| 講演名 | 2015-01-16 エンベロープΔΣ変調器とH-bridge Class-D GaN電力増幅器を用いた800MHz帯デジタルドハティ送信機(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 元井 桂一, / 谷尾 真明, 堀 真一, 早川 誠, / 國弘 和明, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本報告では、携帯基地局などに用いられる送信機の低消費電力化に向け、デジタルドハティ送信機を提案し、その効果を実証する。提案した送信機は、D級アンプを用いた1対の1-bitデジタル送信機への入力コーディングを制御することによってドハティ動作を実現し、バックオフ領域での高効率化を図る方式である。1-bit変調方式には、コーディング効率の高い位相同期エンベロープΔΣ方式を採用している。0.25-μm GaN H-Bridge型D級アンプと90-nm CMOSデジタル変調器ICを用いて試作したデジタルドハティ送信機は、860MHz CW評価にて、6-dBバックオフ点でのドレイン効率が73.4%とバランス動作に比べて23.9ポイント向上した。さらに、1MHz帯域幅のCDMA信号において、平均出力電力28.6dBm、平均効率56.5%(バランス動作比9.6ポイント向上)の高効率動作を確認し、提案したデジタルドハティ送信機の有効性を実証した。 |
| 抄録(英) | This paper presents a novel transmitter (Tx) architecture combining voltage-mode class-D power amplifiers (PAs) with an efficient 1 -bit envelope delta-sigma modulation scheme for the 800 MHz band. By digitally processing the input 1-bit codes, the proposed Tx operates as a digital Doherty Tx. The proposed Tx architecture is realized with a GaN H-bridge class-D PA module and CMOS modulator ICs and delivers a CW power of 35.9 dBm at 860 MHz with a final-stage drain efficiency of 75.6% at the saturation point. The drain efficiency at 6-dB BO is still 73.4% which corresponds to an improvement of 23.9 points compared to balanced operation. Using a CDMA signal of 1-MHz bandwidth and 6.5-dB peak-to-average power ratio, the digital Doherty Tx achieves an average output power of 28.6 dBm with a drain efficiency of 56.5%. |
| キーワード(和) | Class-D / GaN / MMIC / H-Bridge / CMOS / delta-sigma modulation / Doherty power amplifier |
| キーワード(英) | Class-D / GaN / MMIC / H-Bridge / CMOS / delta-sigma modulation / Doherty power amplifier |
| 資料番号 | ED2014-131,MW2014-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エンベロープΔΣ変調器とH-bridge Class-D GaN電力増幅器を用いた800MHz帯デジタルドハティ送信機(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Digital Doherty Transmitter with Envelope ΔΣ Modulated Class-D GaN Power Amplifier for 800 MHz band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Class-D / Class-D |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | H-Bridge / H-Bridge |
| キーワード(5)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | delta-sigma modulation / delta-sigma modulation |
| キーワード(7)（和/英） | Doherty power amplifier / Doherty power amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 元井 桂一 / Keiichi Motoi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 谷尾 真明 / Andreas Wentzel |
| 第 2 著者 所属（和/英） | / 日本電気株式会社 Ferdinand Braun Institute |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀 真一 / Masaaki Tanio |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 早川 誠 / Shinichi Hori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | / 國弘 和明 / Makoto Hayakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | / 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-131,MW2014-195 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |