日時：平成13年10月11日（木）9:30〜16:15
会場：大阪大学コンベンションセンター２階会議室（吹田市山田丘２-１、（１）阪
急電車 千里線 北千里駅（終
点）下車 東へ徒歩約１５分（２）地下鉄御堂筋線 千里中央駅（終点）下車、
大阪モノレール（万博公園
で乗り換え） 阪大病院前駅（終点）下車スグ（３）地下鉄御堂筋線 千里中央
駅（終点）下車、阪急バス
大阪大学（終点）下車スグ。ＪＲ新幹線の新大阪からは地下鉄御堂筋線でお越し
ください。
http://www.osaka-u.ac.jp/annai/campus/access2.html
http://www.osaka-u.ac.jp/annai/campus/suita.html
Tel［06］-6879-7698 杉野 隆）
議題 「化合物混晶半導体デバイス・材料（含むワイドギャップ半導体）」
発表時間：1件あたり質疑応答を含めて25分
11日午前
1. 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
○周逸凱・金村雅仁・浅野陵・朝日一（阪大）
2. Si(001)およびGe(001)基板上GeC混晶の結晶学的・光学的特性
○沖仲元毅・徳田崇・浜名康全・太田淳・布下正宏（奈良先端大）
3. CdMgTe/CdTe量子細線における励起子状態
○永原靖治・喜多隆・和田修（神戸大）、
H. Mariette・L. Marsal（Universite J. Fourier, Grenoble I, CNRS）
4. フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
○渡邊直樹・磯貝佳孝・神野真吾（名大）、山内武志（CREST-JST）、
藤原康文（名大）、中村新男・竹田美和（名大、CREST-JST）
5. 横方向電流注入型半導体レーザの光アクセス系送受光素子特性
○村田聡司・新井雅之・尾江邦重（京都工繊大）
6. TlInGaAs/InPダブルへテロ構造LED
○溝端亜希子・李輝宰・小西健太・前田修・朝日一（阪大）
11日午後
7. RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
○寺口信明・鈴木彰（シャープ）、名西やすし（立命館大） ｛「やすし」は漢字
；添付ファイルのとおり｝
8. Al1-xSixNの固溶体形成とフィールドエミッション ｛Alの次の「1-x」とSiの次
の「x」は下付き｝
○嘉数誠・谷保芳孝・小林直樹（NTT）
9. InAlGaN４元混晶を用いた330−350nm帯高効率紫外LED
○平山秀樹（理研）、木下敦寛・相野谷誠・山火貴義・山中卓也・平田彰（早大）、
青柳克信（理研）
10. ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
○元垣内敦司・太田慶一・平松和政（三重大）、大内洋一郎（三菱電線）、
只友一行（三菱電線）・濱村寛（ニコン）、福井一俊（福井大）
11. 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
○塩島謙次・重川直輝・末光哲也（NTT）
12. 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系へテロ接合FET
○安藤裕二・岡本康宏・宮本広信・羽山信幸・中山達峰・笠原健資・葛原正明（NEC）
◎ 研究会終了後、懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。
☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
詳しくは、http://www.ieice.org/~ed/jpn/welcome.htmlをご覧下さい。
11月15日（木）、16日（金） 「ミリ波デバイス・回路・システム応用一般」 佐賀
大学（ＭＷ研究会共催）[9月14日（金）]
12月（未定） 「電子管と真空マイクロエレクトロニクス及びその評価技術」 東北
大学（電気学会共催）
1月16日（水）、17日（木）、18日（金） 「化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周
波デバイス」
東京（機械振興会館） （MW、ＩＣＤ研究会、電気学会共催） [11月12日（金）]
【発表申込・問合先】
山幡章司 （ＮＴＴエレクトロニクス）
TEL: 042-799-8538、FAX: 042-799-8118
E-mail: yamahata
atsu1.nel.co.jp筒井一生 （東京工業大学）
TEL: 045-924-5462、FAX: 045-924-5487
E-mail: ktsutsui
ae.titech.ac.jp☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
詳しくは、http://www.ieice.org/~cpm/jpn/welcome.htmlをご覧下さい。
10月26日（金） 信州大学 「薄膜プロセス・材料、一般」 [締切済]
12月13日（木）、14日（金） 九州大学 「LSIシステムの実装・モジュ−ル化技術
およびテスト技術、一般」 （ICD研究会、JIEP、IEEE共催）[10月18日（木）]
【発表申込・問合先】
日比野善典（NTT） TEL: 029-287-7585 FAX: 029-287-7868
E-mail: yhibino
iba.iecl.ntt.co.jp安井寛治（長岡技科大） TEL：0258-47-9502 FAX：0258-47-9500
E-mail: kyasui
vos.nagaokaut.ac.jp