シリコン材料・デバイス(SDM)研究専門委員会では、SDM研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対してSDM研究会若手優秀発表賞を授与しています。
受賞対象となる候補者は以下の項目を満たす若手研究者です。表彰件数は年間2件以内です。
奮ってご発表下さい。
イ.SDM研究会において発表を行った研究報告の筆頭著者かつ講演者
ロ.講演時点で33歳未満の者
SDM研究会若手優秀発表賞 受賞者一覧 | |
令和4年度 | |
岡 博史 様(産業技術総合研究所) 【発表題目】 極低温動作MOSFET のクーロン散乱移動度に対する バンド端準位の影響 (令和4年8月研究会にて発表) |
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隅田 圭 様(東京大学) 【発表題目】 表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFET チャネル材料と面方位の最適設計 (令和4年11月研究会にて発表) |
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令和3年度 | |
秋元 瞭 様(東北大学) 【発表題目】 トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向による RTN挙動の統計的解析 (令和3年10月研究会にて発表) |
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令和2年度 | |
間脇 武蔵 様(東北大学) 【発表題目】 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 (令和2年10月研究会にて発表) |
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トープラサートポン・カシディット 様(東京大学) 【発表題目】 Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングと メモリ特性への影響 (令和2年8月研究会にて発表) |
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令和元年度 | |
畑山 省吾 様(東北大学) 【発表題目】 低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6 を用いた 相変化メモリ (平成30年度10月研究会にて発表) |
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熊倉 翔 様(東京エレクトロン宮城) 【発表題目】 プラズマを用いた原子層エッチング(ALD) (令和元年度10月研究会にて発表) |
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堀内 勇介 様(東京工業大学) 【発表題目】 多層電荷蓄積層を用いた Hf 系MONOS 型不揮発性多値メモリに関する検討 (令和元年度10月研究会にて発表) |
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平成30年度 | |
下井 貴裕 様(ルネサスエレクトロニクス) 【発表題目】 28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた 高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 (平成29年10月26日発表) |
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Shuang Gao 様(東京大学) 【発表題目】 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs (平成30年8月8日発表) |
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平成29年度 | |
古川 貴一 様(東北大学) 【発表題目】 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対する Si選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術 (平成28年10月26日発表) |
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百瀬 駿 様(金沢工業大学) 【発表題目】 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた 高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの 特性 (平成29年8月2日発表) |
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平成28年度 | |
前田 康貴 様(東京工業大学) 【発表題目】 HfO2をゲート絶縁膜に用いた ペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 (平成27年10月30日発表) |
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平成27年度 | |
槇山 秀樹 様(ルネサスエレクトロニクス) 【発表題目】 超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路の ダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 (平成26年10月17日発表) |
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山本 芳樹 様(ルネサスエレクトロニクス) 【発表題目】 high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた 超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS (平成27年8月25日発表) |
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平成26年度 | |
財津 光一郎 様(東芝) 【発表題目】 MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による 低消費電力かつ高速な不揮発FPGA (平成26年8月5日発表) |
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