日時 平成12年12月21日（木）９：３０-１７：３０

　会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 大講義室
　     （住所：奈良県生駒市高山町８９１６?５）
　交通：近鉄奈良線学園前駅下車バス20分 または 近鉄京都線山田川駅下車バス20分
 　     詳しくは、http://nara.aist-nara.ac.jp参照
　TEL:０７４３-７２-６０７０
 

議題　-半導体Si及び関連材料・評価 ―

１．ガスクラスターイオンビームの大電流化及びビーム特性の評価
     　　○金原啓道・瀬木利夫・松尾二郎・高岡義寛（京都大学）
２．短ＴＡＴ化を実現するＴＥＭ試料作製技術
     　　○古田正昭（菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社）
    　橋川直人・廣瀬幸範・福本晃二・益子洋治（三菱電機株式会社）
３．SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響
     　　○伊藤慎也・内田秀雄・市村正也・荒井英輔（名古屋工業大学）
４．分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi基板のエッチングシミュレーション
     　　○千葉俊一・青木学聡・松尾二郎・高岡義寛（京都大学）
５．水素希釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布
    　　○永　浩介・中村和宏・横田勝弘（関西大学）
      　　上正安・松田耕自（日新電機）高野弘道（神奈川高度技術支援財団）
６．UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
  　　　○斉藤 徹・神澤好彦・幸康一郎・豊田健治・浅井明・高木 剛・久保 実
       　　（松下電器産業株式会社）
７．CAICISSによるGe/Si界面での偏析・拡散現象の評価
  　  　 ○徳田 崇・服部恭典・沖仲元毅・太田 淳・布下正宏（奈良先端大）
８．n-Si(100)上に形成された極薄SiO2膜の直接トンネル電流の検討
          ○高見義則・北川康則・松尾直人（山口大学）
９．CVD-TiNゲート中の残留Clがゲート絶縁膜特性に及ぼす影響
          ○森脇 將・山田隆順（松下電子工業株式会社）
10．MOD法によるBi2SiO5薄膜の低温作製と諸特性
     　　○山口正樹・長友隆男（芝浦工業大学）・増田陽一郎（八戸工業大学）
11．軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製
　　　　○ 高馬悟覚・奥本雅規・毎田 修・上野正人・北井 聡・
  　　　　  金島 岳・奥山雅則(大阪大学)・大橋治彦（高輝度光科学センター）
12．レーザーアブレーション法による高誘電率薄膜の作製とその評価
 　　    ○上野正人、毎田 修、北井 聡、金島 岳、奥山雅則（大阪大学）
13．ゾルゲル法によるZrO２、SrZrO３薄膜の作製と評価
 　　    ○大島享介・徳光永輔（東京工業大学）
14．(招待講演)低温poly-Si ＴＦＴ駆動発光ポリマーディスプレイの開発
 　　    ○木村 睦・井上 聡・宮下 悟・下田達也（セイコーエプソン株式会社）
15．ポリシリコンTFTのパルス電圧ストレスによる劣化機構
          ○豊田善章・芝 健夫・大倉 理（日立製作所）
16．ELA法により形成されたpoly-Si薄膜の遷移領域に関する検討
          ○河本直哉・田口亮平・松尾直人（山口大学）
             阿部 寿・納田朋幸・浜田弘喜（三洋電機?）
17．低温ポリシリコン薄膜トランジスタにおけるホットキャリア効果
　　  　○ 加藤健介・浦岡行治・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）
　　　　　川村哲也・土橋友次（松下電器産業株式会社）
18．多結晶Si太陽電池におけるライフタイムキラーの局所的分布
   　　 ○黒部憲一・三浦峰生・松波弘之（京都大学）
19．4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
   　　 ○松永宏治・好田慎一・山本昌弘・大鉢 忠・谷口一郎（同志社大学）　　　　
20．SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
   　　 ○根来佑樹・宮本 直・木本恒暢・松波弘之（京都大学）
 

☆SDM研究会今後の予定　[　　]内は発表申込締切日
・平成13年1月30日（火）「Si LSI配線連技術」　
    機械機会振興会館
　 [11月17日締め切り]
・平成13年2月28日(水)、3月1日（木）
　「単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御」
　 北海道大学・学術交流会館
　[12月11日締め切り]

【ＳＤＭ発表申込・問合先】
　木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
　Tel (075)753-5341, FAX (075)751-5342
　E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
　武村　久（NECシリコンシステム研究所）
　Tel (042)779-6193, FAX (042)771-0886
　E-mail:takemura@mel.cl.nec.co.jp