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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　加地徹 (豊田中研)　　副委員長　原直紀 (富士通研)
幹事　須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)
幹事補佐　葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)

★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　奈良安雄 (富士通セミコンダクター)　　副委員長　大野裕三 (筑波大)
幹事　野村晋太郎 (筑波大)，笹子佳孝 (日立)

日時　2012年 6月27日(水)　08：40～19：00
　　　2012年 6月28日(木)　08：30～12：00
　　　2012年 6月29日(金)　08：15～12：40

会場沖縄県青年会館（〒900-0033 沖縄県那覇市久米2-15-23．モノレール旭橋駅下車徒歩５分．http://www.okiseikan.or.jp/new/news.php．琉球大学野口隆．098-864-1780）

議題 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ

6月27日(水) 午前 Opening Session （08：40～08：50）

−−−　Opening Address　（ 10分）　−−−

6月27日(水) 午前 Plenary Session （08：50～10：50）

(1) 08:50 - 09:30
［基調講演］TCAD challenges and opportunities for predictive development
Yongwoo Kwon・○Dae Sin Kim・Young-Kwan Park（Samsung Electronics）

(2) 09:30 - 10:10
［基調講演］More-than-Moore Devices based on Advanced CMOS Technologies
○Hitoshi Wakabayashi（Sony）

(3) 10:10 - 10:50
［基調講演］GaNパワーデバイスの最新技術
○上田大助（パナソニック）

−−−　Short Break　（ 10分）　−−−

6月27日(水) 午前 Si-based Power Device Technology （11：00～12：00）

(4) 11:00 - 11:15
Electrical characteristics of IGBT using a field stop trench gate structure
○Ey Goo Kang（Far East Univ.）・Eun Sik Jung（Maplesemiconductor Incorporated）・Yong Tae Kim（KIST）

(5) 11:15 - 11:30
Optimization and characterization of 600V super junction power MOSFET using a deep trench structure
○Yong Tae Kim（KIST）・Eun Sik Jung（Maplesemiconductor Inc.）・Ey Goo Kang（Far East Univ.）

(6) 11:30 - 12:00
［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.）

6月27日(水) 午前 Detectors and Sensors （11：00～12：15）

(7) 11:00 - 11:30
［招待講演］III-nitride-based Visible-blind and Solar-blind Photodetectors
○Hai Lu・Rong Zhang・Youdou Zheng（School of ESE, Nanjing Univ.）

(8) 11:30 - 11:45
The Very Fast Transferred Pixel with a Multi-Pinchoff Photodiode for Wafer-Scale X-Ray Sensor
○Joonghyeok Byeon・Jongmin Kim・Won-Young Jung（Dongbu Hitek）・Ji-Hoon Lim・Jae-Kyung Wee（Soongsil Univ.）

(9) 11:45 - 12:15
［招待講演］Plasmonic Terahertz Wave Detectors Based on Silicon Field-Effect Transistors
○Kyung Rok Kim・Min Woo Ryu・Sunhae Shin・Hee Cheol Hwang・Kibog Park（UNIST）

−−−　Lunch Break　（ 60分）　−−−

6月27日(水) 午後 MOSFETs and Memory Technology （13：15～15：00）

(10) 13:15 - 13:30
Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors
○Sang Wan Kim（Seoul National Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Min-Chul Sun・Hyun Woo Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

(11) 13:30 - 13:45
The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar
○Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）

(12) 13:45 - 14:00
A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET
○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）

(13) 14:00 - 14:15
Effects of Random Dopant Fluctuations on NAND Flash Memory Cells
Jungeun Kang・○Boram Han（Sogang Univ.）・Kyoung-Rok Han・Chung sung Jae・Gyu-Seog Cho・Sung-Kye Park・Seok-Kiu Lee（SK Hynix）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）

(14) 14:15 - 14:30
Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field
○Do-Bin Kim・Yoon Kim・Se Hwan Park・Wandong Kim・Joo Yun Seo・Seung-Hyun Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

