シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 最上徹 副委員長 徳光永輔
幹事 木本恒暢・武村久 幹事補佐 野口隆・赤澤正道
電子デバイス研究会（ED）
専門委員長 上田大助 副委員長 水谷孝
幹事 田上知紀・山幡章司 幹事補佐 筒井一生・亀山敦
日時 平成１３年２月２８日（水） １０：００～１７：００
平成１３年３月 １日（木） ９：１０～１５：２０
会場 北海道大学学術交流会館（札幌市北区北８条西５， JR札幌駅北口東側より徒
歩10分，北大正門を入ってすぐ左手、TEL（011）706－7149 赤澤正道）
議題 －単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御－
２月２８日午前
[ナノ構造形成]
＜１０：００～１２：００＞
1) Si-GSMBEの選択成長を用いたc-Si/SiO2低次元構造の作製
○瀬川徹・松本智（慶大）
2) 加工微傾斜基板を用いた多段原子ステップの形成とその応用
○小田康裕・原田俊文・本久順一・福井孝志（北大）
3) MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
○村中司・伊藤章・江潮・長谷川英機（北大）
4) 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
○山口雅史・本田善央・澤木宣彦（名大）
5) エピタキシャル弗化物薄膜上への位置制御された金属極微細構造の選択形成
山田聡・平林文人・○筒井一生（東工大）
6) 多孔質アルミナ膜に形成したカーボンナノチューブの物性
○武末出美・長谷川哲郎・春山純志（青学院大）
＜昼食：１２：００～１３：００＞
２月２８日午後
[ナノ物性評価（Ⅰ）]
＜１３：００～１５：００＞
7) n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
○庄子亮平・吉田俊幸・橋詰保・赤澤正道・長谷川英機（北大）
8) Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
○石川靖彦・田部道晴（静岡大）・澤田和明（豊橋技科大）
9) InAs/GaAs (111)A ヘテロ構造と電子波のSTM観察
○山口浩司・蟹沢聖・平山祥郎（NTT）
10) 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs,InGaAs量子ドットの量子サイズ効果
と合金化
○山内武志（CREST）・大山泰明・松葉康・田渕雅夫（名大）・
中村新男（名大、CREST）
11) 静電気力顕微鏡によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
○片野由人・土井俊洋・大野啓・阿部真一郎・陽完治（北大）
12) 量子ドット，フォトニック結晶融合構造による光非線形の増強
○中村均・河本滋・Niclas Carlsson・杉本喜正・浅川潔（FESTA）
＜休憩 ２０分＞
[ナノデバイス（Ⅰ）]
＜１５：２０～１７：００＞
13) QMESFETの提案と試作
○赤澤正道・葛西誠也・橋詰保・長谷川英機（北大）
14) 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
○筒井将史・長井敏明・浅田雅洋（東工大）
15) シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
○香野淳（福岡大）・池田弥央・村上秀樹・宮崎誠一・廣瀬全孝（広大）
16) シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズばらつき
の影響評価とポテンシャル分布
○王海寧・間島秀明・犬飼貴士・齋藤真澄・
後明寛之（東大）・平本俊郎（東大、CREST）
17) 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモ
リ動作について
○粟野祐二・島昌司・佐久間芳樹・
杉山芳弘・横山直樹（富士通）
＜見学会 １７：００～１８：００ 量子界面エレクトロニクス研究センター＞
＜懇親会 １８：００～１９：３０ 百年記念館内 きゃら亭＞
３月１日午前
[ナノデバイス（Ⅱ）]
＜９：１０～１０：２０＞
18) [招待講演] ショットキーラップゲートを用いた単電子BDDデバイス
○葛西誠也・雨宮好仁・長谷川英機（北大）
19) 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
○小野行徳・高橋庸夫（NTT）
20) 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特
性
○齋藤真澄・高橋信義・平本俊郎（東大）
＜休憩 ２０分＞
＜１０：４０～１２：００＞
21) 80 nmゲート長を有するセルフアラインSTT
〇全容震・植村哲也・馬場寿夫（NEC）
22) ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
○湯元美樹・岩谷将伸・葛西誠也・長谷川英機（北大）
23) 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
○川野陽一・岸本茂・前沢宏一・水谷孝（名古屋大）
24) UTC-PDを用いた1.55um用進行波型光検出器
○廣田幸弘・石橋忠夫・伊藤弘（NTT）
＜昼食：１２：００～１３：００＞
３月１日午後
[ナノ物性評価（Ⅱ）]
＜１３：００～１５：２０＞
25) 縦型２重量子ドットにおけるスピン選択トンネル
○大野圭司（東大）・樽茶清悟（東大、NTT、ERATO）
26) Metal-insulator transition in InxGa1-xAs/GaAs(311)B laterally coupled
quantum dots
○宋海智・赤羽浩一・藍勝・許懐哲・岡田至崇・川辺光央（筑波大）
27) 結合量子ドット構造における電気伝導
石田琢也・小林雅幸・○森伸也・濱口智尋（大阪大学）
28) 縦型結合ドット配列中の電子状態
○藤井研一・佐野泰弘・大山忠司・音賢一・
鷹岡貞夫・邑瀬和生・蒲生健次（阪大）
29) ヘテロ界面に周期性を有する量子井戸とその伝導特性
○野田武司（東大）・中村有水（マックス・プランク研究所）・
榊裕之（東大）
30) 横方向超格子ナノ構造の発光分光
○野村晋太郎（筑波大、理研）・半村清隆（理研）・
青柳克信（東工大、理研）
31) Ni量子細線アレイにおける巨視的量子トンネリングとその素子応用
○加藤周・森久美子・高沢一也・中野城太郎・春山純志（青学院大）
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☆SDM研究会今後の予定 [ ]内は発表申込締切日
・平成13年3月5日(月)、3月6日（火）
「強誘電体薄膜とメモリ応用」
大阪大学コンベンションセンター
[1月１２日締め切り]
・平成13年3月８日(木)、3月９日（金）
「MOSデバイス技術、SOI基板/デバイス技術」
東京・機械振興会館
[1月９日締め切り]
【ＳＤＭ発表申込・問合先】
木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
Tel (075)753-5341, FAX (075)751-5342
E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
武村 久（NECシリコンシステム研究所）
Tel (042)779-6193, FAX (042)771-0886
E-mail:takemura@mel.cl.nec.co.jp