SDM09program

平成１４年６月シリコン材料デバイス研究会プログラム
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電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
研究会テーマ：「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」

合同開催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会学術講演会
「100nm技術ノードにおける絶縁膜，小特集：絶縁膜評価技術」

開催日時：平成１４年６月２０日（木）、２１日（金）
開催場所：広島大学　学士会館２階レセプションホール
　東広島市鏡山１丁目２番２号
　TEL（0824）24-6992
交通：
【ＪＲ山陽本線を利用する場合】
　　ＪＲ西条駅バス「西条駅→広島大学（循環便）」広島大学
　　（広大中央口）下車 (所要時間約２０分)
【山陽新幹線を利用する場合】
　　新幹線東広島駅バス「東広島駅→広島大学」広島大学（広大中央口）　下車
　　(所要時間１５分)
【広島空港を利用する場合】
　　広島空港バス「空港→ＪＲ白市駅」ＪＲ山陽本線「白市駅→西条駅」
　　西条駅バス「西条駅→広島大学（循環便）」広島大学（広大中央口）　　
　　下車 (所要時間約２０分)
*会場へのアクセスについては、下記のホームページをご参照下さい。
http://www.bur.hiroshima-u.ac.jp/~koho/koutsuu/koutsuu-annai.html
東広島キャンパス拡大図では、研究者交流施設と表示されています。

-プログラム-
6月20日（木）
13：00-13：20
サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
○ 東郷光洋，最上徹
NEC シリコンシステム研究所

13：20-13：40
プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化
の検討
○ 関根克行、犬宮誠治、福井大伸、高柳万里子、水島一郎、綱島祥隆
（株）東芝セミコンダクター社

13：40-14：00
マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に
関する研究
○程 ?涛、大嶋一郎、*島田浩行、**小野泰弘、**平山昌樹、**寺本章、須川成利、**大見忠弘
東北大学大学院工学研究科、*セイコーエプソン（株）、**東北大学未来科学技術共同研究センター

14：00-14：20
励起活性種を用いた極薄ゲート絶縁膜の低温形成
○ 今奥崇夫、矢野裕司、畑山智亮、浦岡行治、冬木隆
奈良先端科学技術大学院大学

14：20-14：40
Cat-CVD法を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成
○ 森本類、吉川明子、和泉亮、松村英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

14：40-15：00
薄膜ゲート絶縁膜の量子力学的解析
○ 斎藤慎一、嶋本泰洋、鳥居和功、平谷正彦、尾内享裕
（株）日立製作所中央研究所

15：00-15：20　休憩（20分）

15：20-15：40
CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
○ 岡垣健，谷沢元昭，国清辰也，網城啓之，石川清志，井上靖朗
三菱電機(株) ULSI技術開発センター

15：40-16：00
リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
○ 嶋本泰洋、外村修、鳥居和功、平谷正彦
(株)日立製作所中央研究所

16：00-16：20
最新の極薄酸化膜評価法について
○関野敏正，川畑茂
アジレント・テクノロジー（株）デバイステストマーケティング部　

16：20-16：40
SiO2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
○ 高橋健介，ムスタファビンセマン，*廣瀬和之，服部健雄
武蔵工業大学、*宇宙科学研究所

16：40-17：00
Bipolar voltage pulse induced current ? a means for reliable extraction of interface trap
distribution in ultrathin oxides MOS structures
◯ Quazi D.M. Khosru、中島安理、横山新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター

17：00-17：20
ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース／ドレインSOI-MOSFETの特性
○ 西坂美香、吉田敦信、浅野種正
九州工業大学マイクロ化総合技術センター

17：30-19：30　懇親会　

6月21日（金）
9：00-9：20
Al2O3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
○ 谷田義明，田村泰之，山口正臣，宮垣真治，吉田親子，杉山芳弘，田中均
富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

9：20-9：40
CVD AlOx:N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析と
エネルギーバンドプロファイルの決定
○ 須山篤志、横井宏和、山下寛樹、奈良崎昌宏、*水林亘、村上秀樹、宮崎誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科

9：40-10：00
分子層制御CVDによるAlOx:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
○ 村上秀樹、横井宏和、水林亘、須山篤、山下寛樹、*高文秀、宮崎誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科、*岩谷産業

10：00-10：20
TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
○ 犬宮誠治、高大為、江口和弘
（株）東芝セミコンダクター社

10：20-10：40
高分解能RBSによるZrO2/Si界面の評価
○ 笹川薫，藤川和久
（株）コベルコ科研

10：40-11：00　休憩（20分）

11：00-11：20
Hf[N(C2H5)2]4を用いたＭＯＣＶＤによるHfO2膜の形成技術
○ 久保万身、高橋毅、神力博
東京エレクトロンＡＴ

11：20-11：40
制限反応スパッタ法によるZrO2の成長とゲート絶縁膜特性
○ 河合賢太郎、蓮達弘、文珠康真、*和泉亮、佐々木公洋、畑朋延
金沢大学、*北陸先端科学技術大学院大学

11：40-12：00
デュアルゲートCMOS応用を目指したN+注入によるMo仕事関数制御とその影響
○天田高明、日野真毅、前田展秀、芝原健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター

12：00-12：20
(Ba,Sr)TiO3キャパシタ特性の下地電極依存性
○ 山田紘士、*大下祥雄、吉川公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター、*豊田工業大学

12：20-12：40
(Ba,Sr)TiO3膜物性の下地Si基板方位依存性
○ 大和昌樹、山田紘士、吉川公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター

13：30-15：00　
見学会：ナノデバイス・システム研究センター、放射光科学研究センター

6月研究会に関するお問い合わせ先：
信学会、SDM側
　宮崎誠一(広島大）　miyazaki@sxsys.hiroshima-u.ac.jp
　西岡泰城（日本TI）　y-nishioka@ti.com
　神力博(東京エレクトロン）　Hiroshi.Shinriki@tel.co.jp
応物、シリコンテクノロジー分科会側
　木村紳一郎（日立）　sayo@crl.hitachi.co.jp
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☆SDM研究会今後の予定　
　※詳しくは
http://www.ieice.org/%7Esdm/jpn/schedule2002.htmlをご覧下さい。

８月研究会　「VLSI回路、デバイス技術　および一般」
（ＩＣＤと共催）
締め切り：平成13年６月２２日（土）（予定）
開催日時：平成13年８月２２日(木)、２３日（金）
開催場所：はこだて未来大学（予定）

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