(15) 14:30 - 14:45
A Novel CMOS-Based PNP BJT Structure for Analog Applications
○Seon-Man Hwang・Yi-Jung Jung・Hyuk-Min Kwon・Jae-Hyung Jang・Ho-Young Kwak・Sung-Kyu Kwon（Chungnam National Univ.）・Yi-Sun Chung・Da-Soon Lee・Jong-Kon Lee（Magnachip Semiconductor Inc.）・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ.）

(16) 14:45 - 15:00
100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits
○Hidetoshi Utsumi・Ryohei Kasahara・Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月27日(水) 午後 TFT Technology I （15：15～16：45）

(17) 15:15 - 15:30
Field-induced degradation of organic field effect transistors under vacuum condition
Hoonsang Yoon・○Youngjin Kang・Jongsun Choi・Hyungtak Kim（Hongik Univ.）

(18) 15:30 - 15:45
Nonvolatile Memory Thin-Film Transistors Using Solution-Processed Oxide Semiconducting Channel and Ferroelectric Polymer Gate Insulator
Jun-Yong Bak（Kyung Hee Univ.）・Soon-Won Jung・Ho-Jun Ryu・Sang-Hee Ko Park・Chi-Sun Hwang（ETRI）・○Sung-Min Yoon（Kyung Hee Univ.）

(19) 15:45 - 16:00
Influence of co-sputtered HfO2-Ti gate dielectric in IZO-based Transparent thin film transistors
○Jungil Yang・Donghee Lee・Dongkyu Cho・Sanghyun Woo・Yoosung Lim・Sungmin Park・Daekuk Kim・Moonsuk Yi（PNU.）

(20) 16:00 - 16:15
A New RSD Bottom Gate Poly-Si Thin Film Transistor With Inside Spacer
○Yi-Hsiang Chiu・Shan-Jen Yang・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ.）

(21) 16:15 - 16:30
The study on A Novel Asymmetric Poly-Si Thin Film Transistor With Low Drain Electric Field
○Meng-Shan Chi・Tzung-Ju Lin・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ.）

(22) 16:30 - 16:45
Influence of grain size deviation on device characteristics of TFTs and displays for OLED driving
○Katsuya Shirai・Takashi Noguchi（Univ. of the Ryukyus）

−−−　Break　（ 30分）　−−−

6月27日(水) 午後 TFT Technology II （17：15～18：45）

(23) 17:15 - 17:30
Crystallization of a-Si Films with Smooth Surface Using Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing
○Tatsuya Okada・Jean de Dieu Mugiraneza・Katsuya Shirai・Takuma Nishinohara・Tomoyuki Mukae・Keisuke Yagi・Takashi Noguchi（Univ. Ryukyus）

(24) 17:30 - 17:45
Characterization of Optimized Sputtered Poly-Si Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing for High Performance Displays
○Takuma Nishinohara・J. D. Mugiraneza・Katsuya Shirai・Tatsuya Okada・Takashi Noguchi（Univ. of the Ryukyus）

(25) 17:45 - 18:00
Effective Annealing of Si Films as an advanced LTPS
○Takashi Noguchi・Takuma Nishinohara・Jean de Dieu Mugiraneza・Katsuya Shirai・Tatsuya Okada（Univ. Ryukyus）

(26) 18:00 - 18:15
Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor
○Shunki Koyanagi・Shohei Hayashi・Tsubasa Mizuno・Kouhei Sakaike・Hiroaki Hanafusa・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）

(27) 18:15 - 18:30
Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth
○Yuki Tojo・Ryo Matsumura・Hiroyuki Yokoyama・Masashi Kurosawa・Kaoru Toko・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.）

(28) 18:30 - 18:45
Formation of (111)-oriented large-grain Ge crystal on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique
○Jonghyeok Park・Tsuneharu Suzuki・Masanobu Miyao・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）

6月27日(水) 午後 Interconnects and Integration Technologies （13：15～15：00）

(29) 13:15 - 13:30
Loss characteristic of Comb-type Capacitive Transmission Line on MMIC
○Eui-Hoon Jang・Jang-Hyeon Jeong・Sung-Jo Han・Ki-Jun Son・Young Yun（Korea Maritime Univ.）

