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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 加地 徹 (豊田中研) 副委員長 原 直紀 (富士通研) 幹事 津田 邦男 (東芝)， 須原 理彦 (首都大東京) 幹事補佐 上田 哲三 (パナソニック)， 葛西 誠也 (北大) 日時 2011年 7月29日(金) 13：30～17：25 2011年 7月30日(土) 09：00～15：35 会場 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター（長岡技術科学大学工学部電気系 内富直隆．0258-47-9842 （会場）） 議題 TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 7月29日(金) 午後 （13：30～17：25） (1) 13:30 - 13:55 AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線） (2) 13:55 - 14:20 AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 ○深澤義道・脇 英司・伏見 浩（新日本無線） (3) 14:20 - 14:45 Characterization of sputtered AlN amorphous films and their applications to AlGaN/GaN MIS-HFET ○Hong-An Shih・Masahiro Kudo・Masashi Akabori・Toshi-kazu Suzuki（JAIST） (4) 14:45 - 15:10 AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ○橋詰 保・水江千帆子・掘 祐臣・田島正文・大井幸多（北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 15:20 - 15:45 フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜 ○富永浩二（堀場製作所）・寺阪正訓・清水哲夫（堀場エステック）・千田二郎（同志社大）・石田耕三（堀場製作所） (6) 15:45 - 16:10 GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 ○工藤昌宏・Hong-An Shih・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） (7) 16:10 - 16:35 SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 ○村松 徹・三浦健輔・白鳥悠太・葛西誠也（北大） (8) 16:35 - 17:00 フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング ○北林佑太・望月雅矢・石川史太郎・近藤正彦（阪大） (9) 17:00 - 17:25 III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定 ○岩瀬比宇麻・王 建・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大） 7月30日(土) 午前 （09：00～15：35） (10) 09:00 - 09:25 P3HT/n-Si有機無機接合へテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 ○金子 翔・大山直樹・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） (11) 09:25 - 09:50 MoO3ホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の発電特性 ○吉田一樹・栗原 啓・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） (12) 09:50 - 10:15 高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性 ○鈴木貴彦・吉田一樹・栗原 啓・太田員正・佐藤和昭・大場好弘・廣瀬文彦（山形大） (13) 10:15 - 10:40 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化 ○石田瑛之・吉田洋大・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） (14) 10:40 - 11:05 陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成 ○小島領太・Mohammad Maksudur Rahman・Mehdi El Fassy Fihry・木村康男・庭野道夫（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 11:15 - 11:40 ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析 ○中村昌人・高萩 智・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） (16) 11:40 - 12:05 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定 ○浅川澄人・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） (17) 12:05 - 12:30 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (18) 13:30 - 13:55 Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価 ○豊田英之・岡部晃也・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） (19) 13:55 - 14:20 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） (20) 14:20 - 14:45 スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 ○藤田昌成・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） (21) 14:45 - 15:10 高In組成InGaAsInAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析 赤堀誠志・片山智之・森本幸作・岩瀬比宇麻・○山田省二（北陸先端大） (22) 15:10 - 15:35 InP基板上に成長したZnSnAs2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果 ○大前洸斗・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月20日(木)～21日(金) 八戸ポータルミュージアム はっち [8月12日(金)] テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 【問合先】 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o      ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :        t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：   zo pa  c 葛西 誠也（北大） TEL：011-706-6509、FAX：011-716-6004 E-mail：   irciqe iLast modified: 2011-05-23 11:55:57 |
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