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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)  副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2016年10月26日(水) 14:00~16:50
   2016年10月27日(木) 10:00~14:40

会場 東北大学未来情報産業研究館5F(〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10.地下鉄東西線青葉山駅から徒歩1分.東北大学 黒田 理人.022-795-4833)

議題 プロセス科学と新プロセス技術

10月26日(水) 午後 (14:00~16:50)

(1) 14:00 - 14:50
[招待講演]最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御
○嵯峨幸一郎(ソニー)

(2) 14:50 - 15:15
高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術
○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・須川成利(東北大)・鈴木大介・千葉洋一郎・石井勝利・清水 亮・長谷部一秀(東京エレクトロン東北)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(3) 15:30 - 16:10
[招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之(日立)・石橋孝一郎(電通大)・水谷朋子・平本俊郎(東大)

(4) 16:10 - 16:50
[招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之(日立)・水谷朋子・平本俊郎(東大)

10月26日(水) 午後 平成27年度SDM研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式 (16:50~16:50)

10月27日(木) 午前 (10:00~14:40)

(5) 10:00 - 10:25
原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
○齋藤雅也・諏訪智之・寺本章伸・黒田理人・幸田安真・杉田久哉・石井秀和・志波良信・白井泰雪・須川成利(東北大)・林 真里恵・土本淳一(キヤノンアネルバ)

(6) 10:25 - 10:50
SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響
○前田康貴・廣木瑞葉・大見俊一郎(東工大)

(7) 10:50 - 11:15
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利(東北大)

(8) 11:15 - 11:40
Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討
○工藤聡也・大見俊一郎(東工大)

−−− 昼食 ( 80分 ) −−−

(9) 13:00 - 13:50
[招待講演]Novel Pixel Structure with Stacked Deep Photodiode to Achieve High NIR Sensitivity and High MTF
○Hiroki Takahashi・Hiroshi Tanaka・Masahiro Oda・Mitsuyoshi Ando・Naoto Niisoe(TPSCo)・Shinichi Kawai・Takuya Asano・Mitsugu Yoshita・Tohru Yamada(PSCS)

(10) 13:50 - 14:40
[招待講演]Low-Noise Imaging Techniques for Scientific CMOS Image Sensors
○Min-Woong Seo・Shoji Kawahito(Shizuoka Univ.)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

11月10日(木)~11日(金) 機械振興会館 [9月9日(金)] テーマ:プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
12月12日(月) 奈良先端科学技術大学院大学 [10月21日(金)] テーマ:シリコン関連材料の作製と評価
2017年1月30日(月)~31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ:回路・デバイス・境界領域技術
2017年1月30日(月) 機械振興会館 [未定] テーマ:先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)

【問合先】
黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-mail: e3


Last modified: 2016-08-19 13:11:18


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