(30) 13:30 - 13:45
Loss characteristic of Coplanar Waveguide Employing Periodic Structure on RFIC
○Jang-Hyeon Jeong・Eui-Hoon Jang・Sung-Jo Han・Ki-Jun Son・Young Yun（Korea Maritime Univ.）

(31) 13:45 - 14:00
A Simple Dual-Loop Optoelectronic Oscillator with Reduced Spurious Tones Using a Multi-Electrode Semiconductor Laser
○Jun-Hyung Cho・Seo-Weon Heo・Hyuk-Kee Sung（Hongik Univ.）

(32) 14:00 - 14:15
A chip scale wafer level packaging for LED using surface aligning technique.
○Jin Kwan Kim・Hee Chul Lee（KAIST）

(33) 14:15 - 14:30
Stress Measurement Errors induced by the Strain Effects in Resistor-based Stress Sensors on (111) silicon
○Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.）

(34) 14:30 - 14:45
Comparison of thin film properties of WN diffusion barrier prepared by atomic layer deposition using metal organic and metal halide reactant gases
○Yeong Hyeon Hwang（KIST）・Won-Ju Cho（Kwangwoon Univ.）・Yong Tae Kim（KIST）

(35) 14:45 - 15:00
Fabrication of β-FeSi2 thin films on Si using solid-phase growth reaction from Fe and FeSi sources
○Katsuaki Momiyama・Kensaku Kanomata・Takahiko Suzuki・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ.）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月27日(水) 午後 Circuit Technology I （15：15～17：00）

(36) 15:15 - 15:45
［招待講演］CIS in high-end mobile camera
○Kangbong Seo・Kyoungin Lee・Siwook Yoo・Sangdong Yoo・Kyoungdong Yoo（SK Hynix）

(37) 15:45 - 16:15
［招待講演］Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits
○Seiya Kasai（Hokkaido Univ.）・Shaharin Fadzli Abd Rahman（UTM/Hokkaido Univ.）・Masaki Sato・Xiang Yin（Hokkaido Univ.）・Toshihiko Maemoto（Osaka Inst. Tech.）

(38) 16:15 - 16:30
A 140-GHz Fully Differential Common-Source Amplifier in 65nm CMOS
○Hyunchul Kim・Daekeun Yoon・Jae-Sung Rieh（Korea Univ.）

(39) 16:30 - 16:45
An Area-Efficient CMOS Delay-Locked Loop
○Sungkeun Lee・Se-Weon Heo・Jongsun Kim（Hongik Univ.）

(40) 16:45 - 17:00
A Wide Range and High Resolution CMOS DCC
○Sangwoo Han・Jongsun Kim（Hongik Univ.）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月27日(水) 午後 Circuit Technology II （17：15～19：00）

(41) 17:15 - 17:30
A 0.5-V 2.4-GHz CMOS Voltage-Controlled Oscillator for Wireless Sensor Network Application
○Seunghyeon Kim・Hyunchol Shin（Kwangwoon Univ.）

(42) 17:30 - 17:45
A 2.4-GHz CMOS Single-Chip OOK Transceiver for Wireless Sensor Network Applications
○Seunghyeon Kim・Hyun Kim・Hyunchol Shin（Kwangwoon Univ.）

(43) 17:45 - 18:00
The Robust Cgd/Cgs Measurement Method of 85V nLDMOS
○Won-Young Jung・Jin-Soo Kim・Taek-Soo Kim（Dongbu Hitek）

(44) 18:00 - 18:15
Design of Small-Area and High-Reliability 512-Bit EEPROM IP and its Measurement
○Liyan Jin・Geon-Soo Yonn・Dong-Hoon Lee・Ji-Hye Jang・Mu-Hun Park・Pan-Bong Ha・Young-Hee Kim（Changwon National Univ.）

(45) 18:15 - 18:30
Design of a Differential Paired eFuse One-Time Programmable Memory IP and its Measurement
○Huiling Yang・Min-Sung Kim・Ji-Hye Jang・Mu-hun Park・Pan-Bong Ha・Young-Hee Kim（Changwon National Univ.）

