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★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 藤島 実 (広島大) 副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 吉田 毅 (広島大) 幹事補佐 高宮 真 (東大)， 岩崎 裕江 (NTT)， 橋本 隆 (パナソニック)， 伊藤 浩之 (東工大)， 範 公可 (電通大) 日時 2016年 4月14日(木) 10：10～17：05 2016年 4月15日(金) 09：30～11：45 会場 機械振興会館 地下3階 研修2号室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 メモリ技術と一般 4月14日(木) 午前 （10：10～11：50） 座長: 新居 浩二（ルネサスエレクトロニクス） (1) 10:10 - 10:35 ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） (2) 10:35 - 11:00 ［依頼講演］容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM ○高島大三郎・遠藤真人（東芝）・島崎一浩・齋 学（東芝マイクロエレクトロニクス）・谷野雅章（東芝情報システム） (3) 11:00 - 11:25 ［依頼講演］298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM ○森 陽紀・中川知己・北原佑起・河本優太・高木健太・吉本秀輔・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） (4) 11:25 - 11:50 A 64kb 16nm Asynchronous Disturb Current Free 2-Port SRAM with PMOS Pass-Gates for FinFET Technologies ○Hidehiro Fujiwara・Li-Wen Wang・Yen-Huei Chen・Koo-Cheng Lin・Dar Sun・Shin-Rung Wu・Jhon-Jhy Liaw・Chin-Yung Lin・Mu-Chi Chiang・Hung-Jen Liao・Shien-Yang Wu・Jonathan Chang（TSMC） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− 4月14日(木) 午後 （13：00～14：40） 座長: 三浦 典之（神戸大学） (5) 13:00 - 13:25 ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） (6) 13:25 - 13:50 ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・寧 渉洋・竹内 健（中大） (7) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］Reliability Projecting for ReRAM based on Stochastic Differential Equation ○Zhiqiang Wei（PSCS）・Koji Eriguchi（Kyoto Univ.）・Shunsaku Muraoka・Koji Katayama・Ryotaro Yasuhara・Kawai Ken・Yukio Hayakawa・Kazuhiko Shimakawa・Takumi Mikawa・Yoneda Shinichi（PSCS） (8) 14:15 - 14:40 ［依頼講演］ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning ○Tomoko Ogura Iwasaki・Sheyang Ning・Hiroki Yamazawa・Chao Sun・Shuhei Tanakamaru・Ken Takeuchi（Chuo Univ.） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 4月14日(木) 午後 （14：50～17：05） 座長: 川口 博（神戸大学） (9) 14:50 - 15:15 ［依頼講演］A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance ○齋藤 仁・中村 亘・小澤聡一郎・佐次田直也・三原 智・彦坂幸信・王 文生・堀 智之・高井一章・中澤光晴・小杉 騰・濱田 誠・川嶋将一郎・恵下 隆・松宮正人（FSL） (10) 15:15 - 15:40 ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (11) 15:50 - 16:15 ［依頼講演］Power reduction based on MRAM ○Hiroaki Yoda・Shinobu Fujita（toshiba） (12) 16:15 - 17:05 ［招待講演］混載STT-MRAMテクノロジのトレンドと近未来のアプリケーション ○藤田 忍（東芝） 4月15日(金) 午前 （09：30～11：45） 座長: 新居 浩二（ルネサスエレクトロニクス） (13) 09:30 - 09:55 ［依頼講演］ガベージコレクション最適化によるLBA scramblerを使用したしたSSDの高速化 ○松井千尋・荒川飛鳥・孫 超・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健（中大） (14) 09:55 - 10:20 ［依頼講演］データアクセスパターンを考慮したSCM/NANDハイブリッドSSDシステムの設計 ○山田知明・岡本 峻・孫 超・蜂谷尚悟・トモコ オグラ イワサキ・竹内 健（中大） (15) 10:20 - 10:45 ［依頼講演］長期保存向け半導体データストレージの高信頼手法 ○高橋知紀・山﨑泉樹・田中丸周平・Tomoko Ogura Iwasaki・蜂谷尚悟・竹内 健（中大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (16) 10:55 - 11:45 ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 45 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎研究会1日目終了後，懇親会を予定していますので御参加ください。 日時：4月14日 17:30～19:30 場所：機械振興会館 ニュー・トーキョー ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 5月16日(月)～17日(火) 東京大学 生産技術研究所 [未定] テーマ：LSIとシステムのワークショップ2016 【問合先】 ICD幹事補佐：高宮 真（東京大学） m   iis u-  Last modified: 2016-04-01 10:04:12 |
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