日時：　平成１３年１月３０日
会場：　機械振興会館

議題　*配線技術*

（オーバービュー）
１．ＵＬＳＩ多層配線技術の課題（招待講演）    　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０：００-１０：４０
　　　〇吉川公麿（広島大学）
（Integration）
２．有機系低ｋ膜を用いたＣｕダマシン多層配線プロセス設計とその実証 　　　 　１０：４５-１１：１５
　　　〇林 喜宏、木下 啓蔵、多田 宗弘、宇佐美 達也、廣井 政幸、利根川 丘、柴 和利、
　　　 　小野寺 貴弘、田上 政由、川原 潤、斎藤 忍
３．感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線 　　 　　 １１：１５-１１：４５
　　　◯斎藤國夫・八木祥次・小杉敏彦・山口　力（NTT）・工藤和久・矢野正樹（NTTアドバンステクノロジー）
　　　 　石井　仁・町田克之・久良木億（NTT）
（信頼性）
４．EVOLUTION OF GRAIN AND MICRO-VOID STRUCTURE IN ELECTROPLATED COPPER
　　INTERCONNECTION LINES      　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １：１５-１：４５
　　　　 A. Hobbs（富士通研）, S. Murakami*, T.Hosoda*, S.Ohtsuka*, M.Miyajima*, S.Sugatani*（富士通）,
          and　〇T.Nakamura　（富士通研）
５．ダマシンCu配線における絶縁劣化現象    　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　   １：４５-２：１５
　　　○武田　健一・日野出　憲治（日立製作所）
６．低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるＣｕイオンドリフト抑制効果　　   ２：１５-２：４５
　　　○尾田智彦・向川政治（広島大学）青木倫子・清水泰雄（クラリアントジャパン）
（要素プロセス）
７．ＣＶＤ法によるCu めっき用下地膜の真空一貫 Barrier / Cu Seed 積層成膜　　３：００-３：３０
　　　〇関口　敦・小出知昭・張　敏娟・國信隆史・砂山英樹・小林明子・鈴木　薫・肖　石琴・岡田　修
　　　　（アネルバ）
８．Low-k材用の誘電率の理論的導出   　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  ３：３０-４：００
　　　○福田　琢也・青井　信雄・松浦　東・松永　宏典（ＡＳＥＴ）　
９．層間絶縁材料SiLKのCuダマシンプロセスにおける特性について  　　　　　　 　４：００-４：３０
　　　Michael Mills ・Edward Shaffer・Joost Waterloos ・Michael Simmonds ・Kenneth Foster （ダウケミカル）
　　　太田文彦・本田善彦（日立化成）○井田　康暢（ダウケミカル）
１０．新型Low-ｋシリカ膜　-高規則性を有した空孔構造-  　　　　　　　　　　　　　　４：３０-５：００
　　　〇平川正明、村上裕彦（日本真空技術）
 
 

☆SDM研究会今後の予定　[　　]内は発表申込締切日
・平成13年2月28日(水)、3月1日（木）
　「単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御」
　 北海道大学・学術交流会館
　[12月11日締め切り]
・平成13年3月5日(月)、3月6日（火）
　「強誘電体材料およびその応用」
　 大阪大学コンベンションセンター
　[1月12日締め切り]
・平成13年3月８日(木)、3月９日（金）
　「MOSデバイス技術、SOI基板/デバイス技術」
　 東京・機械振興会館
　[1月９日締め切り]
 

【ＳＤＭ発表申込・問合先】
　木本恒暢（京大工学研究科電子物性工学教室）
　Tel (075)753-5341, FAX (075)751-5342
　E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
　武村　久（NECシリコンシステム研究所）
　Tel (042)779-6193, FAX (042)771-0886
　E-mail:takemura@mel.cl.nec.co.jp