(46) 18:30 - 18:45
A Design of 5 - 6 GHz Band Rat-Race Hybrid Ring Coupler with Improved Phase-Error for Microstrip Structure
○Kyunghoon Kim・Dohyung Kim・Junghyun Shin・Jinwook Burm（Sogang Univ.）

(47) 18:45 - 19:00
A Power-Efficient 4-PAM Serial Link Receiver using a fully differential Rail-to-Rail input Dynamic Latch for Wide Dynamic Range
○Junan Lee・Daeho Yun・Bongsub Song・Jinwook Burm（Sognag Univ.）

6月28日(木) 午前 Memory Technology （08：30～10：40）

(48) 08:30 - 08:45
Modeling of Triangular Sacrificial Layer Residue Effect in Nano-Electro-Mechanical Nonvolatile Memory
○Min Su Han・Yeong Hwan Kim・Kyung Soo Kim・Jae Min Lee・Youngcheol Oh・Woo Young Choi（Myongji Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Il Hwan Cho（Myongji Univ.）

(49) 08:45 - 09:00
Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）

(50) 09:00 - 09:15
Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System
○Motoki Fukusima（Nagoya Univ.）・Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）

(51) 09:15 - 09:30
Nonvolatile Polymer Memory-cell embedded with Ni Nanocrystals Surrounded by NiO in Polystyrene
○Jong-Dae Lee・HyunMin Seung・Chang-Hwan Kim・Jea-Gun Park（Hanyang Uni.）

(52) 09:30 - 09:45
Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy
○Daichi Takeuchi・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）・Hirokazu Kaki・Tsukasa Hayashi（NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.,）

(53) 09:45 - 10:00
Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
○Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）

−−−　Break　（ 40分）　−−−

6月28日(木) 午前 Energy Harvesting （08：30～09：45）

(54) 08:30 - 09:00
［招待講演］Voltage Multiplier Circuits and Radio Wave Generation Module for Energy Harvesting System
Saejeong Choi・Changsun Kim・Hyunshin Lee・Inyoung Kim・Dongchul Park（MJU）・Sooyoung Min・Yunsik Lee（KETI）・○Taikyeong Jeong（MJU）

(55) 09:00 - 09:30
［招待講演］Exploitation of Hierarchical Nanomaterials for Improving Light-Harvesting and Charge Collecting Properties of Dye-sensitized Solar Cells
○Hyun Suk Jung（SKKU）

(56) 09:30 - 09:45
Lead Zirconate Titanate Acoustic Energy Harvesters for use in high sound pressure environments
○Tomohiro Matsuda・Saori Hagiwara・Shuntaro Miyake・Kazuki Tomii・Satoshi Iizumi・Shungo Tomioka・Shu Kimura・Kyohei Tsujimoto・Yusuke Uchida・Yasushiro Nishioka（Nihon Univ.）

6月28日(木) 午前 Gate Stack Technology （09：45～10：30）

(57) 09:45 - 10:00
Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer
○Kuniaki Hashimoto・Akio Ohta・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）

(58) 10:00 - 10:15
Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures
○Kusumandari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Noriyuki Taoka・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.）

(59) 10:15 - 10:30
Effect of Si surface roughness on EOT reduction for HfON gate insulator formed by ECR plasma oxidation of HfN
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）

−−−　Short Break　（ 10分）　−−−

−−−　Poster session　（ 80分）　−−−

−−−　Lunch Break　（ 60分）　−−−

−−−　Excursion　（ 300分）　−−−

−−−　Banquet　（ 120分）　−−−

6月29日(金) 午前 Advanced Si Technology （08：15～10：30）

(60) 08:15 - 08:45
［招待講演］The Stability of Bandgap Reference Voltage with Device Structures
○Sang-Gi Lee・Jun-Woo Song・Eun-Sang Jo・Kwang-Dong Yoo（Dongbu HiTek）

