日時　１１月３０日（木）　13:00〜17:00
   会場　機械振興会館 Ｂ３−２号会議室

   議題　―リソグラフィ・微細加工・先端ＭＯＳデバイス技術―

     ＊各講演時間は発表２０分、質疑応答５分の計２５分です

  １１月３０日（木） 13：00−17：00

   13：00−13：25
   １．高精度電子ビーム描画装置によるＸ線マスク描画特性
  ○ 江崎 瑞仙、中山 義則、菊池 幸子、坪井 伸二、
       渡辺 寛、青山 肇、松井 安次（ＡＳＥＴ）、
       大木 茂久、両澤 哲男（ＮＴＴ）、高橋 進
        （ＮＴＴアドバンステクノロジ）、小田 政利（ＮＴＴ）
  13：25−13：50
   ２．電子線リソグラフィにおけるレジストパターンのエッジラフネス
  ○ 吉澤正樹　守屋茂（ソニー）
  13：50−14：15
   ３．1.0Ｖ駆動による高性能７０ｎｍ―ＣＭＯＳ技術
  ○ 小野 篤樹、深作 克彦、松田 友子、深井 利憲、
       池澤 延幸、今井 清隆、堀内 忠彦（ＮＥＣ）
  14：15−14：40
   ４．低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲート
       ＦＤＳＯＩ−ＣＭＯＳ技術
  ○ 島田 浩行、大嶋 一郎、須川 成利、大見 忠宏（東北大）
  14：40−15：05
   ５．極薄ゲート酸化膜への窒素導入がＮＢＴＩに及ぼす影響
  ○ 君塚 直彦、今井 清隆、飯塚 貴弘（ＮＥＣ）、C. T. Liu、
       R. C. Keller（ルーセント）、堀内 忠彦（ＮＥＣ）

  15：05−15：15
    休憩

  15：15−15：40
   ６．真性チャネルＳＯＩ―ＭＯＳＦＥＴのＶthばらつきに対する
       二次元効果の影響
       ○黄 俐昭、竹内 潔、最上 徹（ＮＥＣ）
  15：40−16：05
   ７．高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた０．１８ｕｍ
       ＣＭＯＳ技術のＲＦ／アナログ混載への応用について
  ○ 前田 茂伸、和田 佳樹、山本 和也、小紫 浩史、
       松本 拓治、平野 有一、岩松 俊明、山口 泰男、
       一法師 隆志、上田 公大、益子 耕一郎、前川 繁登、
       犬石 昌秀（三菱電機）
  16：05−16：30
   ８．エピタキシャルチャネルＭＯＳＦＥＴによるアナログ特性の改善
  ○ 大黒 達也、蓮見 良治、石川 哲也、西郡 正人、親松 尚人、
        松岡 史倫、豊島 義明、石内 秀美（東芝セミコンダクター社）
  16：30−16：55
   ９．極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ：
       ダイレクトトンネルメモリ（ＤＴＭ）
  ○ 堀口 直人、臼杵 達哉、後藤 賢一、二木 俊郎、
       杉井 寿博、横山 直樹（富士通研究所）

  連絡先

     渡辺 重佳 （株式会社 東芝 技術企画室）
     TEL：03−3457−2478 FAX：03−5444−9210
     Email：shigeyoshi.watanabe@toshiba.co.jp

   ☆SDM研究会今後の予定　[　　]内は発表申込締切日
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   ・１２月２１日「半導体Si及び関連材料・評価」
    　奈良先端科学技術大学院大学　[１０月１６日締め切り]
   ・１月「配線技術」
    　機械振興会館　[１１月中旬締め切り]
　・２月２８日、３月１日「単電子・量子効果デバイス」
    （ＥＤと共催）
    　開催場所 北海道　[１２月中旬締め切り]
 
　【ＳＤＭ発表申込・問合先】
   　木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
   　Tel (075)753-5341, FAX (075)751-5342
   　E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
   　堀川貢弘（NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部）
   　Tel (042)779-9920, FAX (042)771-0938
   　E-mail m-horikawa@ab.jp.nec.com