10月11日(木)
午後
13:00 - 18:00 |
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13:00-13:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
絶縁膜／n-GaN構造の光応答とセンサー応用 |
○水江千帆子・松山哲也・マルチン ミツェーク・小谷淳二・橋詰 保（北大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性 |
○山口敦史（金沢工大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 |
○金田昭男・金井聡庸・船戸 充・川上養一（京大）・菊池昭彦・岸野克己（上智大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
GaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 |
○関口寛人・加藤 圭・田中 譲・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） |
| (5) |
14:55-15:20 |
金属・酸化物・GaN接触を利用した紫外発光ダイオードの製作 |
○小宮山重利・野口和之・増山佳宏・吉岡香織・本田 徹（工学院大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
高Ｉｎ組成ＩｎＡｌＧａＮ活性層を有するＳｉ基板上高輝度紫外ＬＥＤ |
○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
| (7) |
15:45-16:10 |
アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ～
MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ～ |
万行大貴・小野宏之・○小林芳彦・杉原健一・池永和正・松本 功（TNSC） |
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16:10-16:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (8) |
16:20-16:45 |
ｐ－InAlGaNと高品質AlNを用いた３４０ｎｍ帯高出力ＬＥＤ |
○藤川紗千恵（理研）・高野隆好・近藤行廣（松下電工）・平山秀樹（理研） |
| (9) |
16:45-17:10 |
非極性m面InGaN LEDの偏光特性 |
○辻村裕紀・中川 聡・岡本國美・太田裕明（ローム㈱） |
| (10) |
17:10-17:35 |
端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制 |
○後藤 修（ソニー（株））・大泉善嗣・庄司美和子・田中隆之・保科幸男・太田 誠（ソニー白石セミコンダクタ（株））・矢吹義文・冨谷茂隆・池田昌夫（ソニー（株）） |
| (11) |
17:35-18:00 |
AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 |
○川西英雄・新倉栄一郎（工学院大） |
10月12日(金)
午前
09:00 - 16:55 |
| (12) |
09:00-09:25 |
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 |
○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） |
| (13) |
09:25-09:50 |
無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN
MIS型ヘテロ接合トランジスタ |
○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
| (14) |
09:50-10:15 |
ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 |
○松田慶太・川崎 健・中田 健・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
| (15) |
10:15-10:40 |
4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討 |
○寺田 豊・鈴江隆晃・石川博康・江川孝志（名工大） |
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10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (16) |
10:50-11:15 |
AlGaN/GaN
HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 |
○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） |
| (17) |
11:15-11:40 |
AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 |
○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大） |
| (18) |
11:40-12:05 |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 |
○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） |
| (19) |
12:05-12:30 |
Ku帯50W出力AlGaN／GaN-HEMTの開発 |
○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
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12:30-13:50 |
昼食 （ 80分 ） |
| (20) |
13:50-14:15 |
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価 |
○徳田 豊・松岡陽一・妹尾 武（愛知工大）・上田博之・石黒 修・副島成雅・加地 徹（豊田中研） |
| (21) |
14:15-14:40 |
青色発光InGaN微結晶の作製条件 |
○蟹江 壽・明石健一（東理大） |
| (22) |
14:40-15:05 |
新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 |
○橋本直樹・結城明彦・斉藤英幸（千葉大）・王 新強（JST）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
| (23) |
15:05-15:30 |
Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 |
○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名大） |
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15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (24) |
15:40-16:05 |
窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製 |
○馬淵 彰・平野隆義・杉浦 隆・箕浦秀樹（岐阜大院工） |
| (25) |
16:05-16:30 |
高In組成(1～0.5）InAlNの常圧MOVPE成長 |
○宝珍禎則・橋本明弘・山本 ?勇（福井大） |
| (26) |
16:30-16:55 |
分子プレカーサー法によるMgZnO薄膜の製作と紫外透明電極への応用検討 |
○増山佳宏・吉岡香織・小宮山重利・安達信助・佐藤光史・本田 徹（工学院大） |
ynu.ac.jp