| 講演名 | 2015-01-16 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 山口 裕太郎, 南條 拓真, 小山 英寿, 加茂 宣卓, 山中 宏治, 大石 敏之, |
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| 抄録(和) | GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計算の両面から解析を行った.まず,バッファ層のFeドープ濃度の異なる2種類のデバイスに関して過渡応答の温度特性測定を行い,時定数解析を行った.そして時定数解析で求めたトラップ準位及び捕獲断面積等を用いてTCADシミュレーションでGaN層中のバッファトラップと過渡応答特性の関係について検討した.その結果,オフ状態バイアス時に負に帯電したバッファトラップから電子が過渡的に放出されてバッファ層のコンダクションバンドが低下し,トレイン電流が増大することを実測と計算の両面から明らかにした. |
| 抄録(英) | In this paper, we reported the result of analysis of traps at the buffer in GaN HEMT by both transient response measurement and TCAD simulation. The two type devices which differ only in the concentration of Fe at GaN buffer layer was prepared, and the transient response from OFF state to ON state was measured at various temperature. Trap energy and capture cross-section at GaN buffer layer were extracted by analysis of time constant of traps. And, by using TCAD simulation and these trap parameters, the relationship with traps at GaN buffer layer and transient response was analyzed. In the result, it was found that transient current was increased because electrons which were captured in traps at GaN buffer at OFF state were emitted at ON state, and transient drain current was increased. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / トラップ / 過渡応答測定 / TCAD / Fe / バッファ |
| キーワード(英) | GaN HEMT / trap / transient response / TCAD simulation / Fe / buffer |
| 資料番号 | ED2014-129,MW2014-193 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of tarps in GaN HEMT by transient response measurement and TCAD simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / trap |
| キーワード(3)（和/英） | トラップ / transient response |
| キーワード(4)（和/英） | 過渡応答測定 / TCAD simulation |
| キーワード(5)（和/英） | TCAD / Fe |
| キーワード(6)（和/英） | Fe / buffer |
| キーワード(7)（和/英） | バッファ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 裕太郎 / Yutaro YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi electric corp. Information technology R&D center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 南條 拓真 / Takuma NANJO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Mitsubishi electric corp. Advanced technology R&D center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 英寿 / Hidetoshi KOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所 Mitsubishi electric corp. High frequency & optical device works |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電気株式会社高周波・光デバイス製作所 Mitsubishi electric corp. High frequency & optical device works |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji YAMANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi electric corp. Information technology R&D center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大石 敏之 / Toshiyuki OISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻 Saga university |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-129,MW2014-193 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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