電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380

マイクロ波

開催日 2012-01-11 - 2012-01-12 / 発行日 2012-01-04

MW2011-144
結合線路と伝送線路の組み合わせによるCMOSプロセスの利用を想定したミリ波有極形LPF,HPF,BPFに関する一検討
○谷井宏成（電通大）・牧本三夫（サクラテック）・五十嵐貞男・福井邦明・小日向宏一（アールエフ・チップス・テクノロジー）・和田光司（電通大）
pp. 13 - 18

MW2011-145
多層型SIWデュアルモード共振器を利用した準ミリ波帯帯域通過フィルタの設計
○飛田和哉・馬　哲旺・大平昌敬（埼玉大）
pp. 19 - 24

MW2011-146
ミリ波帯導波管／マイクロストリップライン変換器の広帯域化
○鈴木俊達・内海要三・森田　登・平栗健史（日本工大）・横田宗大・亀井利久（防衛大）・千野聖純・青木生朗・鈴木洋介（キーコム）
pp. 25 - 30

MW2011-147
ダイレクトサンプリングミキサ方式WLAN受信機の設計手法
○齊藤典昭・森下陽平・森田忠士（パナソニック）
pp. 31 - 34

MW2011-148
フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード
○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村　徹（法政大）
pp. 35 - 40

MW2011-149
直交振幅変調信号を包絡線パルス幅変調した時のE級電力増幅器の歪補償
○藤岡翔太・楳田洋太郎（東京理科大）・田久　修（信州大）
pp. 41 - 46

MW2011-150
多段バランス型RF整流回路
○山田康太・荒川　孝・武田政宗・植村　順（マスプロ電工）・榊原久二男・菊間信良（名工大）・大平　孝（豊橋技科大）
pp. 47 - 52

MW2011-151
［特別講演］単構造空間とベクトルポテンシャル
○黒川兼行（元富士通研）
pp. 53 - 58

MW2011-152
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
○宮本恭幸・山田真之・内田　建（東工大）
pp. 59 - 62

MW2011-153
MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
○星　拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田　実（NTT）
pp. 63 - 68

MW2011-154
0.5-um InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器
○長谷宗彦・野坂秀之・佐野公一・村田浩一・栗島賢二・井田　実（NTT）
pp. 69 - 74

MW2011-155
Components in 0.5-um-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications
○Yves Bouvier・Munehiko Nagatani・Kimikazu Sano・Koichi Murata・Kenji Kurishima・Minoru Ida（NTT）
pp. 75 - 79

MW2011-156
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
○小野寺　啓・中島　敦・堀尾和重（芝浦工大）
pp. 81 - 85

MW2011-157
Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness Dependence
○Amalraj Frank Wilson・Akio Wakejima・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.）
pp. 87 - 90

MW2011-158
AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価
○畑野舞子・山崎　潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本　信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大）
pp. 91 - 95

MW2011-159
GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
○堀　祐臣・金　聖植（北大）・橋詰　保（北大/JST）
pp. 97 - 100

MW2011-160
P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中　毅・上田大助（パナソニック）
pp. 101 - 105

MW2011-161
L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
○菊池　憲・八巻史一・井上和孝（住友電工）・西　眞弘・生松　均・宇井範彦・蛯原　要・新田　敦（住友電工デバイス・イノベーション）・佐野征吾（住友電工）
pp. 107 - 110

MW2011-162
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中　毅（パナソニック）
pp. 111 - 115

MW2011-163
X帯30W級高利得高効率小型電力増幅器の開発
○森谷　修・黒田健太・松下景一・副島知英・高木一考・高塚眞治（東芝）
pp. 117 - 120

MW2011-164
X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発
○西原　信・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション）・水野慎也・佐野征吾（住友電工）・長谷川裕一（住友電工デバイス・イノベーション）
pp. 121 - 123

注：本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．

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