Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2009-26
Geの材料物性ーSiとの比較
○伊藤公平（慶大）
pp. 1 - 2
SDM2009-27
分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ～ SiO2/Siとの違い ～
○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明（早大）
pp. 3 - 8
SDM2009-28
Si酸化における界面反応の第一原理計算
○秋山 亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大）
pp. 9 - 13
SDM2009-29
GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術
○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大）
pp. 15 - 20
SDM2009-30
GeMIS界面欠陥の電気的性質
○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大）
pp. 21 - 26
SDM2009-31
Ge MOSデバイスの熱安定性 ～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ～
○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島 章（東芝）・手塚 勉（MIRAI-東芝）
pp. 27 - 31
SDM2009-32
金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST）
pp. 33 - 38
SDM2009-33
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大）
pp. 39 - 44
SDM2009-34
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大）
pp. 45 - 50
SDM2009-35
界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ～ Ge基板への絶縁膜形成 ～
○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬（九大）
pp. 51 - 56
SDM2009-36
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）
pp. 57 - 60
SDM2009-37
LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大）
pp. 61 - 66
SDM2009-38
低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 67 - 70
SDM2009-39
LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝）
pp. 71 - 76
SDM2009-40
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
pp. 77 - 80
SDM2009-41
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大）
pp. 81 - 85
SDM2009-42
極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）
pp. 87 - 92
SDM2009-43
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
○五月女真一・中山隆史（千葉大）
pp. 93 - 97
SDM2009-44
TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）
pp. 99 - 103
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．