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電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 木村 睦 (龍谷大)
副委員長 志賀 智一 (電通大), 小南 裕子 (静岡大)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 山口 雅浩 (東工大)
幹事補佐 山口 留美子 (秋田大), 野中 亮助 (東芝), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ), 小尻 尚志 (日本ゼオン), 中田 充 (NHK)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2014年12月12日(金) 10:00 - 18:00
議題 シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 
会場名 京都大学工学研究科(桂キャンパス) 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1
交通案内 阪急京都線「桂」駅からバス15分
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/downlodemap
会場世話人
連絡先
工学研究科電子工学専攻 木本恒暢
075-383-2300

12月12日(金) 午前  シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
10:00 - 12:00
(1) 10:00-10:15 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大
(2) 10:15-10:30 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大
(3) 10:30-10:45 B+およびB10H14+注入Si基板の軟X線照射による活性化 部家 彰草壁 史平野翔大松尾直人神田一浩兵庫県立大
(4) 10:45-11:00 DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 中村昇平松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄兵庫県立大)・福山正隆横山 新広島大
(5) 11:00-11:15 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 竹内光明林 恭平龍頭啓充高岡義寛京大)・永山 勉松田耕自日新イオン機器
(6) 11:15-11:30 エレクトロルミネッセンス(EL)発光強度を用いたシリコン太陽電池モジュールの機能解析 富本剛史都築翔太谷 あゆみ奈良先端大
(7) 11:30-11:45 ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用 真鍋満顕阪川秀紀西村英紀奈良先端大)・富澤由香池田吉紀帝人)・冬木 隆奈良先端大
(8) 11:45-12:00 電界効果型マイクロウォール太陽電池 大木康平若宮彰太小林孝裕部家 彰松尾直人兵庫県立大
  - 昼食休憩
12月12日(金) 午後  シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
13:00 - 15:30
(9) 13:00-13:15 n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 渕矢剛宏前田善春門目尭之田中 匠松田時宜木村 睦龍谷大
(10) 13:15-13:30 N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの特性比較 前田善春渕矢剛宏門目尭之田中 匠春木翔太松田時宜木村 睦龍谷大
(11) 13:30-13:45 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT 目黒達也原 明人東北学院大
(12) 13:45-14:00 Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサの特性比較 木藤克哉林 久志北島秀平松田時宜木村 睦龍谷大
(13) 14:00-14:15 Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価 永瀬洋介龍谷大)・松田時宜木村 睦阪大)・松本健俊小林 光龍谷大
(14) 14:15-14:30 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 高尾 透堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大
(15) 14:30-14:45 ゲート付きPoly-Si Hall素子と IGZO Hall素子による磁場センサの研究開発 松本貴明吉川朗登宮村祥吾志賀春紀松田時宜木村 睦龍谷大)・小澤徳郎青木幸司郭 志徹エーユーオージャパン
(16) 14:45-15:00 GaSnO薄膜の特性評価 加藤雄太西本大樹松田時宜木村 睦龍谷大
(17) 15:00-15:15 IGZO薄膜に対する成膜条件による影響 西野克弥高橋宏太松田時宜木村 睦龍谷大
(18) 15:15-15:30 ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析 古我祐貴松田時宜龍谷大)・古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
  - 休憩
12月12日(金) 午後  シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
15:45 - 18:00
(19) 15:45-16:00 空孔率制御によるポーラスシリコン膜の自己組織的3次元微細構造形成 石黒敬太出野上真樹青木画奈藤井 稔神戸大
(20) 16:00-16:15 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 草壁 史平野翔大部家 彰松尾直人神田一浩望月孝晏宮本修治兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大
(21) 16:15-16:30 Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 結城広登奈良先端大)・矢野裕司奈良先端大/筑波大
(22) 16:30-16:45 シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 磯野弘典奈良先端大)・矢野裕司奈良先端大/筑波大
(23) 16:45-17:00 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 浅田聡志奥田貴史木本恒暢須田 淳京大
(24) 17:00-17:15 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 梅原智明堀田昌宏吉嗣晃治石河泰明浦岡行治奈良先端大
(25) 17:15-17:30 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 小石遼介森山拓洋木村康平河野公紀宮下英俊李 相錫岸田 悟木下健太郎鳥取大
(26) 17:30-17:45 NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 篠倉弘樹西 佑介岩田達哉木本恒暢京大
(27) 17:45-18:00 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~ 森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大

講演時間
一般講演(15分)発表 10 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: fffe 


Last modified: 2014-10-20 18:55:54


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