(6) 11:45 - 12:05
Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価
○藤岡知宏・板東竜也・大田晃生・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(7) 12:05 - 12:25
分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討
○DongHun Lee・金島　岳・奥山雅則（阪大）

−−−　昼食　（ 60分）　−−−

6月22日(火) 午後（13：25～17：30）

(8) 13:25 - 13:45
原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性
○古田和也・竹内和歌奈・坂下満男・近藤博基・中塚　理・財満鎭明（名大）

(9) 13:45 - 14:10
EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討
○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山　彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井　洋（東工大）

(10) 14:10 - 14:35
High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田　永・福原　昇・秦　雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中　充・高木信一（東大）

(11) 14:35 - 15:00
GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御
○喜多浩之（東大/JST）・王　盛凱・李　忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海　明（東大/JST）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(12) 15:15 - 15:35
作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内　健（東大）

(13) 15:35 - 15:55
一層型SGT、積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討
○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大）

(14) 15:55 - 16:15
ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(15) 16:30 - 16:50
銅酸化物超伝導体を用いたReRAMの研究～ペロブスカイト型ReRAMの動作解明～
○松原勝彦・木下健太郎・花田明紘・岸田　悟（鳥取大）

(16) 16:50 - 17:10
TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響
○大田晃生・後藤優太・モハマドファイルズカマルザン・尉　国浜・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(17) 17:10 - 17:30
フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用～金属ナノ粒子による伝導パスの制御～
上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST）

−−−　懇親会　（ 90分）　−−−

一般講演（(5)-(8)(12)-(17)）：発表 15 分＋質疑応答 5 分
招待講演（(1)-(4)(9)-(11)）：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催

◎今回は、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する第125回研究集会
「ゲートスタック技術の進展－新構造・新材料を中心に」
との合同開催です。
研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．
本研究会に関するお問い合わせ先：宮崎誠一（名古屋大学：miyazaki@nuee.nagoya-u.ac.jp)

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

6月30日(水)～7月2日(金)　東工大大岡山キャンパス　[4月15日(木)]　テーマ：第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010)
8月26日(木)～27日(金)　札幌エルプラザ内男女共同参画センター　[6月9日(水)]　テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
安斎久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-mail: Hi