5月25日(木) 午後 新材料1 座長: 田中 有(富士通研) 13:00 - 13:55 |
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13:00-13:05 |
開会挨拶 ( 5分 ) |
(1) |
13:05-13:30 |
[招待講演]窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測 |
○小島一信(東北大) |
(2) |
13:30-13:55 |
表面電流駆動型空間光変調効果の発現とその応用 |
○竪 直也(九大) |
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13:55-14:10 |
休憩 ( 15分 ) |
5月25日(木) 午後 新材料2 座長: 片桐 崇史(東北大学) 14:10 - 15:25 |
(3) |
14:10-14:35 |
[招待講演]ハロゲン化金属ペロブスカイト半導体の光物理 ~ 太陽電池から光デバイス応用まで ~ |
○山田泰裕(千葉大)・金光義彦(京大) |
(4) |
14:35-15:00 |
[招待講演]有機太陽電池材料とその真空蒸着時の液体導入による結晶化 |
○嘉治寿彦(東京農工大) |
(5) |
15:00-15:25 |
[招待講演]プラズモニック材料の現状と展望 |
○髙原淳一(阪大) |
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15:25-15:40 |
休憩 ( 15分 ) |
5月25日(木) 午後 レーザ応用 座長: 川戸 栄(福井大学) 15:40 - 17:20 |
(6) |
15:40-16:05 |
[招待講演]Ultra-high intensity, repetitive J-KAREN-P laser system at QST |
○Hiromitsu Kiriyama・Mamiko Nishiuchi・Alexander Pirozhkov・Yuji Fukuda・Hironao Sakaki・Akito Sagisaka・Nicholas Dover・Kotaro Kondo・Keita Nishitani・Koichi Ogura・Michiaki Mori・Yasuhiro Miyasaka・Masaki Kando・Kiminori Kondo(QST) |
(7) |
16:05-16:30 |
光同期OPCPAのための高エネルギーグリーンレーザーの開発 |
○宮坂泰弘・桐山博光・岸本 牧・森 道昭・神門正城・近藤公伯(量研機構) |
(8) |
16:30-16:55 |
光無線給電実現に向けた半導体レーザのビームステアリングシステム |
○丸山武男・Hendra Ainanta・谷沢元春(金沢大) |
(9) |
16:55-17:20 |
共振器内部に非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効率に関する理論解析 |
○佐藤 徹・中島直哉・稲吉真一・角谷宏樹・林 啓佑・金武知樹・杉木史弘・川戸 栄(福井大) |
5月26日(金) 午前 半導体計測 座長: 望月 敬太(三菱電機) 09:00 - 10:15 |
(10) |
09:00-09:25 |
光電変換デバイスの時間分解テラヘルツ分光 |
○永井正也・山下元気(阪大)・松原英一(阪歯科大)・芦田昌明(阪大) |
(11) |
09:25-09:50 |
波長板を用いたTHzホール測定 |
○森本智英・永井正也・芦田昌明(阪大) |
(12) |
09:50-10:15 |
光励起したシリコンにおけるテラヘルツパルスの伝播 |
○守安 毅・笹島秀樹(福井大)・河本敏郎(神戸大)・北原英明・谷 正彦・熊倉光孝(福井大) |
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10:15-10:25 |
休憩 ( 10分 ) |
5月26日(金) 午前 変調器 座長: 山本 剛之(富士通研) 10:25 - 11:40 |
(13) |
10:25-10:50 |
シリコン集積素子の光I/O ~ グレーティングカプラの出力安定化/スポットサイズ変換器の突合せ接続 ~ |
○徳島正敏・牛田 淳・屋敷健一郎・堀川 剛・蔵田和彦(光電子融合基盤技研) |
(14) |
10:50-11:15 |
III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器 |
○開 達郎・相原卓磨・長谷部浩一・藤井拓郎・武田浩司・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治(NTT) |
(15) |
11:15-11:40 |
シリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器の設計と高速変調 |
○高澤弘樹・藪下裕貴・國分泰雄・荒川太郎(横浜国大) |
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11:40-13:10 |
休憩 ( 90分 ) |
5月26日(金) 午後 赤外・テラヘルツ 座長: 藤原 直樹(NTT) 13:10 - 14:00 |
(16) |
13:10-13:35 |
二波長同時光パラメトリック増幅によるCEP安定な高強度中赤外パルス光の発生,及びそれを用いた固体中の強電場過程の研究 |
○金島圭佑(北大)・石井順久・竹内健悟・板谷治郎(東大) |
(17) |
13:35-14:00 |
新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討 |
○安田浩朗(NICT) |
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14:00-14:10 |
休憩 ( 10分 ) |
5月26日(金) 午後 半導体レーザ 座長: 八木 英樹(住友電工) 14:10 - 15:50 |
(18) |
14:10-14:35 |
28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL) |
○進藤隆彦・小林 亘・長谷部浩一・藤原直樹・吉松俊英・金澤 慈・大野哲一郎・三条広明・大礒義孝・石井啓之・曽根由明・松崎秀昭(NTT) |
(19) |
14:35-15:00 |
25Gb/s直接変調レーザを搭載したTO-CANの広温度範囲動作 |
○白尾瑞基・中村誠希・島田征明・鈴木洋介・境野 剛・野上正道(三菱電機) |
(20) |
15:00-15:25 |
超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 |
○松本 敦・赤羽浩一・梅沢俊匡・山本直克(NICT) |
(21) |
15:25-15:50 |
1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作 |
○羽鳥伸明・鄭 錫煥・田中 有(光電子融合基盤技研) |
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15:50-16:00 |
閉会挨拶 ( 10分 ) |