Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2017-91
［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大）
pp. 1 - 4
SDM2017-92
［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 5 - 8
SDM2017-93
［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大）
pp. 9 - 12
SDM2017-94
［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 13 - 16
SDM2017-95
［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET
○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST）
pp. 17 - 20
SDM2017-96
［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo）
pp. 21 - 24
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．