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平成13年10月電子情報通信学会CPM研究会開催のご案内
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日時 平成13年10月26日(金)9:00〜18:20

会場 信州大学工学部電気電子工学科東棟3階第1講義室(長野市若里4−17−1、
(1) JR長野善光寺口を出て駅前から川中島バス”日赤経由松岡行き”に乗車し、
「工学部前」下車、徒歩1分。
(2) JR長野東口から長野電鉄バス”日赤経由保科温泉行き”に乗車し、「信大工
学部前」下車、徒歩1分。
(3)JR長野東口から、徒歩20分、Tel[026] 269−5186 上村 喜一)

議題 「薄膜プロセス・材料、一般」
発表時間:1件あたり質疑応答を含めて20分

[午前]9:00~
1.水晶振動子を用いた流速センサについて
○鳥越和樹・中澤 光男 (信州大学)

2.超薄型溝型ATカット水晶振動子の加工と共振周波数特性
○有泉武彦・飯沼勝敏・田中康一・有泉勝彦・中澤光男*((株)グローバル,*信州
大学)

3.ネットワークアナライザーを用いた超薄型溝型水晶振動子の周波数測定
○若本 悟・有泉武彦*・長浦善昭**・中澤光男***((株)アドバンテスト,*(株)
グローバル,**ナガウラ・ラボ(株),***信州大学)

4.水晶発振器の耐衝撃特性について
○守屋朝子・森崎浩武・ 田中直浩・高橋吉郎・中澤光男**((株)IHIエアロスペ
ース,*信州大学)

5."Single-sided Grooved Type or Double-sided Grooved Type Resonators
Manufactured by Chemical Etching Process of Two or Above Steps",
Y.Nagaura, Z.Nagaura, K.Nagaura, K.Nagato, K.Emoto, K.Imani, K.Kinoshita*,
S.Yokomizo**,
○M.Nakazawa***
(Nagaura Lab., *Nagaura Lab., USA, **Industry Technology Center of Okayama
Pref.,***Shinshu University)

6.硫黄を用いた硫化法によるCuInS2薄膜の作製と評価
○巻渕大輔・橋本佳男・伊東謙太郎(信州大)

7.CuInS2薄膜へのGa添加
○後藤 寛幸・岸田 朋丈*・大橋 剛**・橋本 佳男・伊東 謙太郎(信州大,*
シャープ,**荏原製作所)

8.太陽電池に向けたSi基板上CuInS2薄膜の検討
○大石 耕一郎・片桐 裕則・小林 敏志*・坪井 望*(長岡高専,*新潟大)

9.3元蒸着法によるSi基板上へのCuInS2薄膜成長
○渡辺将人・小林敏志・坪井 望・瀬賀寿幸・大石耕一郎*・金子双男(新潟大,*
長岡高専)

[午後]13:00~
10.MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニー
ルの影響
四田泰代・角谷正友・大塚康二*・桑原憲弘・高野 泰・○福家俊郎(静岡大,*サ
ンケン電気)

11.ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
○熊沢謙太郎・荒山 達郎・岡 真一郎・安井 寛治・赤羽 正志(長岡技大)

12.触媒体上でのNF3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリ
ーニング法の開発
○西村 悟・増田 淳・和泉 亮・松村英樹(北陸先端大)

13.C60薄膜の電界効果をめざして
○岩田 展幸・向本 圭吾・清水 利枝・今井 博行・山本 寛(日本大)

14.C60 誘導体自己組織単分子膜の作製と評価
○今井 博行・清水 利枝・林 寛・岩田 展幸・山本 寛(日本大)

        14:40~14:50 休憩

15.Cu/SiコンタクトにおけるZrN拡散バリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
○武山 真弓・野矢 厚 (北見工大)

16.Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
○野矢 厚・武山 真弓(北見工大)

17.Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
○D. Gruznev・B. V. Rao・古川雄三・森 雅之・ 丹保豊和・龍山智栄(富山大)

18.イオンビームスパッタ法によるSiGe成長における水素導入効果
○佐々木 公洋・池田乙元・高橋 幸大・畑 朋延(金沢大)

19.高周波マグネトロンスパッタリング法を用いた低誘電性有機薄膜の作製
○林 利江・菊地 直人・草野 英二・南戸 秀人・金原 粲(金沢工大)

        16:30〜16:40 休憩

20.Re酸化物薄膜の発色と導伝性
○大久保 学・松尾 幸治・岩田 展幸・山本 寛(日本大)

21.スパッタによるTiO2薄膜堆積中の基板入射粒子の観察
○星 陽一 (東京工芸大)

22.DMSを用いたトライオ−ドプラズマCVD法による3C-SiC の低温エピ成長
○橋場 正啓・前田 智彦・安井 寛治・赤羽 正志(長岡技大)

23.ZnO 薄膜を表面に生成させたATカット水晶振動子の周波数湿度特性
黒岩真弓・○中澤光男・ 佐野東樹・小沼義治・上村喜一(信州大学)

24.反応性スパッタ法によるイットリア安定化ジルコニア薄膜の生成とその諸特性
○松井俊幸・藪内英彦・林部林平・小沼義治・上村喜一(信州大学)


◎ 終了後、懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。

☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
詳しくは、http://www.ieice.org/~cpm/jpn/welcome.htmlをご覧下さい。
12月13日(木)、14日(金) 九州大学 「LSIシステムの実装・モジュ−ル化技術
およびテスト技術、一般」 (ICD研究会、JIEP、IEEE共催)[10月18日(木)]
1月上旬 機械振興会館「電池技術関連、一般」(EE研究会、PES、IEEE共催)[12月
18日(火)]

【発表申込・問合先】
日比野善典(NTT)   TEL: 029-287-7585   FAX: 029-287-7868
E-mail: yhibinoiba.iecl.ntt.co.jp
安井寛治(長岡技科大) TEL:0258-47-9502  FAX:0258-47-9500
E-mail: kyasuivos.nagaokaut.ac.jp