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平成１５年５月 シリコン材料・デバイス研究会(SDM/ED/CPM共催)プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 赤澤正道・浅野種正 幹事補佐 平谷正彦
●日時 平成15年5月15日（木）10:20～17:20
16日（金）9:00～16:20
●会場 豊橋技術科学大学 ベンチャービジネスラボラトリー
（豊橋市天伯町雲雀丘１－１ 豊橋技術科学大学内）
●行き方 豊橋駅前⑤番のりばから
豊鉄バス 細谷線に乗車(細谷東行き、技科大前行き、又は福祉村行き)
技科大前で下車（約３０分）
http://www.tut.ac.jp/Frame00/sub_syokai.htm
Tel：053-44-6742 若原昭浩
議題「結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料）」
－プログラム－
5月15日午前
1. リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長
○重盛 聡、中村篤志、青木 徹、天明二郎（静岡大）
2. リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長
○中村篤志、清水克美、青木 徹、天明二郎（静岡大）
3. AlInN混晶の成長と光学特性の評価
○藤盛敬雄、今井 恒、若原昭浩、岡田 浩、吉田 明（豊橋技科大）
柴田智彦、田中光浩（日本ガイシ）
4. MOVPE法における各種基板上のInN膜の成長及び評価
○下野健二、神保正宏、渡辺康弘、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇（名城大）
5. 高品質AlGaNのMOVPE成長
○川島 毅士、宮崎 敦嗣、飯田 一善、井村 将隆、佐野 智昭、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇（名城大）
5月15日午後
6. 量子カスケ－ドレ－ザ用AlN/GaN量子井戸の作製と構造評価
○曽根直樹、長澤仁也、石野健英、井上 翼、藤安 洋、石田明広（静岡大）
7. MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学特性評価およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学特性評価
○井村 将隆、佐野 智昭、岩谷 素顕、新田 州吾、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇（名城大）
8. Si3N4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT
○ 落合 大, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝（名大）
9. AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性
○ 塩島 謙次,重川 直輝（ＮＴＴフォトニクス研）
10. 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得
○牧本 俊樹、熊倉 一英（ＮＴＴ）、小林 直樹（電通大）
11. 低転位ＡｌＧａＮを用いた紫外レーザダイオード
○ 飯田一喜、高浪 俊、川島毅士、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇（名城大）
12. 高窒素組成GaAsPNおよびInGaPNの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上
○善積祐介、百瀬賢治、内海淳志、古川雄三、米津宏雄（豊橋技科大）
13. C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性
○小田康裕（ ＮＴＴフォトニクス研）、渡邉則之、内田昌宏（ＮＴＴアドバンステクノロジ）、横山春喜、杉山弘樹、佐藤理夫、小林隆（ ＮＴＴフォトニクス研）
14. Si基板上の（Ga,Mn）Asの成長とその磁気輸送特性評価
○佐藤慎哉、神保良夫、内富直隆（長岡技科大）
15. Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価
○清水寛俊、西田英治、本田真士、永塩豊、藤安洋（静岡大）
16. MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価
○中西 祐太郎、馬淵 崇、内田 圭、草間 啓年、安形 保則、マダン ニラウラ、安田 和人（名工大）
17. 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価
西山友和、○金恩美、沼田和俊、朴康司（豊橋技科大）
5月16日午前
1. CuInSe2薄膜の放射線損傷とアニ-ル効果の検討
○夏目 諭,藤田 尚樹,李 海錫,岡田 浩,若原 昭浩,吉田 明（豊橋技科大）
2. 蒸着法により作製したＣｕＩｎＴｅ２薄膜の結晶性評価
○池田広、吉田龍三、高橋崇宏、江間義則（静岡大）
3. 液滴ヘテロエピタキシャル法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型発光デバイスへの応用
○李祐植,大賀涼,吉田義浩,藤原康文,竹田美和（名大）
4. MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製と評価
○西本 宜央,山口 雅史,澤木 宣彦（名大）
5. GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
○吉兼 豪勇,小泉 淳,藤原 康文,浦上 晃,井上 堅太郎,竹田 美和（名大）
6. ２μｍ帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価
○天野政信、河村裕一、大内一浩、井上直久（大阪府大）
7. 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体
○李 輝宰、今田 明範、藤原 淳志、江村 修一、長谷川 繁彦、朝日一（大阪大）
8. 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究
○井上大那、槇英信、森敬洋、小川和男、小泉淳、吉兼豪勇、田渕雅夫、藤原康文、竹田美和（名大）
9. InP(001), (111)A, (111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察
○平田智也（名大）、茜俊光（科学技術振興事業団）、久野尚志、神野真吾、藤原康文、中村新男、竹田美和（名大）
5月16日午後
10. 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
以西雅章、○深谷健太郎、笠井崇史、岡村正吾、藤安洋（静岡大）
11. 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪
吉田 泰則, ○秋本晃一, 一宮彪彦（名大）
榎本 貴志（豊田高専）、菊地 敏, 板垣 和夫（三菱化学）、浪田 秀郎（シーエーシーズ）
12. エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上への強誘電体薄膜形成
○赤井大輔, 余川三香子, 平林京介, 澤田和明, 石田誠（豊橋技科大）
13. カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討
○小林 貴行、井上 勉、岡田 浩、藤村 洋平、若原 昭浩、滝川 浩史、吉田 明（豊橋技科大）
14. マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用
○河野 剛士、加藤 陶子、石野 寛、、高尾 英邦、澤田 和明、石田 誠（豊橋技科大）
15. 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果
○石川靖彦、今井泰宏、ラトノ ヌルヤディ、池田浩也、田部道晴（静岡大）
16. 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性
○北居正弘、池田乙元、佐々木公洋、畑朋延（金沢大）、森田信一（IHIエアロスペース）
17. 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGeHBTパワーアンプ
○神田敦彦,松野年伸,田中毅（松下電器）
◎ 15日の研究会終了後、懇親会を企画しております。
◎ 16日の研究会終了後、VBLツアーを企画しております。奮ってご参加ください。