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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 橋詰 保 (北大) 副委員長 加地 徹 (豊田中研) 幹事 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝) 幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京)， 上田 哲三 (パナソニック) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 大西 克典 (九工大) 幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大) 日時 2011年 2月23日(水) 13：30～17：20 2011年 2月24日(木) 09：30～12：25 会場 北海道大学 百年記念会館（〒060-0808 札幌市北区北８条西５丁目．JR札幌駅から徒歩１５分．http://www.hokudai.ac.jp/bureau/map/guidemap.pdf．大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 葛西誠也．011-706-6509） 議題 機能ナノデバイス及び関連技術 2月23日(水) 午後 （13：30～17：20） (1) 13:30 - 14:10 ［招待講演］シリサイド系太陽電池及びスピントロニクスを目指して ○末益 崇（筑波大/JST）・齋藤隆允・岡田淳史・藤 克昭・M. Ajmal Khan・Du Weijie・眞壁健司・伊藤啓太・原田一範（筑波大）・宇佐美徳隆（東北大/JST） (2) 14:10 - 14:35 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） (3) 14:35 - 15:00 Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価 ファイズ サレ・○池田浩也（静岡大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (4) 15:15 - 15:40 分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーション法を用いた室温動作可能なプレナー型強磁性トンネル接合素子の作製 ○安武龍太朗・渡邉敬登・上野俊介・北川 潤・白樫淳一（東京農工大） (5) 15:40 - 16:05 マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用 ○根尾陽一郎・高木康男・藤野高弘・小池昭史（静岡大）・長尾昌善・吉田知也・西 孝（産総研）・村田英一・酒井健太郎（名城大）・青木 徹・三村秀典（静岡大） (6) 16:05 - 16:30 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） (7) 16:30 - 16:55 FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 ○坂井秀男（慶大）・大内真一・松川 貴・遠藤和彦・柳 永勲・塚田順一・石川由紀・中川 格・関川敏弘・小池帆平・坂本邦博・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大） (8) 16:55 - 17:20 SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 ○菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） 2月24日(木) 午前 （09：30～12：25） (9) 09:30 - 09:55 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討 ○中野雄紀・三浦健輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST） (10) 09:55 - 10:20 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅 ○前澤宏一・笠原康司・潘 杰・森 雅之（富山大） (11) 10:20 - 10:45 Single-Electron Transfer between Two Donors in Thin Nanoscale Silicon Transistors ○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Juli Cha Tarido・Sakito Miki・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） (12) 10:45 - 11:10 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） (13) 11:10 - 11:35 Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） (14) 11:35 - 12:00 単一電子を利用した確率共鳴 ○西口克彦・藤原 聡（NTT） (15) 12:00 - 12:25 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔・中野雄紀（北大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎23日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 3月7日(月) 首都大 秋葉原 テーマ：ナノチューブ／グラフェンエレクトロニクス ： 成長からデバイス応用まで 4月18日(月) 東北大学 電気通信研究所 [2月21日(月)] テーマ：TFT（有機，酸化物），一般 5月19日(木)～20日(金) 名古屋大学 ＶＢＬ [3月24日(木)] テーマ：結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 【問合先】 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :     o       津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：   zopa c☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 4月15日(金) (予定) 産総研九州センター [2月23日(水)] テーマ：薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 5月19日(木)～20日(金) 名古屋大学 ＶＢＬ [3月24日(木)] テーマ：結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax046-240-4317 E-mail: ono＠aecl.ntt.co.jp Last modified: 2010-12-14 14:57:50 |
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