日時　　8月24日（木） 8:30〜17:20
        　　25日（金） 9:00〜17:30
会場　　北見工業大学情報システム工学科１号棟E231講義室（北見市公園町165，女満別空港から：北見市内行きバス約４５分，
　工大入り口下車徒歩１０分，ＪＲ北見駅よりタクシー約１０分，バス（東急〜小泉８号線）10分，TEL ［0157］26-9282
　http://www.kitami-it.ac.jp/ )

議題　　−特集：VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力)−　　　　ゲストオーガナイザ：　榎本忠儀(中大)

24日午前　−システム関係−
08:30
１．動的再構成可能論理LSI - PCA-1
　　　◯伊藤 秀之・小西 隆介・中田 広・小栗 清＊・永見 康一・塩澤 恒道・Norbert Imlig・稲森 稔・名古屋 彰（NTT）（＊長崎大学）
08:55
２．スキューおよびジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案　
　　　○濱本武史・川崎賢・古谷清広・安田憲一・小西康弘（三菱）
09:20
３．低電圧動作LSIのためのレベル変換回路の提案
　　　○菅野雄介・水野弘之・渡部隆夫・田中一雄(日立)
09:45
４．オンチップ伝送線路を用いた GHz クロック分配手法
　　　○安生健一朗・水野正之・住　能和・若林整・深石宗生・最上徹・堀内忠彦・山品正勝(NEC)
10:10 休憩10分
10:20
５．900MHz 18Mb DDR SRAM
　　　○武山泰久・川澄　篤・秦田　浩・平林　修・亀田　靖・浜野隆裕＊・大塚伸朗(東芝)(＊東芝マイクロエレクトロニクス)
10:45
６．３しきい値CMOS/SIMOX回路構成法による低消費電力54ｘ54ｂ乗算器
　　　◯藤井孝治・道関 隆国(NTT)
11:10
７．閾値切り替え技術を用いた４５０ＭＨｚ６４ビットＲＩＳＣプロセッサ　　
　　　○山下毅雄・吉田直樹＊・坂本将俊・松本 隆・楠 貢・高橋英行・若原 篤・伊藤 卓司・清水 照久・栗田 公三郎・日下田 圭一
　　　　森 和孝・丹場 展雄・加藤 直樹・宮本 和久・山縣 良・田中 広紀・檜山 徹(日立)(＊日立超ＬＳＩシステムズ)
11:35
８．高速動きベクトル検出アルゴリズム(2ステップ中断法)とCMOS動きベクトル検出アレイ
　　　○小田部晃・榎本忠儀(中大)
12:00

24日午後
13:00
９．(特別招待論文)ポストIMT-2000におけるサービス
　　　○安田　浩（東大）
13:50
10．MPEG4/H26x 30fr/s ビデオ処理可能な低消費電力メディアプロセッサコアアーキテクチャ　
　　　○大平英雄・亀丸敏久・鈴木弘一・浅野研一・吉本雅彦(三菱電機)
14:15休憩10分
14:25
11．16MビットDRAM混載MPEG-4テレビ電話用LSI　
　　　　西川剛志・高橋真史・濱田基嗣・高柳俊成・荒木田英穂・町田憲明・◯山本英明・藤吉敏英・松元洋子・山岸　修
　　　　佐間田達雄・浅野篤・寺沢敏弘＊・大森賢二＊・白倉順也＊・渡辺吉規＊・中村広樹＊＊・南重信・黒田忠広・古山透
　　　　(東芝)(＊東芝マイクロエレクトロニクス)(＊＊東芝情報システム）
14:50
12．MPEG-4 テレビ電話用 LSI の音声/オーディオ処理部
　　　◯大森賢二＊・高橋真史・中村広樹＊＊・白倉順也＊・奥田裕二・竹内広和・長田将高・南重信・古山透(東芝)
　　　　(＊東芝マイクロエレクトロニクス)（＊＊東芝情報システム）
15:15休憩10分
15:25
13．パネル討論：携帯情報端末用(IMT-2000等)MPEG-4LSI技術
　　　　オーガナイザ：榎本忠儀(中大)／モデレータ(司会)：吉本雅彦(三菱)／パネリスト：LSI側：高橋真史(東芝：H/W)・
　　　　道山淳児(松下：専用DSP)・大平英雄(三菱：専用SIMD)・荒川文男(日立：RISC)／システム側：木村淳一
　　　　(日立：プロセッサのソフトウエアインプリメント)・人選中(未定：パケットビデオ)
17:20(17:50まで延長可能)

