★電子デバイス研究会 (ED)
専門委員長  水谷 孝  副委員長  葛原正明
幹事  山幡章司・筒井一生  幹事補佐  亀山 敦・松尾直人
 

研究会テーマ：「量子効果デバイス及び関連技術」
                                                                     　
開催日時：　 2002年1月28,29,30日(月、火、水)
　　　　　　　　　　　　　1月28日（月）　13:30〜17:15
　　　　　　　　　　　　　　　29日（火）　9:15〜17:15
　　　　　　　　　　　　　　　30日（水）　9:15〜12:00

開催場所：   北海道大学百年記念館1階会議室
　　　　　　　　（札幌市北区北８条西５，JR札幌駅北口東側より徒歩10分，北大正門を入ってはじめの右
　　　　　　　　　折路に入り左手、TEL（011）706−7171　葛西誠也または赤澤正道）

−プログラム−
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28日午後1:30-
（量子ナノ構造の形成と物性（１））
1.[招待講演] MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用
　○本久順一・中島史人・赤堀誠志・福井孝志（北大）
2.　半導体量子ドットにおける近藤効果
　○佐々木智（NTT）・樽茶清悟（東大/ERATO/NTT）
3.　MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
　○玉井功・佐藤威友・長谷川英機（北大）
4.　結合量子細線におけるクーロンドラッグ
　○山本倫久（東大/ERATO）・M. Stopa（ERATO）・平山祥郎（NTT）・都倉康弘・（NTT）・大野圭司（東大）・樽茶清悟（東大/ERATO/NTT）
5.　GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
　○石原崇章・赤堀誠志・本久順一・福井孝志（北大）
6.　InGaAs／InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
　山川市朗・塩沢学・涌井義一・田名瀬勝也・濱中泰・○中村新男・大賀涼・藤原康文・竹田美和（名大）
7.　InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子−正孔相関
　○鈴木恭一（NTT）・宮下宣（NTTアドバンステクノロジ）・平山祥郎（NTT/CREST）
8.　電気化学的手法によるInPポーラス構造の形成と応用
　○ 平野哲郎・佐藤威友・長谷川英機（北大）

29日午前9:15-
（量子ナノ構造の形成と物性（２））
1.　カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
　○前田親志・尾関宣仁・岸本茂・水谷孝・菅井俊樹・篠原久典（名大）
2.　GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
　○根来　昇・長谷川英機（北大）
3.　BEEMを用いた電子波回折の観測実験
　○町田信也・古屋一仁・平田朋彦・前堅一・宮本大悟（東工大）
4.　GaN dry etching process for quantum nanostructure formation
　○ Zhi Jin, Makoto Endo, Tamotsu Hashizume, Seiya Kasai, Hideki Hasegawa (Hokkaido University)
5.　GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
　○斎藤敏夫・荒川泰彦（東大）
6.　多層カーボンナノチューブアレイにおける超伝導近接効果
　○高沢一也・桐山祐志・石田伸也・武末出美・春山純志（青学大）・C.M.Marcus（ハーバード大）

29日午後
（量子ナノデバイス）
7.[招待講演] 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用
　○浅田雅洋（東工大）
8.　位置制御成長カーボンナノチューブによる室温クーロンブロッケード特性
　○木下誠三（明大）・松本和彦（産総研）・倉知孝介（明大）・後藤芳孝（筑波大）・根本俊雄（明大）
9.　InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造のデバイス応用
　○村中司・伊藤章・江潮・長谷川英機（北大）
10.　エピタキシャルAl[2]O[3]/Si 構造を用いた共鳴トンネルデバイスの形成
　古字芳晃・M. Shahjahan・高橋成也・伊藤了基・澤田和明・○石田誠（豊橋技科大）
11.　ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF[2]/CaF[2]共鳴トンネルダイオード
　○渡辺正裕・石川達也・松田克己・金澤徹・浅田雅洋（東工大）
12.　室温下で高PVCRを有するSi[1-x]Ge[x]/Si３重障壁共鳴トンネルダイオード
　○須田良幸・目黒明彦・前川裕隆（東農工大）
13.　MOCVDを用いた歪み系In[0.8]Ga[0.2]As/AlAs RTDの高性能化
　○松崎秀昭・杉山弘樹・大坂次郎・小林隆・榎木孝知（NTT）

30日午前9:15-
（量子ナノデバイスによる集積回路）
1.　単電子デバイスによる多数決論理回路
　○大矢剛嗣・浅井哲也・福井孝志・雨宮好仁（北大）
2.　GaAsナノ細線ネットワークとショットキーラップゲート構造によるヘキサゴナル量子BDD論理回路技術
　○葛西誠也・湯元美樹・長谷川英機（北大）
3.　単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
　○猪川洋・藤原聡・高橋庸夫（NTT）
4.　SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート−アイランド間結合容量の制御
　○砂村潤・川浦久雄（NEC）
5.　弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積
　○筒井一生・関根広志・寺山俊明（東工大）
6.　共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
　○横山雄司・大野雄高・岸本茂・前澤宏一・水谷孝（名大）

◎29日の研究会終了後、北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターの見学会
と懇親会を予定しております。奮ってご参加ください。

☆SDM研究会今後の予定　[　]内発表申込締切日
※ 詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい
3月14日(木) 15日(金)「強誘電体薄膜とメモリ応用」
東京工業大学　〔1月18日〕
4月16日（火）、17日（水）、18日（木）「有機ELおよび関連有機
材料、低温poly-SiとTFT技術」
九州工業大学　（ED、OME研究会共催）　[2月中旬]
5月23日（木）、24日（金）「結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、
SiGe、その他の電子材料）
名古屋大学　（ED、CPM研究会共催） [3月中旬]
【発表申込・問合先】
    武村　久（NEC）
    TEL(042)779−6193，FAX(042)771−0886
    E-mail：h-takemura@bk.jp.nec.com
　　大野守史（MIRAIプロジェクト）
　　TEL(0298)61-5251，FAX(0298)61-5476
    E-mail：morifumi.oono@aist.go.jp