日時　10月19日（木）　13:30〜17:45
　　　　　20日（金）　 9:15〜15:45
会場　東北大学工学部青葉記念会館3階大研修室（仙台市青葉区荒巻字青葉，タクシー：仙台駅より約15
　分，バス：仙台駅西口バスプール9番のりばより乗車（青葉通工学部経由宮教大，青葉通工学部経由青
　葉台，広瀬通理・工学部経由青葉城址循環）「工学部前」にて下車，徒歩2分，TEL〔022〕217-7124，
　〔022〕217-5564 小谷光司）

議題　―半導体加工技術とプロセスクリーン化―
19日午後
１．[招待講演]プラズマエッチングプロセスの課題と今後の展開
　　　○寒川誠二（東北大）
２．バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術 　　　　
　　　○海原竜・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大)
３．ゲート酸化膜の破壊メカニズム　　
        ○寺本章伸・井上真雄・梅田浩司・大野吉和・西本章（三菱電機）
４．原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
　　　○藤崎芳久・石原宏（東工大）
５．ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
　　　○東郷光洋・渡部宏治・山本豊二・五十嵐信行・辰巳徹・小野春彦・最上徹（日電）
６．AFMによるラジカル酸化膜／Si界面平坦化効果の検討
　　　○臼田宏治（東芝）・長嶺真（通信放送機構）・伊藤仁（東芝）・鳥海明（東大）
７．マイクロ波励起高密度プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
　　　○大坪和雄・斉藤祐司・関根克行・平山昌樹・須川成利・Herzl Aharoni・大見忠弘（東北大）
20日午前
１．高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発
　　　○阿久津功（大亜真空）・平山昌樹・大見忠弘（東北大）
２．金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性　　　　
　　　○泉浩人・菊永芳弘・川脇理謁・菊山裕久（ステラケミファ）・櫻井稔久・大見忠弘（東北大）
３．Kr/O2プラズマで形成したシリコン酸化膜、Kr/O2プラズマ照射したCVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
　　　　大見忠弘・○高野順・櫻井稔久・斉藤祐司（東北大）・藪根辰弘（ステラケミファ）
４．Si(100)へのSiH4分子吸着過程
　　　○篠原正典・瀬山顕雄・鎌倉望・木村康男・庭野道夫（東北大）
５．SiGe表面へのSiH4の吸着過程
　　　○鎌倉望・瀬山顕雄・篠原正典・木村康男・庭野道夫（東北大）
20日午後
６．SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
　　　○清田幸弘・小田克矢・大植栄司・速水礼子・近藤将夫・鷲尾勝由（日立中研）・田邊正倫・
　　　　島本裕巳（日立デバイスエンジニアリング）・山口修・稲田太郎（法政大）
７．溶液処理におけるシリコン表面上の酸化物生成機構と残留酸化物がシリサイド化反応に与える効果
　　　○杉田義博（富士通研）
８．内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナロー効果の抑制
　　　○塩沢勝臣・堀田勝之・伊藤康悦・梅田浩司・内田哲也・後藤欣也・黒井隆・徳田安紀・
　　　　井上靖朗・佐藤真一・犬石昌秀（三菱電機）
９．Cu/Ti/TiN/Ti構造を有するダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性
　　　○阿部一英・時藤俊一・鉄田博（沖電気）
10．GHz帯携帯電話用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化
　　　○横山道央・立花良一・坪内和夫（東北大学）

◎19日の研究会終了後，懇親会を企画しております。
　奮ってご参加ください。
 

☆SDM研究会今後の予定　[　　]内は発表申込締切日
・11月「リソグラフィ・微細加工・極微デバイス」
　東京地区　[9月中旬締め切り]
・12月14日（木），15日（金）「シリコンおよび関連
　材料の作製・評価」　奈良先端科学技術大学院大学
　 [10月中旬締め切り]
【ＳＤＭ発表申込・問合先】
　木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
　Tel (075)753-5341, FAX (075)751-5342
　E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
　堀川貢弘（NECエレクトロンデバイス先端デバイス開
　発本部）
　Tel (042)779-9920, FAX (042)771-0938
　E-mail m-horikawa@ab.jp.nec.com