★ 電子部品・材料研究会（ＣＰＭ）
専門委員長  山本　寛  副委員長  星 陽一
幹事  日比野善典・安井寛治  幹事補佐  藤浦和夫
5月28日からの専門委員長、副委員長、幹事
専門委員長  山本　寛  副委員長  星 陽一
幹事  藤浦和夫・安井寛治

★電子デバイス研究会（ＥＤ）
専門委員長　水谷孝　副委員長　葛原正明
幹事　山幡章司・筒井一生　　幹事補佐  亀山敦・松尾直人
5月28日からの専門委員長、副委員長、幹事、幹事補佐
専門委員長　水谷孝　副委員長　榎木孝知
幹事　筒井一生・松尾直人　　幹事補佐  中島成・田中毅

研究会テーマ　  結晶成長、評価技術及びデバイス化合物、Si、SiGe、電子材料、太陽電池、高耐圧素子等）

開催日時：　平成１３年５月２３日（木）　10:00〜18:15
　　　　　　平成１３年５月２４日（金）　 9:30〜17:25

開催場所：　名古屋大学IB電子情報館10階　大学院講義室
　　　　　（ 名古屋市千種区不老町，地下鉄東山線本山下車（３番または４番出口）徒歩１５分，
　　　　　　または，本山駅（３番出口）より 市バス「島田住宅」「平針住宅」「名古屋大学」行き乗車，
　　　　　　「名古屋大学前」下車．TEL [052]-789-3363竹田美和）
 

２３日（木）  【小特集：III族窒化物研究の最前線】
２３日午前

1．［特別講演1］横方向成長による低転位AlGaN
○岩谷素顕・佐野智昭・寺尾真二・望月信吾・中村哲也・上山 智・天野 浩・赤崎　勇（名城大学、HRC）

2．［特別講演2］MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化
○田中光浩・柴田智彦・坂井正宏・小田　修（日本ガイシ）・平松和政・三宅秀人（三重大学）・石川博康・江川孝志・神保孝志（名古屋工業大学）

3．選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製
○黒岩洋佑・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名古屋大学）

4．MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO
○直井弘之・生川満久・三宅秀人・平松和政（三重大学）

２３日　午後

5． (001)Si 傾斜基板上への(1-101)GaN の結晶成長
○亀代典史・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名古屋大学）

6．ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長
○荒木　努・北村　健・間宮　恒・丸山隆浩・名西やすし（立命館大学）

7．RF-MBE法を用いた高In組成InGaNの結晶成長と特性評価
○堀　正輝・加野賢二・山口智宏・齋藤義樹・荒木　努・名西やすし（立命館大学）

8．MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長
○奥野浩司（静岡大学）・大塚康二（サンケン電気）・桑原憲弘・角谷正友・高野　泰・福家俊郎（静岡大学）

9．埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一
○佐野智昭・岩谷素顕・寺尾真二・望月信吾・中村哲也・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大学、HRC）

10．AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性
○木田喜啓・直井弘之・三宅秀人・平松和政（三重大学）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）

11．GaN　HEMTのエレクトロルミネッセンス
○仲尾　健・大野雄高・秋田光俊・岸本　茂・前澤宏一・水谷　孝（名古屋大学）

12．Tbをイオン注入したGaNの発光特性
○若原昭浩・山本鉄隆・中西康夫・岡田浩・吉田　明（豊橋技術科学大学）・大島　武・伊藤久義（日本原子力研究所）

13．深紫外LEDの発光特性評価　
○高浪　俊・宮崎敦嗣・寺尾真二・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大、HRC）

14．透明ショットキー電極構造を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価
○太田慶一・渡辺博信・元垣内敦司・平松和政（三重大学）・大内洋一郎・只友一行（三菱電線工業）・濱村　寛・新坂俊輔・塩谷　英一（ニコン）・福井一俊（福井大
学）

15．［特別講演３］III族窒化物を用いたLEDの作製とその応用
柴田直樹（豊田合成）

24日（金）
２４日午前

1．MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価
○川内康弘・石黒智章・森下浩志・馬淵　崇・安形保則・安田和人（名古屋工業大学）

2．MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長特性と電気特性評価
○森下浩志・石黒智章・川内康弘・馬淵　崇・安形保則・安田和人（名古屋工業大学）

3．MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長
○岩堀英哲・小林佳津・黒柳直人・桑原憲弘・福家俊郎・高野　泰（静岡大学）

4．MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性
○槇　英信・園山貴広・小川和男・田渕雅夫・竹田美和（名古屋大学）

5．InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価
○大賀　涼・李　祐植・藤原康文・竹田美和（名古屋大学）

6．エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性
○岡田尚晃・田口裕規・板倉健太郎・曽我哲夫・神保孝志（名古屋工業大学）・梅野正義（中部大学）

２４日午後

7．減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性
○小泉　淳・藤原康文・井上堅太郎・吉兼豪勇・竹田美和（名古屋大学）

8．GaAsSbのMOCVD成長とCBr4によるCドーピング
○小田康裕・渡邉則之・小林　隆（ＮＴＴフォトニクス研究所）

9．Si,GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討
畑　朋延・佐々木公洋・近田晴彦・○池田乙元・杉野　誠（金沢大学）

10．GeC/SiへのC取り込みに対する低温成長とIBADの効果
○沖仲元毅・宮武耕志（奈良先端科学技術大学院大学）・浜名康全（浜松フォトニクス）・徳田　崇、太田　淳・布下正宏（奈良先端科学技術大学院大学）

11．HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT
○清田幸弘（日立中研）・有働　勉（日立超ＬＳＩ）・橋本　尚（日立デバイス開発センタ）・児玉彰弘・島本裕巳（日立デバイスエンジニアリング）・速水礼子・鷲尾勝
由（日立中研）

12．無機、有機強誘電体の分極反転による電子放出
中村英巧・○大村和明・森田慎三（名古屋大学）

13．電圧印加?‐PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定
○桑山年雄・市村正也・荒井英輔（名古屋工業大学）

14．単結晶CuInSe２薄膜の電子線照射欠陥の評価
○    藤田尚樹・李　海錫・岡田　浩・若原昭浩・吉田　明（豊橋技術科学大学）・大島　武・伊藤久義（日本原子力研究所）

15．パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価
〇佐藤直也・市村正也・荒井英輔（名古屋工業大学）・山崎芳文（富士ゼロックス）

16．光化学堆積法によるZnS薄膜の作製と評価
○小林良平・佐藤直也・市村正也・荒井英輔（名古屋工業大学）

◎    23日（木）の研究会終了後、懇親会を予定しております。奮ってご参加ください。