開催日時：　　平成１３年３月５日(月)、６日(火)
　開催場所：　　大阪大学コンベンションセンター第２会議室
　　　　　　　　　　〒５６５ー０８７１吹田市山田丘１ー１
　　　　　　　　　（地下鉄千里中央駅または大阪空港より大阪
　　　　　　　　　モノレールで大阪大学病院前駅（阪大東門のそば）
　　　　　　　　　下車徒歩１０分
　　　　　　　　　または千里中央より阪急バスで大阪大学本部前駅下車徒歩５分

　　　　　　会場の場所、行き方については下記のホームページをご参照下さい。
　　　　　　http://www.osaka-u.ac.jp/annai/campus/access.html
　　　　　　http://www.osaka-u.ac.jp/annai/campus/access2.html
　　　　　　http://www.osaka-u.ac.jp/annai/campus/suita.html

議題  --- 強誘電体薄膜とメモリ応用 ---

（プログラム）

３月５日
13:00-13:25
1. HF+ヒドラジン処理をしたエピタキシャル (100)ZnN/(100)Si構造上への（100）Ir薄膜の作製
   ○堀井貞義、戸田猛夫、Tran Dang Khoa、堀田将（北陸先端科学技術大学院大学）

13:25-13:50
2. MFIS用Al203/Si3N4バッファー層
   ○藤崎芳久、木島健、石原宏　（東工大フロンティア研）

13:50-14:15
3. Bi2SiO5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
   ○山口正樹、長友隆男、増田陽一郎　（芝浦工大）

14:15-14:40
4. ゾルゲル法による(BiLa)3Ti4O12薄膜の作製とMFMIS構造への応用
   ○磯辺武揚、徳光永輔、木島健*、石原宏*　（東工大精研、*フロンティア研）

14:40-15:00　休憩

15:00-15:25
5. MFIS構造のメモリ保持特性の解析
   ○高橋光恵、児玉一志、野田実、奥山雅則（大阪大学基礎工学研究科）

15:25-15:50
6. I層にMgOを用いたMIS及びMFIS構造の作製とその評価
   ○村田修平、藤沢浩訓、清水勝、丹生博彦（姫路工業大学工学部）

15:50-16:15
7. エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートＦＥＴの試作と電気特性
   ○右田真司、坂巻和男*、熊四輩、太田裕之、垂井康夫、酒井滋樹 （電子技術総合研究所、*日本プレシジョンサーキッツ(株)）

16:15-17:05（招待講演）
8. メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性
   ○島川祐一 、久保佳美、田内裕基*、神山崇**、浅野肇* （NEC基礎研究所、*筑波大学物質工学系、**高エネルギー加速器研究機構）

17:10-　懇親会

３月６日
 9:30-9:55
9. Ru(EtCp)2/THF原料を用いたＣＶＤ法によるＲｕ電極の形成
   ○嶋本泰洋、平谷正彦、松井裕一、生田目俊秀* （(株)日立製作所中央研究所、*(株)日立製作所日立研究所）

 9:55-10:20
10. 高品質SrBi2Ta2O9薄膜の低温合成と配向制御
     ○額賀紀全、三矢昌俊、舟窪浩　（東京工業大学総合理工学研究科）

10:20-10:45
11. Pb(Mg1/3Nb2/3)O3薄膜コンデンサの作製と電気特性
     ○生田目俊秀、鈴木孝明、岡本達司* 、綿引誠次、荻原衛* 、田中稔、松山治彦 （日立日立研、*日立ＥＳＤ）

10:45-11:00　休憩

11:00-11:25
12. 層間絶縁膜中ＯＨ基によるPt/PLZT/Ptキャパシタの劣化
     ○末永和史、尾形潔、脇弘道*、森光廣 （日立製作所生産技術研究所、*日立製作所半導体グループ）

11:25-12:15
13. （招待講演）モルフォトロピック相境界と物性
     ○石橋善弘（愛知淑徳大学）