25日午前　−デバイス・プロセス・RF関係−
09:00
１．Boosted Gate MOS(BGMOS):デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案　　
　　　○犬飼貴士・高宮真・野瀬浩一・川口博・桜井貴康・平本俊郎(東大)
09:25
２．不揮発性ホールメモリーの検討」
　　　○奥戸雄二・片山藍・西上英吾(名古屋市大)
09:50
３．対称なガウス型ポテンシャル包絡をもつ変調超格子のミニバンド構造
　　　○浅倉邦彦・鈴木正清・真田博文・永井信夫(北大)
10:15
４．0.5-1V 2GHz RF front-end circuits in CMOS/SIMOX
　　　○原田充・束原恒夫・小舘淳一・山岸明洋・山田順三(NTT)
10:40休憩5分
10:45
５．リミッタアンプ回路混載３.５Gbps CMOS／SIMOXトランシーバ
　　　○西坂美香・西村和好・大友祐輔(NTT)
11:10
６．量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
　　　○池田修二(日立)
11:35
７．DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
　　　○蒲原史朗・久保田勝彦・茂庭昌弘・大湯静憲・荻島淳史(日立)
12:00

25日午後
12:50
８．(特別招待論文)シリコンの表面マイグレーションを用いたＳＯＮ(Silicon on Nothing)構造の形成技術
　　　○綱島祥隆・佐藤力・水島一郎(東芝)
13:40
９．原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作
　　　　 栗野浩之・朴　起台・ �d 志哲・○小柳光正・高　光旭(東北大)
14:05
10．(特別招待論文) サブ0.1umCMOS技術
　−エレベイテッド ソース・ドレイン技術を中心に−
         ○阿部雄次・杉原浩平・三浦成久・古川泰助・塩沢勝臣・佐山弘和・中畑　匠・大石敏之・丸野茂光・徳田安紀(三菱)
14:55
11．SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現　　
　　　○宮下　桂・吉村 尚郎・高柳万里子・藤原 実・安達甘奈・中山武雄・豊島義明(東芝)
15:20休憩5分
15:25
12．(特別招待論文)　低誘電率層間材料を用いたＣuデュアルダマシン配線技術　
　　　○丸山裕之・大島隆文・青木英雄・前川厚志＊・宇野正一・福田琢也・小林伸好(日立)(＊日立超ＬＳＩシステムズ)
16:15
13．低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
　　　○山村育弘・長谷川利昭・池田浩一・徳永和彦・深沢正永・鬼頭英至・宮田幸児・駒井尚紀・田口充・平野信介
　　　　辰巳徹也・門村新吾（ソニー）
16:40
14．ＴａおよびＴａＮ積層バリア膜をもつＣｕ／poly-ＳｉダマシンゲートＭＯＳＦＥＴ　　
　　　○松木武雄・岸本光司・伊藤信和・藤井邦宏＊・吉田和由・大音光市・山崎進也・新村俊樹＊＊・笠井直記(NEC)（＊NEC-UK）(＊＊NEC山形)
17:05
15．ダマシンメタルゲートトランジスタ技術−しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション−
　　　○齋藤友博・八木下淳史・中嶋一明・犬宮誠治・松尾浩司・村越篤・赤坂泰志・小澤良夫・矢野博之・南幅学・松井之輝
　　　　尾本誠一・綱島祥隆・須黒恭一・有門経敏・奥村勝弥(東芝)
17:30
 

☆　SDM研究会今後の予定　[　　]内は発表申込締切日
  9月21日（木）、9月22日（金）　機械振興会館「プロセス・デバイス・回路シミュレーション」　[7月14日（金）］
10月19日（木）、10月20日（金）　東北大学「半導体加工技術とプロセスクリーン化」　[8月中旬］
【ＳＤＭ発表申込・問合先】
    木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
    Tel 075-753-5341, FAX 075-751-5342
    E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
　堀川貢弘  (NECエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部)
　Tel 042-779-9920, FAX 042-771-0938
　E-mail m-horikawa@ab.jp.nec.com