11月26日(木) 午前
座長: 橋本玲 (東芝セミコンダクタ―)
10:30 - 12:10 |
| (1) |
10:30-10:55 |
RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 |
○荒木 努・武馬 輝・増田 直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA） |
| (2) |
10:55-11:20 |
微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール |
○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） |
| (3) |
11:20-11:45 |
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 |
○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎 勇（名城大）・天野 浩（名大） |
| (4) |
11:45-12:10 |
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 |
○小島一信（東北大）・塚田悠介（三菱化学）・古川えりか・斉藤 真（東北大）・三川 豊・久保秀一・池田宏隆・藤戸健史（三菱化学）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大） |
| |
12:10-13:10 |
休憩 （ 60分 ） |
11月26日(木) 午後
座長: 鈴木寿一 (北陸先端大)
13:10 - 14:50 |
| (5) |
13:10-13:35 |
ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 |
○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） |
| (6) |
13:35-14:00 |
ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 |
○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大） |
| (7) |
14:00-14:25 |
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 |
○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） |
| (8) |
14:25-14:50 |
1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 |
○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） |
| |
14:50-15:05 |
休憩 （ 15分 ） |
11月26日(木) 午後
座長: 藤原直樹 (NTT)
15:05 - 16:20 |
| (9) |
15:05-15:30 |
［招待講演］AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 |
○秩父重英（東北大）・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (10) |
15:30-15:55 |
光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 |
○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大） |
| (11) |
15:55-16:20 |
光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 |
○中納 隆・河上航平・山口敦史（金沢工大） |
| |
16:20-16:30 |
休憩 （ 10分 ） |
11月26日(木) 午後
座長: 梅沢俊匡 (NICT)
16:30 - 17:20 |
| (12) |
16:30-16:55 |
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 |
○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大） |
| (13) |
16:55-17:20 |
アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 |
○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大） |
11月27日(金) 午前
座長: 重川直輝 (大阪市大)
10:00 - 12:05 |
| (14) |
10:00-10:25 |
伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 |
○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
| (15) |
10:25-10:50 |
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source |
○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ） |
| (16) |
10:50-11:15 |
Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate |
○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT） |
| (17) |
11:15-11:40 |
ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 |
○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大） |
| (18) |
11:40-12:05 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 |
○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） |
| |
12:05-13:05 |
休憩 （ 60分 ） |
11月27日(金) 午後
座長: 川口真生 (パナソニック)
13:05 - 14:20 |
| (19) |
13:05-13:30 |
GaN系THz-QCLの最近の進展 |
○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） |
| (20) |
13:30-13:55 |
無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 |
○定 昌史・平山秀樹（理研） |
| (21) |
13:55-14:20 |
m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性 |
○大島一晟（埼玉大/理研）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研） |
| |
14:20-14:35 |
休憩 （ 15分 ） |
11月27日(金) 午後
座長: 津田邦男 (東芝)
14:35 - 16:15 |
| (22) |
14:35-15:00 |
表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 |
○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大） |
| (23) |
15:00-15:25 |
スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 |
○野中翔一郎・古川昭雄（東京理科大）・牧田紀久夫・水野英範・菅谷武芳・仁木 栄（産総研） |
| (24) |
15:25-15:50 |
GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 |
○柴 麗・梁 剣波・重川直輝（阪市大） |
| (25) |
15:50-16:15 |
表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 |
○林 朋宏・梁 剣波（阪市大）・新井 学（新日本無線）・重川直輝（阪市大） |
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