| 講演名 | 2015-01-16 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 佐藤 優, 芝 祥一, 川野 陽一, 松村 宏志, 高橋 剛, 鈴木 俊秀, 中舎 安宏, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 本講演ではInP HEMTを用いて実現した広帯域ゲート接地型増幅器の試作結果を紹介する.U帯,W帯,D帯,G帯の各周波数帯で設計した増幅器の性能を述べると共に,この回路を応用した双方向増幅器について報告する. |
| 抄録(英) | This paper presents a wideband common-gate amplifier with current-reuse-topology. We applied this design topology to various frequency band (U-band, W-band, D-band, G-band) using InP HEMT technology. We also developed bi-directional amplifier and transceiver using the topology. |
| キーワード(和) | MMIC / InP HEMT / ゲート接地増幅器 / 双方向増幅器 |
| キーワード(英) | Bi-directional amplifier / Common gate amplifier / InP HEMT / MMIC |
| 資料番号 | ED2014-130,MW2014-194 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wideband Common-gate Amplifiers with current-reuse-topology MMIC and its application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MMIC / Bi-directional amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | InP HEMT / Common gate amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート接地増幅器 / InP HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 双方向増幅器 / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川野 陽一 / Yoichi Kawano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松村 宏志 / Hiroshi Mtsumura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-130,MW2014-194 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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