(61) 08:45 - 09:15
［招待講演］Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics
○Shigeaki Zaima・Yosuke Shimura・Marika Nakamura・Wakana Takeuchi・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka（Nagoya Univ.）

(62) 09:15 - 09:45
［招待講演］III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits
○Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. Tokyo）

(63) 09:45 - 10:15
［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術
○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサスエレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大）

(64) 10:15 - 10:30
Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel
Min-Chul Sun（SNU and SEC）・○Sang Wan Kim・Garam Kim・Hyun Woo Kim・Hyungjin Kim・Jong-Ho Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（SNU）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月29日(金) 午前 MOSFET Reliability （10：45～12：30）

(65) 10:45 - 11:15
［招待講演］Decomposition analysis of on-current variability of FinFETs
○Takashi Matsukawa・Yongxun Liu・Kazuhiko Endo・Shinichi O'uchi・Meishoku Masahara（AIST）

(66) 11:15 - 11:45
［招待講演］Thermal-Aware Device Desing of Nanoscale MOS Transistors
○Ken Uchida（Keio Univ.）・Tsunaki Takahashi・Nobuyasu Beppu（Tokyo Tech）

(67) 11:45 - 12:00
Statistical Analysis of Current Onset Voltage (COV) Distribution of Scaled MOSFETs
○Tomoko Mizutani・Anil Kumar・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo）

(68) 12:00 - 12:15
Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM
○Nurul Ezaila Alias・Anil Kumar・Takuya Saraya（Univ. of Tokyo）・Shinji Miyano（STARC）・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo）

(69) 12:15 - 12:30
The Effects of Fluorine Implantation on 1/f noise and reliability characteristics of NMOSFET
○Jae-Hyung Jang・Hyuk-Min Kwon・Ho-Young Kwak・Sung-Kyu Kwon・Seon-Man Hwang・Jong-Kwan Shin（Chungnam National Univ.）・Seung-Yong Sung・Yi-Sun Chung・Da-Soon Lee・Jong-Kon Lee（Magnachip Semiconductor Inc）・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ.）

6月29日(金) 午前 Widegap and III-V Semiconductor Devices （08：15～10：30）

(70) 08:15 - 08:45
［招待講演］Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices
○Kenji Mizutani・Hiroaki Ueno・Yuji Kudoh・Shuichi Nagai・Kaoru Inoue・Nobuyuki Otsuka・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Panasonic）

(71) 08:45 - 09:15
［招待講演］Current Status of GaN Technologies in ETRI
○Jae Kyoung Mun・Jong-Won Lim・Sang Choon Ko・Seong-il Kim・Eun Soo Nam（ETRI）

(72) 09:15 - 09:45
［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes
○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.）

(73) 09:45 - 10:15
［招待講演］InAs Quantum-Well MOSFET (Lg = 100 nm) for Logic and Microwave Applications
○Tae-Woo Kim・Richard Hill（SEMATECH）・Dae-Hyun Kim（Teledyne）・Jesus A. del Alamo（MIT）・Chad D. Young・Dmitry Veksler・Chang Yong Kang（SEMATECH）・Jungwoo Oh（Yonsei Univ.）・Chris Hobbs・Paul D. Kirsch・Raj Jammy（SEMATECH）

(74) 10:15 - 10:30
Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate
Jun Hirai・Tomoki Kususaki・Shunsuke Ikeda・○Yasuyuki Miyamoto（Tokyo Tech）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月29日(金) 午前 Widegap and Nanowire Devices （10：45～12：15）

(75) 10:45 - 11:00
ICPCVD SiO2 for AlGaN/GaN MISHFET application
○Bong-Ryeol Park・Jae-Gil Lee・Hyungtak Kim・Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.）

(76) 11:00 - 11:15
Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
○Kota Ohi・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）

(77) 11:15 - 11:30
Fabrication and Characterization of Asymmetric-Gate GaAs Nanowire Transistors for Electrical Brownian Ratchet
○Takayuki Tanaka・Yuki Nakano・Toru Muramatsu・Seiya Kasai（Hokkaido Univ.）

