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10:00-10:05 |
開催挨拶（野田LQE委員長） （ 5分 ） |
12月16日(金) 午前 一般セッション
座長: 宮本 智之（東工大）
10:05 - 10:55 |
| (1) |
10:05-10:30 |
9xxnm帯高出力ブロードエリアレーザダイオードにおける光出力飽和とその改善 |
○山形友二（オプトエナジー）・貝渕良和・能川亮三郎・諸橋倫大郎（フジクラ）・山田由美（オプトエナジー）・山口昌幸（フジクラ） |
| (2) |
10:30-10:55 |
L帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)による伝送距離延伸および高出力動作化 |
○進藤隆彦・小林 亘・藤原直樹・大礒義孝・長谷部浩一・石井啓之・井藤幹隆（NTT） |
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10:55-11:05 |
若手奨励賞授賞式 （ 10分 ） |
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11:05-11:15 |
休憩 （ 10分 ） |
12月16日(金) 午前 LQE奨励賞記念講演
座長: 川北 泰雅（古河電工）
11:15 - 12:05 |
| (3) |
11:15-11:40 |
［記念講演］フォトニック結晶ナノ共振器量子ドットレーザによる高機能ナノ光源 |
○太田泰友・岩本 敏・荒川泰彦（東大） |
| (4) |
11:40-12:05 |
［記念講演］光音響・発光同時計測及び時間分解発光計測による窒化物半導体の内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命の測定 |
河上航平・中納 隆・○山口敦史（金沢工大） |
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12:05-13:10 |
昼休み （ 65分 ） |
12月16日(金) 午後 ISLC2016 Post Conference前半
座長: 野田 進（京大）
13:10 - 14:20 |
| (5) |
13:10-13:30 |
［招待講演］半導体レーザ国際会議(ISLC) 2016 報告 |
○東盛裕一（ツルギフォトニクス財団） |
| (6) |
13:30-13:55 |
［招待講演］光デバイス集積技術 ～ 異種材料・異種機能集積の可能性 ～ |
○西山伸彦（東工大） |
| (7) |
13:55-14:20 |
［招待講演］光デバイス実装の動向 |
○有賀 博・望月啓太・村尾覚志・白尾瑞樹（三菱電機） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
12月16日(金) 午後 ISLC2016 Post Conference後半
座長: 西山 伸彦（東工大）
14:30 - 15:20 |
| (8) |
14:30-14:55 |
［招待講演］InP系モノリシック集積光デバイス ～ これまでと今後の展望 ～ |
○八木英樹・金子俊光・吉永弘幸・小路 元（住友電工） |
| (9) |
14:55-15:20 |
［招待講演］シリコンフォトニクス集積デバイス技術 |
○田中 有（光電子融合基盤技研） |
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15:20-16:20 |
ディスカッション （ 60分 ） |
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16:20-16:25 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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