(78) 11:30 - 12:00
［招待講演］Carbon nanotube-based plastic electronics
○Yutaka Ohno（Nagoya Univ., Aalto Univ.）・Dong-ming Sun・Kentaro Higuchi（Nagoya Univ.）・Marina Y. Timmermans・Antti Kaskela・Albert G. Nasibulin（Aalto Univ.）・Shigeru Kishimoto（Nagoya Univ.）・Esko I. Kauppinen（Aalto Univ.）・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.）

(79) 12:00 - 12:15
Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes
○Masaki Inagaki・Kensuke Hata・Kazunari Shiozawa・Yasumitsu Miyata・Yutaka Ohno・Shigeru Kishimoto・Hisanori Shinohara・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.）

−−−　Break　（ 15分）　−−−

6月29日(金) 午後 Closing session （12：30～12：40）

−−−　Closing Remarks　（ 10分）　−−−

6月28日(木) 午前 Poster Session （10：40～12：00）

(80) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances.
○Jae Hwa Seo・Jae Sung Lee・Yun Soo Park・Jung-Hee Lee・In Man Kang（Kyunpook Nat'l Univ.）

(81) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Dependence of Schottky barrier height on the junction size of bcc-metal/n-Ge(111) contacts
○Hirotaka Yoshioka・Kenji Kasahara・Toshihiro Nishimura・Shinya Yamada・Masanobu Miyao・Kohei Hamaya（Kyushu Univ.）

(82) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces
○Takuma Nakano・Masamichi Akazawa（Hokkaido Univ.）

(83) 10:40 - 10:55
［ポスター講演］The surface morphology and electrical properties of NiO with various RF power and O2/(Ar+O2) gas mixture
○Jonghun Kim・Gyohun Koo・Changju Lee・Sungho Hahm（Kyungpook National Univ.）・Youngchul Jung（Gyeongju Univ.）・Yougsoo Lee（Kyungpook National Univ.）

(84) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Mold transfer processed organic light emitting diodes using patterned conductive polymer electrode
○Hyun Jun Lee・Young Wook Park・Tae Hyun Park・Eun Ho Song（Korea Univ.）・Se Joong Shin（Korea univ.）・Hakkoo Kim・Kyung bok Choi・Ju Hyun Hwang（Korea Univ.）・Jinwoo Lee（Micobiomed. Ltd）・Jinnil Choi（Hanbat National Univ.）・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.）

(85) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Development of scanning nano-SQUIDs for local magnetic imaging.
○Yusuke Shibata（Tsukuba Univ.）・Ryosuke Ishiguro（Tokyo Univ. of Science）・Hiromi Kashiwaya・Satoshi Kashiwaya（AIST）・Hideaki Takayanagi（Tokyo Univ. of Science/NIMS）・Shintaro Nomura（Tsukuba Univ.）

(86) 10:40 - 12:00
［ポスター講演］Degradation Characteristics of high voltage AlGaN/GaN-on-Si Heterostructure FETs
Shinhyuk Choi・○Hoonsang Yoon・Dongmin Keum・Jae-Gil Lee・Ho-Young Cha・Hyungtak Kim（Hongik Univ.）

基調講演：発表 30 分＋質疑応答 10 分
招待講演：発表 20 分＋質疑応答 10 分
一般講演：発表 10 分＋質疑応答 5 分
ポスター講演：発表 80 分

◆IEEK共催

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

7月26日(木)～27日(金)　福井大学文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室　[5月22日(火)]　テーマ：半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般

【問合先】
原直紀（富士通研究所）
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E-mail :

津田邦男（東芝）
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E-mail :

須原理彦（首都大）
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E-mail :

上田哲三（パナソニック)
TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110
E-mail：

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

8月2日(木)～3日(金)　札幌市男女共同参画センター　[5月14日(月)]　テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
小野行徳(NTT)
〒930-8555
富山市五福3190
富山大学大学院理工学研究部
ナノ・新機能材料学域ナノマテリアル・システムデザイン学系
（電気電子システム工学科担当）
大学院棟7204
電話（Fax) 076-445-6883
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